- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 15/00 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski
Détention brevets de la classe C30B 15/00
Brevets de cette classe: 704
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1291 |
69 |
Sumco Corporation | 1125 |
56 |
Globalwafers Co., Ltd. | 621 |
52 |
Corner Star Limited | 95 |
27 |
Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 70 |
19 |
TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | 106 |
19 |
Siltronic AG | 413 |
17 |
LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 240 |
15 |
Sumco TECHXIV Corporation | 104 |
12 |
LG Siltron Inc. | 116 |
11 |
SK Siltron Co., Ltd. | 158 |
10 |
Corning Incorporated | 10125 |
9 |
Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1540 |
8 |
Evergreen Solar, Inc. | 30 |
8 |
Tokuyama Corporation | 1342 |
8 |
Umicore | 598 |
8 |
Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | 70 |
8 |
Luxium Solutions, LLC | 89 |
8 |
Siltron Inc. | 40 |
7 |
Xi'an ESWIN Silicon Wafer Technology Co., Ltd. | 21 |
7 |
Autres propriétaires | 326 |