- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 29/02 - Éléments
Détention brevets de la classe C30B 29/02
Brevets de cette classe: 345
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Nanoxplore Inc. | 48 |
9 |
| Paragraf Limited | 78 |
8 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5634 |
6 |
| Clene Nanomedicine, Inc. | 32 |
6 |
| National University of Singapore | 2440 |
6 |
| Peking University | 1302 |
6 |
| Raytheon Company | 8396 |
5 |
| Purdue Research Foundation | 3583 |
5 |
| Global Graphene Group, Inc. | 247 |
5 |
| General Graphene Corp. | 18 |
5 |
| The Regents of the University of California | 19868 |
4 |
| Eth Zurich | 1273 |
4 |
| National Chiao Tung University | 520 |
4 |
| Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences | 305 |
4 |
| Soitec | 1011 |
4 |
| The University of Chicago | 1400 |
4 |
| Pine Castle Investments Limited | 82 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 145416 |
3 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10414 |
3 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42461 |
3 |
| Autres propriétaires | 247 |