- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
Détention brevets de la classe H10D 62/832
Brevets de cette classe: 1024
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Rohm Co., Ltd. | 6805 |
75 |
| Toshiba Corporation | 12551 |
62 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48140 |
61 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5448 |
58 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47893 |
44 |
| Infineon Technologies AG | 8401 |
41 |
| Denso Corporation | 25471 |
39 |
| Wolfspeed, Inc. | 895 |
38 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2313 |
37 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157039 |
32 |
| Toyota Motor Corporation | 35500 |
23 |
| MIRISE Technologies Corporation | 394 |
23 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3385 |
21 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5268 |
20 |
| Microchip Technology Incorporated | 3282 |
20 |
| Mitsumi Electric Co., Ltd. | 1123 |
14 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2550 |
14 |
| Genesic Semiconductor Inc | 37 |
13 |
| Intel Corporation | 47048 |
12 |
| Applied Materials, Inc. | 20325 |
12 |
| Autres propriétaires | 365 |