- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C30B - Croissance des monocristaux; solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdes; affinage des matériaux par fusion de zone; production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée; appareillages à cet effet
- C30B 31/20 - Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire
Détention brevets de la classe C30B 31/20
Brevets de cette classe: 35
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Element Six Limited | 81 |
9 |
| Element Six Technologies Limited | 188 |
6 |
| Intel Corporation | 46119 |
2 |
| Infineon Technologies AG | 8141 |
2 |
| Siltectra GmbH | 88 |
2 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 14956 |
1 |
| Korea Institute of Science and Technology | 2070 |
1 |
| Northwestern University | 3273 |
1 |
| Adámas Nanotechnologies Inc. | 11 |
1 |
| The Chancellor, Masters and Scholars of The University of Oxford | 157 |
1 |
| The City University of New York | 53 |
1 |
| Infineon Technologies Americas Corp. | 729 |
1 |
| Kyoto University | 2777 |
1 |
| Sumco Corporation | 1125 |
1 |
| The University of Warwick | 245 |
1 |
| U.S. Department of Energy | 233 |
1 |
| Topsil GlobalWafers A/S | 3 |
1 |
| Element Six Technologies US Corporation | 6 |
1 |
| St3 LLC | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |