- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 39/10 - Dispositifs intégrés
Détention brevets de la classe H10F 39/10
Brevets de cette classe: 48
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Canon Inc. | 40555 |
5 |
| Toshiba Corporation | 12516 |
2 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43854 |
2 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4461 |
2 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 41698 |
2 |
| Marvell Asia PTE, Ltd. | 6525 |
2 |
| Ams-osram AG | 293 |
2 |
| LG Electronics Inc. | 73690 |
1 |
| Intel Corporation | 47239 |
1 |
| Tokyo Electron Limited | 12994 |
1 |
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 32105 |
1 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10117 |
1 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3599 |
1 |
| Innolux Corporation | 3347 |
1 |
| Siemens Medical Solutions USA, Inc. | 1511 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10956 |
1 |
| Purdue Research Foundation | 3676 |
1 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 547 |
1 |
| Illumina, Inc. | 3383 |
1 |
| Nanyang Technological University | 2048 |
1 |
| Autres propriétaires | 18 |