• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/412

Brevets de cette classe: 1754

Historique des publications depuis 10 ans

119
118
174
175
157
131
143
120
141
79
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48302
488
Qualcomm Incorporated
92196
97
Samsung Electronics Co., Ltd.
157719
66
Renesas Electronics Corporation
5870
59
ARM Limited
5045
39
Intel Corporation
47106
36
United Microelectronics Corp.
4492
34
Socionext Inc.
1595
33
International Business Machines Corporation
62634
32
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11821
31
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6387
29
Tahoe Research, Ltd.
2027
27
iCometrue Company Limited
98
26
Texas Instruments Incorporated
19672
22
Zeno Semiconductor, Inc.
236
21
STMicroelectronics International N.V.
4157
19
Micron Technology, Inc.
27657
18
Advanced Micro Devices, Inc.
6121
18
Synopsys, Inc.
2715
16
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
11123
15
Autres propriétaires 628