- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
Détention brevets de la classe H01L 23/525
Brevets de cette classe: 1713
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41489 |
311 |
| International Business Machines Corporation | 60549 |
130 |
| Nanya Technology Corporation | 2312 |
76 |
| Intel Corporation | 46581 |
62 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 141952 |
61 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6439 |
53 |
| Monolithic 3D Inc. | 305 |
50 |
| Micron Technology, Inc. | 26067 |
48 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
46 |
| SK Hynix Inc. | 11054 |
44 |
| Renesas Electronics Corporation | 6122 |
37 |
| Qualcomm Incorporated | 83447 |
33 |
| Texas Instruments Incorporated | 19472 |
29 |
| United Microelectronics Corp. | 4174 |
27 |
| eMemory Technology Inc. | 381 |
27 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 783 |
20 |
| Infineon Technologies AG | 8177 |
18 |
| Rohm Co., Ltd. | 6427 |
18 |
| Xintec Inc. | 270 |
17 |
| Synopsys, Inc. | 2781 |
13 |
| Autres propriétaires | 593 |