• Sections
  • H - Électricité
  • H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
  • H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT

Détention brevets de la classe H10D 84/40

Brevets de cette classe: 131

Historique des publications depuis 10 ans

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2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025 2026

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48438
18
Analog Devices International Unlimited Company
2025
10
Samsung Electronics Co., Ltd.
157946
8
Rohm Co., Ltd.
6837
7
Fuji Electric Co., Ltd.
5488
7
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc.
6385
6
Texas Instruments Incorporated
19653
4
Intel Corporation
47122
3
Mitsubishi Electric Corporation
48048
3
International Business Machines Corporation
62671
2
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11834
2
Tokyo Electron Limited
13824
2
Advanced Micro Devices, Inc.
6119
2
Mediatek Inc.
5340
2
United Microelectronics Corp.
4496
2
STMicroelectronics S.r.l.
3374
2
National Taiwan University
1325
2
Monolithic 3D Inc.
337
2
Newport Fab, LLC
161
2
Siliconware Precision Industries Co., Ltd.
689
2
Autres propriétaires 43