- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/403 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c.-à-d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c.-à-d. rafraîchissement externe
Détention brevets de la classe G11C 11/403
Brevets de cette classe: 131
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11797 |
35 |
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
27 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
11 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
9 |
| Rambus Inc. | 2245 |
5 |
| Bar-Ilan University | 450 |
5 |
| Intel Corporation | 47102 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 62621 |
2 |
| Marvell Asia PTE, Ltd. | 6313 |
2 |
| Cavium International | 4672 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
2 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 381 |
2 |
| Qualcomm Incorporated | 91997 |
1 |
| NEC Corporation | 36934 |
1 |
| Toshiba Corporation | 12548 |
1 |
| Hewlett-Packard Development Company, L.P. | 25216 |
1 |
| Fujitsu Limited | 16862 |
1 |
| Industrial Technology Research Institute | 5211 |
1 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 12452 |
1 |
| Autres propriétaires | 18 |