- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Détention brevets de la classe H01L 23/522
Brevets de cette classe: 16270
Historique des publications depuis 10 ans
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1704
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1633
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1567
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151
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46507 |
4194 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151017 |
1378 |
| Intel Corporation | 46576 |
850 |
| International Business Machines Corporation | 61904 |
831 |
| Micron Technology, Inc. | 27174 |
482 |
| Qualcomm Incorporated | 88555 |
397 |
| Kioxia Corporation | 10512 |
360 |
| SK Hynix Inc. | 11871 |
318 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11018 |
312 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5176 |
293 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6404 |
291 |
| Renesas Electronics Corporation | 5903 |
250 |
| Texas Instruments Incorporated | 19555 |
220 |
| Nanya Technology Corporation | 2738 |
214 |
| United Microelectronics Corp. | 4369 |
202 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3035 |
185 |
| Rohm Co., Ltd. | 6665 |
138 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4925 |
104 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 757 |
104 |
| Tokyo Electron Limited | 13336 |
100 |
| Autres propriétaires | 5047 |