- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/32 - Mécanismes pour déplacer soit la charge, soit le dispositif de chauffage
Détention brevets de la classe C30B 13/32
Brevets de cette classe: 21
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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| Siltronic AG | 413 |
4 |
| General Electric Company | 17090 |
2 |
| HRL Laboratories, LLC | 1596 |
2 |
| Tamura Corporation | 354 |
2 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 16666 |
1 |
| Alcon, Inc. | 5281 |
1 |
| Alliance for Sustainable Energy, LLC | 763 |
1 |
| Canon Machinery Inc. | 37 |
1 |
| Crystal Systems Corporation | 17 |
1 |
| Leibniz-institut fur Festkorper-und Werkstoffforschung Dresden e.V. | 63 |
1 |
| Metal Casting Technology, Inc. | 19 |
1 |
| Sumco Corporation | 1126 |
1 |
| Sumco TECHXIV Corporation | 103 |
1 |
| Univerzita Karlova V Praze | 43 |
1 |
| Topsil Simiconductor Materials A/S | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |