- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/60 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p. ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium
Détention brevets de la classe H10B 41/60
Brevets de cette classe: 31
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27626 |
6 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
5 |
| eMemory Technology Inc. | 409 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
4 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
3 |
| FlashSilicon Incorporation | 19 |
1 |
| Floadia Corporation | 80 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1031 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1735 |
1 |
| STMicroelectronics International N.V. | 4148 |
1 |
| Tower Semiconductor Ltd. | 145 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 846 |
1 |
| SK Keyfoundry Inc. | 256 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |