- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
Détention brevets de la classe H01L 23/525
Brevets de cette classe: 1771
Historique des publications depuis 10 ans
|
219
|
194
|
181
|
157
|
140
|
130
|
135
|
108
|
90
|
19
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47734 |
335 |
| International Business Machines Corporation | 62325 |
137 |
| Nanya Technology Corporation | 2870 |
83 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 155224 |
66 |
| Intel Corporation | 46737 |
60 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6397 |
53 |
| Monolithic 3D Inc. | 331 |
53 |
| Micron Technology, Inc. | 27384 |
50 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
48 |
| SK Hynix Inc. | 12267 |
44 |
| Qualcomm Incorporated | 90870 |
35 |
| United Microelectronics Corp. | 4463 |
33 |
| Texas Instruments Incorporated | 19636 |
32 |
| Renesas Electronics Corporation | 5862 |
29 |
| eMemory Technology Inc. | 405 |
27 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 837 |
21 |
| Infineon Technologies AG | 8382 |
18 |
| Rohm Co., Ltd. | 6778 |
18 |
| Xintec Inc. | 277 |
17 |
| Synopsys, Inc. | 2729 |
15 |
| Autres propriétaires | 597 |