- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 47/02 - Dispositifs à effet Gunn
Détention brevets de la classe H01L 47/02
Brevets de cette classe: 35
Historique des publications depuis 10 ans
|
2
|
3
|
2
|
4
|
3
|
2
|
0
|
0
|
0
|
0
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48073 |
5 |
| Technische Universitat Darmstadt | 271 |
3 |
| Micron Technology, Inc. | 27579 |
2 |
| National Taiwan University | 1320 |
2 |
| HRL Laboratories, LLC | 1628 |
2 |
| Nanohmics, Inc. | 33 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 156823 |
1 |
| Seagate Technology LLC | 3963 |
1 |
| SanDisk 3D LLC | 256 |
1 |
| Lawrence Livermore National Security, LLC | 1972 |
1 |
| The Board of Trustees of the University of Illinois | 2745 |
1 |
| Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | 1732 |
1 |
| Avalanche Technology, Inc. | 305 |
1 |
| Crossbar, Inc. | 241 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6403 |
1 |
| Innovative Micro Technology | 22 |
1 |
| Intermolecular, Inc. | 279 |
1 |
| Newport Fab, LLC | 161 |
1 |
| Research & Business Foundation Sungkyunkwan University | 2155 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1031 |
1 |
| Autres propriétaires | 5 |