- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
Détention brevets de la classe H10D 62/832
Brevets de cette classe: 1251
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Rohm Co., Ltd. | 6898 |
86 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5526 |
85 |
| Toshiba Corporation | 12660 |
80 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48760 |
70 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48287 |
54 |
| Denso Corporation | 25717 |
51 |
| Infineon Technologies AG | 8418 |
48 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2383 |
48 |
| Wolfspeed, Inc. | 910 |
46 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158842 |
40 |
| Toyota Motor Corporation | 36092 |
31 |
| MIRISE Technologies Corporation | 415 |
30 |
| Microchip Technology Incorporated | 3353 |
28 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3370 |
25 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5261 |
23 |
| Mitsumi Electric Co., Ltd. | 1292 |
18 |
| Applied Materials, Inc. | 20552 |
15 |
| Robert Bosch GmbH | 44291 |
14 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2627 |
14 |
| Genesic Semiconductor Inc | 37 |
13 |
| Autres propriétaires | 432 |