- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/10 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
Détention brevets de la classe H01L 27/10
Brevets de cette classe: 1323
Historique des publications depuis 10 ans
|
58
|
61
|
85
|
59
|
56
|
92
|
59
|
29
|
7
|
0
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11834 |
108 |
| Panasonic Corporation | 18962 |
101 |
| Micron Technology, Inc. | 27675 |
79 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 663 |
72 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
54 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
52 |
| Monolithic 3D Inc. | 337 |
42 |
| Kabushiki Kaisha Toshiba, doing business as Toshiba Corporation | 6177 |
42 |
| Kioxia Corporation | 10823 |
42 |
| NEC Corporation | 37005 |
39 |
| SanDisk 3D LLC | 244 |
37 |
| Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd. | 731 |
20 |
| SK Hynix Inc. | 12506 |
18 |
| RPX Corporation | 1143 |
18 |
| Fujitsu Limited | 16883 |
16 |
| Sharp Kabushiki Kaisha | 18523 |
14 |
| Floadia Corporation | 82 |
13 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11613 |
12 |
| Qualcomm Incorporated | 92416 |
10 |
| Intel Corporation | 47122 |
10 |
| Autres propriétaires | 524 |