- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
Détention brevets de la classe H10D 84/40
Brevets de cette classe: 69
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Analog Devices International Unlimited Company | 1960 |
8 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44095 |
7 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 148077 |
4 |
Rohm Co., Ltd. | 6520 |
4 |
Fuji Electric Co., Ltd. | 5220 |
4 |
Texas Instruments Incorporated | 19450 |
3 |
Intel Corporation | 46921 |
2 |
Tokyo Electron Limited | 13008 |
2 |
Advanced Micro Devices, Inc. | 5780 |
2 |
GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6409 |
2 |
TSMC China Company Limited | 230 |
2 |
Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc | 799 |
2 |
Analog Power Conversion LLC | 30 |
2 |
Qualcomm Incorporated | 86990 |
1 |
Toshiba Corporation | 12514 |
1 |
Micron Technology, Inc. | 26279 |
1 |
Renesas Electronics Corporation | 5964 |
1 |
Mitsubishi Electric Corporation | 46618 |
1 |
STMicroelectronics S.r.l. | 3598 |
1 |
Ideal Power Inc. | 91 |
1 |
Autres propriétaires | 18 |