- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 80/00 - Ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un dispositif de mémoire couvert par la présente sous-classe
Détention brevets de la classe H10B 80/00
Brevets de cette classe: 2701
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
3
|
152
|
728
|
969
|
827
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
1025 |
| Micron Technology, Inc. | 27657 |
215 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
148 |
| SK Hynix Inc. | 12486 |
147 |
| Kioxia Corporation | 10815 |
147 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3306 |
98 |
| Intel Corporation | 47106 |
87 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5438 |
71 |
| Qualcomm Incorporated | 92196 |
53 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
34 |
| Monolithic 3D Inc. | 335 |
31 |
| Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | 594 |
27 |
| Advanced Micro Devices, Inc. | 6121 |
26 |
| Nanya Technology Corporation | 2902 |
24 |
| Cxmt Corporation | 419 |
24 |
| International Business Machines Corporation | 62634 |
23 |
| Mediatek Inc. | 5325 |
18 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123385 |
17 |
| Applied Materials, Inc. | 20375 |
16 |
| Yangtze Memory Technologies Holding Co., Ltd. | 36 |
16 |
| Autres propriétaires | 454 |