- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/30 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p. ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiquesCommande de la section du cristal
Détention brevets de la classe C30B 13/30
Brevets de cette classe: 34
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Siltronic AG | 413 |
9 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5446 |
3 |
General Electric Company | 17789 |
2 |
National Taiwan University | 1169 |
2 |
Northwestern University | 3276 |
2 |
Tamura Corporation | 353 |
2 |
Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 16332 |
1 |
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3736 |
1 |
Alcon, Inc. | 5183 |
1 |
Coherent LaserSystems GmbH & Co. KG | 57 |
1 |
Energy, United States Department of | 24 |
1 |
LPE S.p.A. | 66 |
1 |
PV Silicon Forschungs- und Produktions AG. | 1 |
1 |
The Regents of the University of Colorado, a body corporate | 2530 |
1 |
Riken | 1685 |
1 |
ZHEJIANG JINGSHENG M & e CO., LTD | 26 |
1 |
Aurea Works Corporation | 1 |
1 |
Beijing Tian Neng Yun Tong Crystal Technique Co., Ltd. | 1 |
1 |
Jingyuntong Technology Co., Ltd. | 1 |
1 |
watanabe product Co., Ltd. | 1 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |