- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/30 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 51/30
Brevets de cette classe: 717
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46735 |
345 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 152016 |
89 |
| Micron Technology, Inc. | 27215 |
35 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11617 |
19 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5286 |
18 |
| SK Hynix Inc. | 11969 |
16 |
| Intel Corporation | 46594 |
14 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1508 |
11 |
| Renesas Electronics Corporation | 5887 |
9 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1414 |
9 |
| Versum Materials US, LLC | 659 |
9 |
| Kioxia Corporation | 10555 |
9 |
| International Business Machines Corporation | 62002 |
8 |
| Tokyo Electron Limited | 13428 |
8 |
| Sunrise Memory Corporation | 214 |
8 |
| IMEC VZW | 1722 |
7 |
| TetraMem Inc. | 162 |
6 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 77 |
6 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 118634 |
5 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3074 |
5 |
| Autres propriétaires | 81 |