- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 86/85 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples composants passifs, p. ex. des résistances, des condensateurs ou des inducteurs caractérisés par des composants passifs uniquement
Détention brevets de la classe H10D 86/85
Brevets de cette classe: 85
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
1
|
1
|
2
|
18
|
26
|
16
|
14
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49440 |
12 |
| Rohm Co., Ltd. | 6928 |
9 |
| Texas Instruments Incorporated | 19643 |
6 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 26029 |
6 |
| Qualcomm Incorporated | 93957 |
5 |
| Intel Corporation | 46342 |
4 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 44771 |
4 |
| Renesas Electronics Corporation | 5844 |
3 |
| TDK Corporation | 7027 |
3 |
| Psemi Corporation | 1092 |
3 |
| Beijing BOE Technology Development Co., Ltd. | 4667 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159755 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 12769 |
2 |
| Microchip Technology Incorporated | 3425 |
2 |
| Beijing BOE Sensor Technology Co., Ltd. | 498 |
2 |
| Pragmatic Semiconductor Limited | 122 |
2 |
| SK Keyfoundry Inc. | 258 |
2 |
| Toshiba Corporation | 12754 |
1 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48508 |
1 |
| Xilinx, Inc. | 3945 |
1 |
| Autres propriétaires | 12 |