- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/40 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou avec au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET avec des transistors BJT
Détention brevets de la classe H10D 84/40
Brevets de cette classe: 131
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
18 |
| Analog Devices International Unlimited Company | 2025 |
10 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
8 |
| Rohm Co., Ltd. | 6837 |
7 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5488 |
7 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6385 |
6 |
| Texas Instruments Incorporated | 19653 |
4 |
| Intel Corporation | 47122 |
3 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48048 |
3 |
| International Business Machines Corporation | 62671 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11834 |
2 |
| Tokyo Electron Limited | 13824 |
2 |
| Advanced Micro Devices, Inc. | 6119 |
2 |
| Mediatek Inc. | 5340 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4496 |
2 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3374 |
2 |
| National Taiwan University | 1325 |
2 |
| Monolithic 3D Inc. | 337 |
2 |
| Newport Fab, LLC | 161 |
2 |
| Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | 689 |
2 |
| Autres propriétaires | 43 |