- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
Détention brevets de la classe H10D 84/00
Brevets de cette classe: 502
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5478 |
56 |
| Rohm Co., Ltd. | 6826 |
39 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
37 |
| Toshiba Corporation | 12560 |
27 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2322 |
21 |
| Microchip Technology Incorporated | 3323 |
19 |
| Denso Corporation | 25534 |
18 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48018 |
18 |
| Infineon Technologies AG | 8402 |
11 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11821 |
10 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5262 |
8 |
| Renesas Electronics Corporation | 5870 |
7 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 25744 |
7 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
6 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2334 |
6 |
| Qualcomm Incorporated | 92196 |
5 |
| Monolithic Power Systems, Inc. | 438 |
5 |
| Nanya Technology Corporation | 2902 |
5 |
| Winbond Electronics Corp. | 1433 |
5 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 727 |
5 |
| Autres propriétaires | 187 |