- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 43/30
Brevets de cette classe: 363
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 10815 |
53 |
| SK Hynix Inc. | 12486 |
42 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
40 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
39 |
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
21 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3306 |
14 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
11 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5438 |
10 |
| Winbond Electronics Corp. | 1433 |
7 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2494 |
6 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1656 |
6 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 258 |
6 |
| Infineon Technologies LLC | 512 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11821 |
5 |
| Sunrise Memory Corporation | 216 |
5 |
| Intel Corporation | 47106 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 5870 |
4 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1205 |
4 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4664 |
3 |
| Atomera Incorporated | 265 |
3 |
| Autres propriétaires | 74 |