- Sections
- H - Électricité
- H01S - Dispositifs utilisant le procédé d'amplification de la lumière par émission stimulée de rayonnement [laser] pour amplifier ou générer de la lumièredispositifs utilisant l’émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans des gammes d’ondes autres qu'optiques
- H01S 3/032 - Détails de structure des tubes laser à décharge dans le gaz pour le confinement de la décharge, p. ex. par des caractéristiques particulières du tube pour la contraction de la décharge
Détention brevets de la classe H01S 3/032
Brevets de cette classe: 39
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| FANUC Corporation | 7421 |
7 |
| Cymer, LLC | 419 |
5 |
| The Boeing Company | 20217 |
4 |
| Gigaphoton Inc. | 1334 |
4 |
| Coherent, Inc. | 291 |
2 |
| Universite de Limoges | 227 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159473 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48460 |
1 |
| Kyocera Corporation | 14502 |
1 |
| ASML Netherlands B.V. | 8045 |
1 |
| Baylor University | 383 |
1 |
| The Chinese University of Hong Kong | 775 |
1 |
| Coherent LaserSystems GmbH & Co. KG | 67 |
1 |
| Ramot at Tel-Aviv University Ltd. | 1562 |
1 |
| TRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH | 94 |
1 |
| University of Maryland, Baltimore County | 287 |
1 |
| University of New Hampshire | 168 |
1 |
| VIA Mechanics, Ltd. | 27 |
1 |
| Access Laser , LLC | 3 |
1 |
| TRUMPF LaserSystems for Semiconductor Manufacturing SE | 56 |
1 |
| Autres propriétaires | 1 |