- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/834 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé caractérisés en outre par les dopants
Détention brevets de la classe H10D 62/834
Brevets de cette classe: 165
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49027 |
41 |
| Intel Corporation | 46313 |
13 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159298 |
8 |
| Applied Materials, Inc. | 20601 |
7 |
| Toshiba Corporation | 12732 |
6 |
| Texas Instruments Incorporated | 19622 |
5 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5541 |
5 |
| ASM IP Holding B.V. | 2472 |
5 |
| Micron Technology, Inc. | 27867 |
4 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3793 |
3 |
| Monolithic 3D Inc. | 342 |
3 |
| Nanya Technology Corporation | 2964 |
3 |
| Kioxia Corporation | 11022 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 62847 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 5859 |
2 |
| Denso Corporation | 25799 |
2 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48409 |
2 |
| Rohm Co., Ltd. | 6916 |
2 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1475 |
2 |
| Microchip Technology Incorporated | 3387 |
2 |
| Autres propriétaires | 45 |