- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 27/02 - Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur par tirage à partir d'un bain fondu
Détention brevets de la classe C30B 27/02
Brevets de cette classe: 67
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sumco Corporation | 1116 |
9 |
| JX Nippon Mining & Metals Corporation | 1475 |
5 |
| Sumco TECHXIV Corporation | 99 |
4 |
| Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 85 |
4 |
| Siltron Inc. | 35 |
3 |
| LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 359 |
3 |
| Caracal, Inc. | 5 |
3 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5174 |
2 |
| Toyoda Gosei Co., Ltd. | 1828 |
2 |
| The 13th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation | 135 |
2 |
| DRS Network & Imaging Systems, LLC | 145 |
2 |
| Corner Star Limited | 95 |
2 |
| Linton Crystal Technologies Corporation | 7 |
2 |
| Raytheon Company | 8465 |
1 |
| Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1483 |
1 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4638 |
1 |
| Calisolar, Inc. | 15 |
1 |
| Freiberger Compound Materials GmbH | 57 |
1 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 692 |
1 |
| Globalwafers Japan Co., Ltd. | 68 |
1 |
| Autres propriétaires | 17 |