• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Détention brevets de la classe G11C 11/412

Brevets de cette classe: 1719

Historique des publications depuis 10 ans

119
118
174
175
157
131
140
118
141
52
2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
47319
481
Qualcomm Incorporated
90221
96
Samsung Electronics Co., Ltd.
153845
65
Renesas Electronics Corporation
5866
58
ARM Limited
4951
38
Intel Corporation
46680
34
United Microelectronics Corp.
4450
34
Socionext Inc.
1591
32
International Business Machines Corporation
62220
31
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11680
30
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6396
29
Tahoe Research, Ltd.
2077
27
iCometrue Company Limited
98
26
Texas Instruments Incorporated
19631
22
Zeno Semiconductor, Inc.
236
21
Micron Technology, Inc.
27285
18
Advanced Micro Devices, Inc.
6008
18
STMicroelectronics International N.V.
3763
17
Synopsys, Inc.
2725
15
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
11010
15
Autres propriétaires 612