- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
Détention brevets de la classe H10D 84/00
Brevets de cette classe: 207
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5242 |
22 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 45590 |
21 |
| Rohm Co., Ltd. | 6544 |
15 |
| Toshiba Corporation | 12534 |
13 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2089 |
10 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46814 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11534 |
6 |
| Renesas Electronics Corporation | 5939 |
5 |
| Denso Corporation | 24729 |
5 |
| Infineon Technologies AG | 8277 |
5 |
| Pragmatic Semiconductor Limited | 104 |
5 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5301 |
4 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 660 |
4 |
| Infineon Technologies Dresden GmbH & Co. KG | 152 |
3 |
| Kioxia Corporation | 10452 |
3 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 212 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148765 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 61738 |
2 |
| Texas Instruments Incorporated | 19484 |
2 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2212 |
2 |
| Autres propriétaires | 68 |