- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/82 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET de composants à effet de champ uniquement
Détention brevets de la classe H10D 84/82
Brevets de cette classe: 61
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
6 |
| Kyocera Sld Laser, Inc. | 304 |
4 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
3 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
3 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6387 |
3 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 57 |
3 |
| The Regents of the University of California | 20745 |
2 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2334 |
2 |
| Southeast University | 1546 |
2 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
2 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16331 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19672 |
1 |
| Robert Bosch GmbH | 44160 |
1 |
| Industrial Technology Research Institute | 5209 |
1 |
| Tokyo Electron Limited | 13807 |
1 |
| SK Hynix Inc. | 12486 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11123 |
1 |
| Cornell University | 3425 |
1 |
| DYNAX Semiconductor, Inc. | 74 |
1 |
| IMEC VZW | 1812 |
1 |
| Autres propriétaires | 21 |