- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 43/30
Brevets de cette classe: 271
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10445 |
45 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43628 |
33 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147787 |
29 |
| SK Hynix Inc. | 11498 |
23 |
| Micron Technology, Inc. | 26235 |
14 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2761 |
11 |
| United Microelectronics Corp. | 4251 |
10 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4863 |
7 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2548 |
6 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 269 |
6 |
| Winbond Electronics Corp. | 1302 |
5 |
| Sunrise Memory Corporation | 213 |
5 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11471 |
4 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1424 |
4 |
| Infineon Technologies LLC | 529 |
4 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1062 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 5983 |
3 |
| Atomera Incorporated | 240 |
3 |
| eMemory Technology Inc. | 394 |
3 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1392 |
3 |
| Autres propriétaires | 49 |