- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/815 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant des effets de confinement quantique, p. ex. des puits quantiques uniquesCorps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux de structures présentant une variation de potentiel périodique ou quasi-périodique de structures présentant une variation périodique ou quasi-périodique de potentiel, p. ex. super-réseaux ou puits quantiques multiples [MQW]
Détention brevets de la classe H10D 62/815
Brevets de cette classe: 129
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Atomera Incorporated | 271 |
35 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159298 |
11 |
| Silanna UV Technologies Pte Ltd | 124 |
9 |
| Applied Materials, Inc. | 20601 |
5 |
| Toshiba Corporation | 12732 |
4 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49027 |
4 |
| Texas Instruments Incorporated | 19622 |
3 |
| United Microelectronics Corp. | 4530 |
3 |
| Rohm Co., Ltd. | 6916 |
3 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 406 |
3 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2435 |
3 |
| Sony Group Corporation | 16052 |
3 |
| Intel Corporation | 46313 |
2 |
| Fujitsu Limited | 16807 |
2 |
| Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | 4021 |
2 |
| Hyundai Mobis Co., Ltd. | 3684 |
2 |
| Vanguard International Semiconductor Corporation | 529 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 62847 |
1 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2364 |
1 |
| STMicroelectronics, Inc. | 302 |
1 |
| Autres propriétaires | 30 |