- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
Détention brevets de la classe H01L 23/525
Brevets de cette classe: 1688
Historique des publications depuis 10 ans
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6
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40583 |
304 |
| International Business Machines Corporation | 60095 |
122 |
| Nanya Technology Corporation | 2226 |
72 |
| Intel Corporation | 46119 |
61 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138729 |
60 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6433 |
53 |
| Monolithic 3D Inc. | 299 |
49 |
| Micron Technology, Inc. | 25791 |
47 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4923 |
46 |
| SK Hynix Inc. | 10784 |
44 |
| Renesas Electronics Corporation | 6153 |
36 |
| Qualcomm Incorporated | 81758 |
33 |
| Texas Instruments Incorporated | 19418 |
29 |
| United Microelectronics Corp. | 4102 |
27 |
| eMemory Technology Inc. | 376 |
27 |
| Infineon Technologies AG | 8141 |
18 |
| Rohm Co., Ltd. | 6336 |
18 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 766 |
18 |
| Xintec Inc. | 267 |
17 |
| Synopsys, Inc. | 2806 |
15 |
| Autres propriétaires | 592 |