- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/832 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé étant des matériaux du groupe IV comprenant deux éléments ou plus, p. ex. SiGe
Détention brevets de la classe H10D 62/832
Brevets de cette classe: 839
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Rohm Co., Ltd. | 6757 |
66 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47419 |
54 |
| Toshiba Corporation | 12695 |
51 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5394 |
42 |
| Infineon Technologies AG | 8383 |
38 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47625 |
36 |
| Denso Corporation | 25232 |
32 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2278 |
32 |
| Wolfspeed, Inc. | 863 |
25 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 154120 |
24 |
| Toyota Motor Corporation | 34698 |
19 |
| MIRISE Technologies Corporation | 374 |
19 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3403 |
18 |
| Microchip Technology Incorporated | 3208 |
18 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5269 |
15 |
| Genesic Semiconductor Inc | 37 |
13 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2502 |
13 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16113 |
12 |
| Diodes Incorporated | 256 |
10 |
| Intel Corporation | 46681 |
9 |
| Autres propriétaires | 293 |