- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
Détention brevets de la classe H10D 84/00
Brevets de cette classe: 42
Historique des publications depuis 10 ans
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
5
|
6
|
6
|
23
|
2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Fuji Electric Co., Ltd. | 5114 |
7 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42222 |
5 |
Rohm Co., Ltd. | 6410 |
2 |
Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5253 |
2 |
Zhuzhou CRRC Times Semiconductor Co., Ltd. | 56 |
2 |
Wolfspeed, Inc. | 694 |
2 |
LG Electronics Inc. | 72559 |
1 |
Toshiba Corporation | 12300 |
1 |
Micron Technology, Inc. | 26214 |
1 |
Texas Instruments Incorporated | 19482 |
1 |
Renesas Electronics Corporation | 6054 |
1 |
Denso Corporation | 24146 |
1 |
Infineon Technologies AG | 8201 |
1 |
Analog Devices, Inc. | 3389 |
1 |
Toray Engineering Co., Ltd. | 477 |
1 |
Socionext Inc. | 1554 |
1 |
BYD Company Limited | 4821 |
1 |
Diodes Incorporated | 216 |
1 |
Dynex Semiconductor Limited | 60 |
1 |
Monolithic 3D Inc. | 308 |
1 |
Autres propriétaires | 8 |