- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/1159 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs les électrodes de grille comprenant une couche utilisée pour ses propriétés de mémoire ferro-électrique, p.ex. semi-conducteur métal-ferro-électrique [MFS] ou semi-conducteur d’isolation métal-ferro-électrique-métal [MFMIS] caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/1159
Brevets de cette classe: 417
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48861 |
82 |
| Micron Technology, Inc. | 27793 |
53 |
| SK Hynix Inc. | 12667 |
34 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5485 |
26 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159029 |
21 |
| Sandisk Technologies LLC | 1420 |
17 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1696 |
15 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11858 |
14 |
| Kioxia Corporation | 11017 |
14 |
| Intel Corporation | 46292 |
13 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 93 |
11 |
| International Business Machines Corporation | 62805 |
10 |
| Renesas Electronics Corporation | 5855 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11896 |
6 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3790 |
6 |
| IMEC VZW | 1831 |
5 |
| NaMLab gGmbH | 24 |
5 |
| Sony Corporation | 30052 |
4 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6390 |
4 |
| Tokyo Institute of Technology | 1305 |
4 |
| Autres propriétaires | 66 |