- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/00 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si
Détention brevets de la classe H10D 84/00
Brevets de cette classe: 382
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5394 |
44 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47419 |
29 |
| Rohm Co., Ltd. | 6757 |
29 |
| Toshiba Corporation | 12695 |
24 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2278 |
18 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47625 |
13 |
| Microchip Technology Incorporated | 3208 |
12 |
| Denso Corporation | 25232 |
11 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11688 |
9 |
| Infineon Technologies AG | 8383 |
9 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 154120 |
5 |
| Renesas Electronics Corporation | 5866 |
5 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2296 |
5 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5269 |
5 |
| Pragmatic Semiconductor Limited | 112 |
5 |
| International Business Machines Corporation | 62251 |
4 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 25552 |
4 |
| Diodes Incorporated | 256 |
4 |
| Nanya Technology Corporation | 2857 |
4 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 701 |
4 |
| Autres propriétaires | 139 |