- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
Détention brevets de la classe H10D 62/85
Brevets de cette classe: 614
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4385 |
51 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46560 |
32 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 397 |
23 |
| Toshiba Corporation | 12536 |
20 |
| Rohm Co., Ltd. | 6675 |
19 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
19 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151303 |
15 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 854 |
13 |
| NXP USA, Inc. | 4391 |
12 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47338 |
10 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2248 |
9 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5285 |
9 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6405 |
9 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 150 |
9 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15967 |
8 |
| Robert Bosch GmbH | 43268 |
8 |
| Japan Display Inc. | 2852 |
8 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2150 |
8 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 53 |
8 |
| Wolfspeed, Inc. | 813 |
8 |
| Autres propriétaires | 316 |