- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 43/30
Brevets de cette classe: 178
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
1
|
4
|
29
|
36
|
46
|
58
|
2
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10128 |
33 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40644 |
23 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 139302 |
17 |
| SK Hynix Inc. | 10824 |
11 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2348 |
10 |
| Micron Technology, Inc. | 25845 |
8 |
| United Microelectronics Corp. | 4117 |
8 |
| Sunrise Memory Corporation | 206 |
5 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 288 |
5 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2552 |
4 |
| Winbond Electronics Corp. | 1253 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 6146 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11114 |
3 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4948 |
3 |
| eMemory Technology Inc. | 375 |
3 |
| Monolithic 3D Inc. | 300 |
3 |
| Pedisem Co. Ltd. | 13 |
3 |
| Rohm Co., Ltd. | 6360 |
2 |
| Cypress Semiconductor Corporation | 1699 |
2 |
| Besang, Inc. | 16 |
2 |
| Autres propriétaires | 26 |