- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/40 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 53/40
Brevets de cette classe: 112
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27636 |
28 |
| Kepler Computing Inc. | 331 |
23 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158442 |
12 |
| Intel Corporation | 47178 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11855 |
6 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 124115 |
4 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3357 |
3 |
| SK Hynix Inc. | 12582 |
2 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 93 |
2 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
2 |
| Wuxi Smart Memories Technologies Co., Ltd. | 23 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 62748 |
1 |
| Honeywell International Inc. | 12776 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19640 |
1 |
| IMEC VZW | 1825 |
1 |
| Kioxia Corporation | 10856 |
1 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 395 |
1 |
| Eraytroniks Co., Ltd. | 6 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |