- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 31/20 - Dopage par irradiation au moyen de radiations électromagnétiques ou par rayonnement corpusculaire
Détention brevets de la classe C30B 31/20
Brevets de cette classe: 38
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Element Six Limited | 73 |
9 |
| Element Six Technologies Limited | 207 |
6 |
| Intel Corporation | 46449 |
2 |
| Infineon Technologies AG | 8418 |
2 |
| Siltectra GmbH | 90 |
2 |
| U.S. Department of Energy | 236 |
2 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16345 |
1 |
| Korea Institute of Science and Technology | 2252 |
1 |
| Northwestern University | 3567 |
1 |
| Adámas Nanotechnologies Inc. | 9 |
1 |
| The Chancellor, Masters and Scholars of The University of Oxford | 166 |
1 |
| The City University of New York | 56 |
1 |
| Infineon Technologies Americas Corp. | 1944 |
1 |
| Kyoto University | 2931 |
1 |
| Sumco Corporation | 1107 |
1 |
| The University of Warwick | 256 |
1 |
| Topsil GlobalWafers A/S | 3 |
1 |
| Element Six Technologies US Corporation | 6 |
1 |
| St3 LLC | 1 |
1 |
| Shanghai Nuclear Engineering Research & Design Institute Co., Ltd. | 89 |
1 |
| Autres propriétaires | 1 |