- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
Détention brevets de la classe H01L 23/525
Brevets de cette classe: 1768
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47156 |
334 |
| International Business Machines Corporation | 62153 |
137 |
| Nanya Technology Corporation | 2840 |
83 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153357 |
65 |
| Intel Corporation | 46633 |
60 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6396 |
53 |
| Monolithic 3D Inc. | 328 |
53 |
| Micron Technology, Inc. | 27251 |
50 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
48 |
| SK Hynix Inc. | 12108 |
44 |
| Qualcomm Incorporated | 90013 |
35 |
| Texas Instruments Incorporated | 19621 |
32 |
| United Microelectronics Corp. | 4435 |
32 |
| Renesas Electronics Corporation | 5875 |
29 |
| eMemory Technology Inc. | 402 |
27 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 832 |
21 |
| Infineon Technologies AG | 8381 |
18 |
| Rohm Co., Ltd. | 6734 |
18 |
| Xintec Inc. | 276 |
17 |
| Synopsys, Inc. | 2724 |
15 |
| Autres propriétaires | 597 |