- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 51/50 - Dispositifs de RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des transistors ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 51/50
Brevets de cette classe: 30
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
12 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5438 |
6 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
3 |
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
2 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3306 |
2 |
| Sandisk Technologies LLC | 1423 |
1 |
| Industry-university Cooperation Foundation Hanyang University Erica Campus | 642 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1656 |
1 |
| Xiangtan University | 60 |
1 |
| MAEKURA, Takayuki | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |