- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 15/04 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ avec addition d'un matériau de dopage, p. ex. pour une jonction n–p
Détention brevets de la classe C30B 15/04
Brevets de cette classe: 317
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Globalwafers Co., Ltd. | 651 |
50 |
| Sumco Corporation | 1116 |
49 |
| Sumco TECHXIV Corporation | 100 |
29 |
| Siltronic AG | 423 |
21 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1294 |
17 |
| Luxium Solutions, LLC | 89 |
13 |
| Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 80 |
12 |
| Infineon Technologies AG | 8267 |
10 |
| Corner Star Limited | 95 |
9 |
| Globalwafers Japan Co., Ltd. | 69 |
6 |
| MEMC Electronic Materials SpA | 19 |
5 |
| LG Siltron Inc. | 116 |
4 |
| Tokuyama Corporation | 1422 |
4 |
| LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 327 |
4 |
| SK Siltron Co., Ltd. | 165 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10961 |
3 |
| Showa Denko K.K. | 2190 |
3 |
| GT Advanced CZ, LLC | 5 |
3 |
| GTAT IP Holding LLC | 7 |
3 |
| Hanwha Solutions Corporation | 897 |
3 |
| Autres propriétaires | 65 |