- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
Détention brevets de la classe H01L 29/778
Brevets de cette classe: 6822
Historique des publications depuis 10 ans
|
627
|
513
|
586
|
586
|
525
|
580
|
479
|
568
|
343
|
46
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48861 |
352 |
| Intel Corporation | 46292 |
337 |
| Toshiba Corporation | 12726 |
206 |
| Rohm Co., Ltd. | 6908 |
172 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159029 |
165 |
| United Microelectronics Corp. | 4522 |
162 |
| Fujitsu Limited | 16833 |
145 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2359 |
140 |
| Texas Instruments Incorporated | 19644 |
121 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48351 |
112 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 406 |
96 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 862 |
94 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 173 |
90 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16368 |
88 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5265 |
88 |
| Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. | 160 |
88 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 124837 |
86 |
| Vanguard International Semiconductor Corporation | 527 |
85 |
| Panasonic Corporation | 18716 |
84 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 34471 |
82 |
| Autres propriétaires | 4029 |