Methods and apparatus for monitoring a processing apparatus and event-based detection of detecting rapidly changing phenomena are provided. In some embodiments, techniques for detecting rapidly changing phenomena may include: responsive to an occurrence of a phenomenon, determining one or more changes in an intensity of optical signals, the optical signals obtained by an optical sensor; detecting one or more changes in voltage correlating to the one or more changes in intensity of optical signals; and based on the one or more changes in voltage staying above a threshold, generating images representative of the phenomenon and comprising indications of the one or more changes in intensity of the optical signals occurring at corresponding pixels of the images.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
2.
HIGH ASPECT RATIO FEATURE ETCHING BY MULTI-STATE PULSING
A method of etching features in the substrate includes receiving in an etch chamber a substrate including a first layer to a first layer to be etched and a mask over the first layer, and etching features in the first layer by exposing the substrate to etch conditions including a multi-state pulsing scheme having a pulse period of at most about 3000 microseconds and including a first state S1, a second state S2, a third state S3, and a fourth state S4 all occurring once within the pulse period. Among the states S1, S2, S3, and S4, state S1 has the highest magnitude of plasma source power and plasma bias power, S2 has no bias power, S3 and S4 have source plasma powers and/or bias plasma powers that are different, and S3 has a bias power that is lower than the S1 bias power, and S4 has a bias power that is lower than the S1 bias power.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
3.
TRANSFER LEARNING FOR GENERATING FABRICATION PROCESS MODELS
Techniques for utilizing transfer learning for generating fabrication process models are provided herein. In some embodiments, the techniques may involve determining a posterior distribution associated with a first model representing a first fabrication process. The techniques may further involve identifying one or more components associated with the first model to be transferred as a model parameter value for a second model representing a second fabrication process. The techniques may further involve generating model parameters for the second model using the posterior distribution associated with the first model and the identified one or more components associated with the first model.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
4.
SELECTIVE ETCH WITH RESPECT TO CARBON MASK TO PROVIDE LOCAL CD UNIFORMITY
A method of etching recessed features in a stack below a carbon containing mask is provided. A carbon free etch gas comprising hydrogen fluoride and a carbon free passivant is provided. The carbon free etch gas is transformed into a plasma. The stack is exposed to the plasma wherein the plasma selectively etches the stack with respect to the carbon containing mask.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
5.
INDEPENDENTLY ADJUSTABLE FLOWPATH CONDUCTANCE IN MULTI-STATION SEMICONDUCTOR PROCESSING
Methods and apparatuses are provided herein for independently adjusting flowpath conductance. One multi-station processing apparatus may include a processing chamber, a plurality of process stations in the processing chamber that each include a showerhead having a gas inlet, and a gas delivery system including a junction point and a plurality of flowpaths, in which each flowpath includes a flow element, includes a temperature control unit that is thermally connected with the flow element and that is controllable to change the temperature of that flow element, and fluidically connects one corresponding gas inlet of a process station to the junction point such that each process station of the plurality of process stations is fluidically connected to the junction point by a different flowpath.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
6.
Radiofrequency Signal Filter Arrangement for Plasma Processing System
A tunable edge sheath (TES) system includes a coupling ring configured to couple to a bottom surface of an edge ring that surrounds a wafer support area within a plasma processing chamber. The TES system includes an annular-shaped electrode embedded within the coupling ring. The TES system includes a plurality of radiofrequency signal supply pins coupled to the electrode within the coupling ring. Each of the plurality of radiofrequency signal supply pins extends through a corresponding hole formed through a bottom surface of the coupling ring. The TES system includes a plurality of radiofrequency signal filters respectively connected to the plurality of radiofrequency supply pins. Each of the plurality of radiofrequency signal filters is configured to provide a high impedance to radiofrequency signals used to generate a plasma within the plasma processing chamber.
An apparatus includes a shower head comprising a disk and a stem coupled with the disk and an adjuster coupled with the stem. The adjuster includes an adapter comprising a heater cartridge; and a fluid line adjacent to the heater cartridge, where the heater cartridge extends from a top surface of the adapter through a first cavity in the adapter and within a second cavity in the stem. The adapter further includes a bellows comprising a flange, where the bellows is coupled with the adapter through the flange.
B05B 1/24 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage avec des moyens pour chauffer le liquide ou autre matériau fluide, p. ex. électriquement
9.
HIGH TEMPERATURE ESC FOR BETTER TEMPERATURE UNIFORMITY AND CONTROL
An electrostatic chuck (ESC) for use in a plasma processing chamber includes a baseplate with a plurality of coolant channels disposed in multiple steps and a dielectric plate with at least a multi-layer radio frequency (RF) grid layer to deliver RF power from an RF source and a multi-zone heater layer to provide heat to the wafer. A plurality of porous plugs are defined within the ESC to deliver conductive gas to fill a gap between the ESC and a wafer received for processing so as to enable uniform heat transfer to the wafer.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
Provided herein are methods and apparatus for in-feature planarization of molybdenum (Mo) deposition. The method involves oxidizing or nitriding a portion of the molybdenum-containing material to form molybdenum oxide or molybdenum nitride, and selectively etching the molybdenum oxide or molybdenum nitride. The method may be used to reduce variations within the feature or between the features. For example, line-to-line variation, in-line roughness, and line bending may be improved. The methods described herein may be used for logic and memory applications and may be used to deposit molybdenum in a semiconductor substrate with features such as vias, wordlines such as dynamic random-access memory (DRAM) buried wordline (bWL), and trenches. The method may be used to deposit molybdenum to fill features as liner layer and/or fill features.
A method for cleaning a plasma processing chamber comprising one or more cycles is provided. Each cycle comprises performing an oxygen containing plasma cleaning phase, performing a volatile chemistry type residue cleaning phase, and performing a fluorine containing plasma cleaning phase.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23F 4/00 - Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe ou
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
12.
INTEGRATION OF DRY DEVELOPMENT AND ETCH PROCESSES FOR EUV PATTERNING IN A SINGLE PROCESS CHAMBER
Process condition management facilitates the combination of dry development and etching into a single process chamber; eliminating the necessity for a post-dry development bake step during semiconductor manufacturing. Methods and apparatuses for rapidly instituting a large drop in process chamber pressure allow thermal dry development and an O2 flash treatment or thermal dry development and plasma hardmask open operations to take place without wafer transfer.
A remote plasma processing system includes a plasma generator configured to generate plasma in an upper region of a processing chamber. A dual gas diffusing device is arranged between the upper region and a lower region of the processing chamber. The dual gas diffusing device is configured to supply metastable species and ions from the upper region to the lower region and a reactant gas to the lower region separately from the metastable species and ions. A substrate support is arranged in the lower region of the remote plasma processing system and includes a resistive heater. A first voltage source is configured to supply power to the resistive heater. A pulsed DC voltage source is configured to supply a pulsed DC bias to the resistive heater.
Provided herein are methods of filling features with tungsten (W) that may be used for logic and memory applications. Molyhdenum (Mo) films may he deposited to line semiconductor substrate features such as vias and trenches. Tungsten is then deposited on the molybdenum liner as the main conductor, wherein the deposition is performed in a second deposition chamber.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A plasma processing system includes a processing chamber including a substrate support. A plasma generator is configured to selectively generate plasma in the processing chamber to treat a substrate arranged on the substrate support. An emitter is configured to transmit first terahertz waves through the plasma in the processing chamber. A detector is configured to receive second terahertz waves corresponding to the first terahertz waves transmitted through the plasma in the processing chamber.
Methods and apparatus for transient protection of a sensitive surface of a substrate are described. Methods that facilitate transient protection of a sensitive surface of substrate include depositing a sacrificial capping layer on a sensitive surface of the substrate after a processing operation. The capping layer deposition and the prior processing operation occur under vacuum. In some embodiments, for example, the capping layer deposition and the prior processing operation occur in different modules of a tool connected by a vacuum transfer chamber. In other embodiments, the capping layer deposition and the prior processing operation occur in the same module Methods that facilitate transient protection of a sensitive surface of substrate include removing the capping layer from the sensitive surface of the substrate prior to a subsequent processing operation. The removal is performed without damaging the sensitive surface or underlying layers of the semiconductor substrate.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
C23C 14/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 28/02 - Revêtements uniquement de matériaux métalliques
A wafer handling system includes a wafer handling robot, which includes a base, one or more arm segments coupled to an end effector configured to transfer a substrate, an antenna embedded in the end effector, wherein the antenna is configured to receive sensor data from at least one sensor arranged within the wafer handling system, and a router in communication with the antenna, wherein the router is configured to receive the sensor data from the antenna embedded in the end effector.
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
B25J 9/04 - Manipulateurs à commande programmée caractérisés par le mouvement des bras, p. ex. du type à coordonnées cartésiennes par rotation d'au moins un bras en excluant le mouvement de la tête elle-même, p. ex. du type à coordonnées cylindriques ou polaires
B25J 13/08 - Commandes pour manipulateurs au moyens de dispositifs sensibles, p. ex. à la vue ou au toucher
An error recovery system for a substrate processing tool includes a processor and non-transitory memory storing instructions. The system displays a recovery assistant button on a GUI that displays an error in the substrate processing tool; and in response to activation of the recovery assistant button, retrieves data relevant to the error from a database; generates a diagnostic report indicating a root cause of the error by analyzing the data; displays the diagnostic report indicating the root cause of the error on the GUI; generates a set of steps to recover from the error based on the root cause; display the set of steps on the GUI; executes at least portions of the set of steps automatically, interactively, or using a combination thereof on the GUI; and executes a recovery option from a plurality of recovery options to place the substrate processing tool in normal operating condition.
A barrier seal configured to seal adjacent segments of a segmented electrode of a plasma processing system includes an annular body made of a plasma resistant material. The annular body extends circumferentially in a plane and includes a bottom portion extending parallel to the plane, a first leg extending from the bottom portion at a first angle relative to a line perpendicular to the plane, a second leg extending from the bottom portion at a second angle relative to a line perpendicular to the plane, and an annular groove defined between the first leg and the second leg.
A method of depositing a silicon nitride film is presented. The method comprises heating a substrate having a first surface region of a first composition and a second surface region of a second composition. The substrate is exposed to an inhibitor that selectively bonds to the first surface region of the first composition. The substrate is exposed to a silicon-containing precursor and to a nitrogen-containing precursor to thermally deposit the silicon nitride film on the second surface region. The inhibitor inhibits deposition of the silicon nitride film on the first surface region.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
21.
MICROFABRICATION OF LOW-RESISTANCE MOLYBDENUM INTERCONNECTS
Provided herein are methods and apparatus for fabricating a semiconducting substrate using a template layer to form a film of molybdenum having a low resistance attributed to the large size of its internal crystalline grains. The method and apparatus described herein may be used to fabricate molybdenum lines or interconnects in an integrated circuit. Fabricated molybdenum lines may be robust against oxidative damage during air break and downstream processing and be able to maintain low resistance. The method may be used to deposit molybdenum to fill features as a liner layer and/or fill features.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
22.
MID-RING EROSION COMPENSATION IN SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS
A method includes arranging a first edge ring around a pedestal and a second edge ring around the pedestal under the first edge ring, determining first and second number of hours for which the first and second edge rings are exposed to RF power supplied during substrate processing, determining first and second rates at which the first and second edge rings erode during substrate processing, determining first and second amounts by which to compensate a height of the first edge ring based on the first and second number of hours and the first and second rates, compensating the height of the first edge ring based on erosion of the first and second amounts, and moving the first edge ring relative to the pedestal during substrate processing according to the compensated height, which is equal to a sum of the first and second amounts.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
23.
PINHOLE PROBABILITY ANALYSIS METHODS FOR PHOTORESIST FILMS
A probability-based simulation analysis method to predict pinhole formation in a photoresist is provided. The method determines a statistical distribution of cross-linking in the photoresist based on exposure stochastics and post-exposure bake randomness. The method updates the distribution of cross-linking in the photoresist as a result of film inhomogeneity. The effect of dry development on the updated distribution of cross-linking in the photoresist can be evaluated to determine a threshold value associated with a threshold amount of cross-linked states in the photoresist. A probability of pinhole formation can be determined based on the amount of cross-linked states that are below the threshold value.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
Disclosed herein is a method and apparatus to detect blockage of holes in a showerhead faceplate. The apparatus comprises at minimum a gantry system, a sensor array mechanically coupled to the gantry system, and a showerhead mounting fixture. The gantry system is operable to scan the sensor array over the faceplate of the showerhead, where the faceplate comprises a plurality of holes. The gantry system is operable to position the sensory array over individual holes of the plurality of holes to measure a flow velocity of a test gas passing through one or more holes, obtain enlarged images of holes having apparent blockage, and measure static internal pressure of the showerhead.
G01D 5/353 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens optiques, c.-à-d. utilisant de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette avec atténuation ou obturation complète ou partielle des rayons lumineux les rayons lumineux étant détectés par des cellules photo-électriques en modifiant les caractéristiques de transmission d'une fibre optique
G01F 15/06 - Dispositifs d'indication ou d'enregistrement
G01S 17/08 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement
G01L 19/08 - Moyens pour l'indication ou l'enregistrement, p. ex. pour l'indication à distance
G01N 21/84 - Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
25.
MODULAR VAPOR DELIVERY SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR PROCESS TOOLS
A modular vapor delivery system comprising a flow control component module that comprises a first inlet port and a second inlet port. a liquid flow controller coupled to an outlet port of the flow control component module, and a vaporizer module coupled to an outlet port of the liquid flow controller.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
A molybdenum silicide layer is formed on a bottom surface in a recessed feature in a silicon or silicon-germanium substrate. The bottom surface may be a silicon or silicon-germanium. A first molybdenum lay er may be deposited on or over the molybdenum silicide layer to fill the recessed feature. In some cases, a second molybdenum layer may be formed on the molybdenum silicide layer. In some cases, the second molybdenum layer may be exposed to nitrogen radicals or nitrogen-containing radicals, forming a molybdenum nitride layer on the second molybdenum layer.
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
Methods of mitigating line bending during feature fill include deposition of a nucleation layer having increased roughness. In some embodiments, the methods include depositing two or more metal nucleation layers.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
28.
HIGH ASPECT RATIO PLASMA ETCHING WITH CONTROLLED DECLOGGING
A method of etching a feature includes providing a substrate including at least one layer of a material to be etched and a mask over the at least one layer to an etch chamber, etching a feature in the at least one layer, through a mask opening, by exposing the substrate to a first plasma from a first etch chemistry, and applying a first bias to the substrate. The etching forms a clogging deposit in the feature and/or in the opening in the mask. The method includes declogging the feature by exposing the substrate to a second plasma from a second etch chemistry and applying a second bias that is less than the first bias and between a first voltage threshold for etching the mask and a second voltage where the clogging deposit is substantially etched without substantially etching the mask.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
29.
TUNGSTEN WORDLINE FILL IN HIGH ASPECT RATIO 3D NAND ARCHITECTURE
Feature fill processes including deposition-inhibition-deposition operations use a boron-containing compound treatment to tune an inhibition profile. In some embodiments, a feature is non-conformally treated with a boron-containing compound such as diborane (B2H6) prior to an inhibition treatment. Treating the features with a boron-containing chemistry increases the inhibition effect of the subsequently applied inhibition treatment. The diffusion of diborane is easier to control than the diffusion of an inhibition gas such as nitrogen trifluoride (NF3), facilitating control of the inhibition profile.
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H10B 41/10 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la configuration vue du dessus
H10B 41/27 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
H10B 41/30 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire
H10B 43/10 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la configuration vue du dessus
H10B 43/27 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par les agencements tridimensionnels, p. ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p. ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p. ex. des canaux en forme de U
H10B 43/30 - Dispositifs EEPROM avec des isolants de grille à piégeage de charge caractérisés par la région noyau de mémoire
30.
METHODS OF SELECTIVE DEPOSITION AND CHEMICAL DELIVERY SYSTEMS
Systems and methods of selectively depositing metal oxide on an exposed metal surface relative to a dielectric material on a substrate by pre-treatment with a hydroxy species-generating plasma prior to inhibition of the metal surface with an inhibitor, and subsequent metal oxide deposition on the dielectric material are disclosed. Exemplary inhibitors include low vapor pressure inhibitors. Exemplary systems include heated ampoules and gas lines for delivering inhibitors or other processing chemicals.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
In semiconductor processing. plasma etching of materials (e.g., of carbon or silicon) to form vertical high aspect ratio recessed features can lead to clogging inside the recessed features due to unwanted deposition of a mask-derived clogging material (e.g., silicon oxide). This is addressed by declogging, which includes etching the clogging material preferably in the same process chamber by contacting the substrate with a halogen source. After the declogging step, plasma etching proceeds further. The declogging and plasma etching steps can be repeated as many times as needed to etch a recessed feature of desired depth.
A non-optical sensor system tracks and detects an endpoint of various photoresist processes. Photoresist processes may include deposition, development, bevel edge and/or backside clean, bake, etch, and chamber clean operations. Chamber clean may involve one or both of a thermal clean and a plasma clean of unintended metal-containing material. Endpoint detection of the thermal clean or remote plasma clean uses a throttle valve sensor that measures a position of a throttle valve over time. Alternatively, endpoint detection of the thermal clean or remote plasma clean uses a chamber manometer that tracks chamber pressure while the throttle valve is held constant. Endpoint detection of the plasma clean uses a non-optical sensor that can include an RF matching network, a temperature sensor, a heater control sensor, a Langmuir probe, or an RF harmonics sensor.
Systems, methods, and devices for in-situ calibration of a second sensor use a first sensor, with the two sensors operating in different optical regimes and/or based on different optical effects. In some embodiments, the methods employ a reference wafer having two regions that have different optical properties to calibrate a temperature sensor. Prior to the in-situ calibration, the first sensor is calibrated over a range of temperatures. During the in-situ calibration, the first sensor reads a first spot in the first region of the reference wafer and a second sensor reads a second spot in the second region that is close to the first spot.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
34.
REPLACEABLE HEATER TERMINAL ASSEMBLIES FOR SUBSTRATE SUPPORTS OF SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS
A heater terminal assembly for a substrate support of a substrate processing system includes: an insulator configured to screw into a base plate of the substrate support; a socket disposed within the insulator and configured to conduct electrical current for heating a heating element disposed in the substrate support; and a heater terminal disposed within the insulator and configured to move relative to the substrate support and maintain contact with the heating element. The heater terminal conducts electrical current between the socket and the heating element.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
One example provides a method for nozzle gas flow testing. The method comprises supplying test gas to a gas flow inlet of a nozzle flow test fixture; measuring a first gas flow rate of the test gas exiting the nozzle flow test fixture through a test nozzle affixed to a test gas flow outlet; concurrently measuring a second gas flow rate of the test gas exiting the nozzle flow test fixture through a reference nozzle affixed to a reference gas flow outlet; and comparing the first gas flow rate to the second gas flow rate to determine that the test nozzle satisfies a predetermined flow condition relative to the reference nozzle.
A voltage control system is disclosed and includes: an edge ring configured to be disposed on a substrate support and surround an outer periphery of a substrate; a tunable edge sheath (TES) ring; a generator; and a controller. The TES ring includes: a TES power electrode capacitively coupled to the edge ring and configured to receive a first radio frequency (RF) voltage signal; and a TES probe electrically coupled to the edge ring and configured to detect a second RF voltage signal at the edge ring. The controller is configured to, based on the second RF voltage signal, control the generator to adjust the first RF voltage signal.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
G01R 25/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de l'angle de phase entre une tension et un courant ou entre des tensions ou des courants
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
37.
SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING AN HF RF SIGNAL TO AN UPPER ELECTRODE EXTENSION
Systems and methods for controlling a processing rate at an edge region of a plasma chamber are described. One of the systems includes a first radio frequency (RF) generator that generates a first RF signal. A first matching circuit outputs a first modified RF signal upon receiving the first RF signal. The system includes a plasma chamber having a substrate support and an upper electrode extension. The first impedance matching circuit provides the first modified RF signal to the substrate support. The upper electrode is coupled to a ground potential or to a floating potential. The system includes a second RF generator that generates a second RF signal. A second impedance matching circuit outputs a second modified RF signal upon receiving the second RF signal. The second impedance matching circuit provides the second modified RF signal to the upper electrode extension.
A method for generating a mold stack on a substrate is presented. The mold stack comprises alternating layers of silicon nitride and silicon oxide. The method comprises forming a plurality of layers of alternating silicon nitride and silicon oxide. At least one silicon nitride layer is deposited using a plurality of cycles. Each cycle comprises depositing a sublayer of silicon nitride and performing a plasma treatment without silicon nitride deposition on the sublayer of silicon nitride.
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
Metal-containing films and metal nitride films are deposited without an intervening vacuum break. In some embodiments, the films are deposited in the same chamber. In some embodiments, the metal nitride films are titanium nitride films. In the same or other embodiments, the metal-containing films may be molybdenum-containing films, such as molybdenum silicide films. Examples of applications include buried wordline (bWL) and 2D and 3D DRAM, including bottom and top electrodes. In some embodiments, the methods may be used for source/drain contacts.
Methods and apparatus are provided for etching features in a substrate used in fabricating an electronic device. The substrate includes at least one layer of a material to be etched and a mask having a plurality of openings in a layer of mask material and a mask sidewall liner comprising a liner material on sidewalls of the openings in the layer of mask material. Compared to the mask material, the liner material as a greater etch selectivity with respect to the material to be etched under plasma etch conditions.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
41.
MULTI-PLENUM GAS MANIFOLDS FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEMS
A multi-plenum gas manifold is disclosed and includes a monolithic body, a first plenum and a second plenum. The first plenum is arranged within the monolithic body and configured to distribute to or divert from one or more substrate processing stations a first gas species. The first plenum includes a first cavity and a first set of channels extending outward from the first cavity. The second plenum is arranged within the monolithic body isolated from the first plenum and configured to distribute to or divert from the one or more substrate processing stations a second gas species. The second plenum includes a second cavity disposed radially outward of the first cavity. The second set of channels extends outward from the second cavity.
A pedestal configured to deposit material on a substrate includes a stem portion of the pedestal and a base portion of the pedestal mounted to the stem portion of the pedestal. The base portion includes an array of optical elements configured to emit light to optically heat the substrate.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H10H 29/03 - Fabrication ou traitement utilisant un transfert en masse de LED, p. ex. au moyen de suspensions liquides
43.
HIGH ASPECT RATIO CARBON ETCH WITH SIMULATED BOSCH PROCESS
Various embodiments herein relate to methods and apparatus for etching a substrate. The substrate is typically a semi-conductor substrate. In various implementations, the method involves receiving the substrate in a process chamber, the substrate including a carbon layer and a mask layer positioned over the carbon layer, where the mask layer is patterned to define where the feature will be etched in the carbon layer; and exposing the substrate to a plasma to etch the feature into the carbon layer of the substrate, wherein a composition of the plasma changes over time to provide at least a deposition step, a clear step, and an etch step, and wherein the deposition step, the clear step, and the etch step are cycled with one another until the feature reaches its final depth.
Systems and methods for reverse pulsing are described. One of the methods includes receiving a digital signal having a first state and a second state. The method further includes generating a transformer coupled plasma (TCP) radio frequency (RF) pulsed signal having a high state when the digital signal is in the first state and having a low state when the digital signal is in the second state. The method includes providing the TCP RF pulsed signal to one or more coils of a plasma chamber, generating a bias RF pulsed signal having a low state when the digital signal is in the first state and having a high state when the digital signal is in the second state, and providing the bias RF pulsed signal to a chuck of the plasma chamber.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Examples are disclosed that relate to depositing a doped packaging film over a die. One example provides a method of depositing a doped packaging film over a die. The method comprises exposing the die to a precursor gas mixture, the precursor gas mixture comprises a silicon oxide precursor and one or more dopant precursors, wherein exposing the die to the precursor gas mixture deposits the doped packaging film over the die.
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
46.
IN-SITU CONTROL OF FILM PROPERTIES DURING ATOMIC LAYER DEPOSITION
Methods of providing control of film properties during atomic layer deposition using intermittent plasma treatment in-situ are provided herein. Methods include modulating gas flow rate ratios used to generate plasma during intermittent plasma treatment, toggling plasma power, and modulating chamber pressure.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
A carrier ring comprises an annular member and N grooves arranged on a surface of the annular member, where N is an integer greater than 1. The N groves extend radially from an inner edge of the surface of the annular member towards an outer edge of the surface of the annular member. A carrier ring comprises an annular member comprising N grooves, where N is an integer greater than 1; and N support assemblies mated with the N grooves, respectively, and configured to support a substrate. A carrier ring kit comprises an annular member comprising a surface and N grooves situated on the surface, where N is an integer greater than 1; and N support assemblies configured to mate with the N grooves, respectively, and to support a substrate.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
Techniques described herein relate to methods for preparing a semiconductor processing apparatus for processing substrates, as well as the resulting apparatus. In one aspect, the method includes depositing a precoat on exposed surfaces within a processing chamber of the semiconductor processing apparatus, where the precoat comprises a doped carbon film, and where the precoat is deposited on the exposed surfaces within the processing chamber in the absence of a substrate in the processing chamber. In many examples, the apparatus is configured to deposit a carbon-based material such as an ashable hardmask. In various examples, the precoat is a silicon-doped carbon film. Other types of precoats may be used in other cases.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
49.
TUNED FOCUS RING FOR UNIFORMITY IMPROVEMENT OF PLASMA-ASSISTED PROCESSES
Described herein is a plasma processing apparatus that comprises a tuned focus ring. The tuned focus ring comprises an inner sidewall having an upper portion and a lower portion extending below the upper portion, and a ledge extending from the inner sidewall between the upper portion and the lower portion. The ledge extends around a circumference of the lower portion of the inner sidewall. The upper portion of the inner sidewall extends a first height over the ledge along a first annular segment of the tuned focus ring. The upper portion extends a second height over the ledge along a second annular segment of the tuned focus ring. The first height is greater than the second height.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
50.
SYSTEMS AND TECHNIQUES FOR GAS DELIVERY FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING
In some embodiments, a system is provided. The system may have a multi-station processing chamber having a first processing station having a first gas distributor and a second processing station having a second gas distributor, a first accumulator configured to contain a first process gas pressurized above a pressure in the chamber, a first flow path spanning between, and fluidically connecting, the first accumulator and the first gas distributor, a first fast-acting valve along the first flow path configured to control the first gas flow along the first flow path and configured to open and close in 75 milliseconds or less, a second flow path spanning between, and fluidically connecting, the first accumulator and the second gas distributor, and a second fast-acting valve along the second flow path configured to control gas flow along the second flow path and configured to open and close in 75 milliseconds or less.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
51.
SEAL TO MITIGATE PARTICLE CONTAMINATION IN PLASMA CHAMBERS
A substrate support comprises a baseplate includes a recessed portion, an edge ring arranged on the recessed portion of the baseplate, a thermal interface material arranged on the recessed portion of the baseplate between the edge ring and the baseplate, and a seal arranged in the recessed portion of the baseplate along a radially inner edge of recessed portion of the baseplate.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Methods and apparatuses for etching silicon and/or germanium material relative to a contrast material using an etching plasma generated from an etching gas mixture and an additive are provided herein. Methods include etching polysilicon relative to oxide material using an etching plasma generated from an etching gas mixture and a silicon halide gas as an additive.
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A substrate processing system having a substrate processing chamber; and an ampoule, fluidically coupled therewith by a flow line having a length of at least five meters, the flow line including at least one metal delivery tube, formed from a first material, and thermally coupled with a thermal control arrangement. The substrate processing system is configured to cause at least a portion of a liquid or solid precursor contained in the ampoule to enter a gaseous state, and to deliver resulting precursor vapor through the flow line to the substrate processing chamber. The thermal control arrangement is configured to maintain temperatures along the flow line between a first temperature and a second temperature, the first temperature being higher than a condensation temperature of the precursor vapor and the second temperature being no greater than 10°C higher than the first temperature.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
Methods and apparatuses for depositing a material onto a patterned photoresist material are provided herein. Methods include exposing the patterned photoresist material to a carbon-containing deposition precursor gas and an oxygen-containing passivation gas in a plasma environment, followed by trimming using an optional oxygen-containing etching plasma.
A static mechanical simulation determines stress and deformation in a resist after development. The mechanical simulation takes patterned exposure data and post-exposure bake data as inputs to determine differential initial strain and stress in the resist. The initial strain is related to blanket volume loss that occurs in the resist as a result of exposure and post-exposure bake. Using the initial strain, film property, and geometry layout as inputs, the mechanical simulation determines or even quantifies a final stress and deformation in the resist after development. The final stress and deformation in the resist can be correlated to defect instances. Various strategies, including bulk mask optimization, pre-exposure operations, and enhanced optical proximity correction (OPC) that utilize the mechanical simulation learning, can be applied to reduce the initial strain or stress in the resist and thereby reduce defectivity after development.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage
G03F 1/36 - Masques à correction d'effets de proximitéLeur préparation, p. ex. procédés de conception à correction d'effets de proximité [OPC optical proximity correction]
G03F 1/70 - Adaptation du tracé ou de la conception de base du masque aux exigences du procédé lithographique, p. ex. correction par deuxième itération d'un motif de masque pour l'imagerie
56.
LOW TEMPERATURE DOPED POLYSI BACKSIDE DEPOSITION FILM FOR ENHANCED CHUCKING/DECHUCKING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Provided are methods for keeping a semiconductor wafer chucked to an electrostatic chuck. The semiconductor wafer may have a conductive backside layer deposited on a backside of the wafer through backside deposition. The conductive layer may be able increase the electrostatic force between the wafer and the electrostatic chuck and to counteract internal stress the wafer may have due to frontside processing, keeping the wafer substantially flat.
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p. ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
57.
CARBON FILM DEPOSITION WITH REDUCING TREATMENT AFTER SHAPING ETCH
Examples are disclosed that relate to performing a carbon film deposition process that utilizes a cyclic deposition/etch approach without forming a planarization stop layer within the carbon film. One disclosed example provides a method of depositing a carbon film on a substrate disposed in a processing chamber of a processing tool. The method comprises performing a first carbon deposition cycle to deposit a first portion of the carbon film. The method further comprises performing an oxidative etching process to shape the first portion of the carbon film. The method further comprises performing a reducing plasma treatment on the first portion of the carbon film after performing the oxidative etching process. The method further comprises performing a second carbon deposition cycle to deposit a second portion of the carbon film over the first portion of the carbon film.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
An edge ring system includes a moveable top ring and a cover ring configured to be arranged above and radially outward of the moveable top ring. The cover ring includes an annular body and a stepped portion extending radially inward from the annular body. The stepped portion is configured to extend above an outer edge of the moveable top ring. An annular recess is defined in an inner radius of the cover ring below the stepped portion. The moveable top ring includes an annular body and a curved outer radius. A ring centering portion is formed in a lower surface of the annular body and configured to center the moveable top ring on a moveable support ring.
Systems and techniques for obtaining various types of sensor information regarding operational aspects of a semiconductor processing tool are disclosed. Such systems and techniques may involve an instrumented wafer that includes one or more different types of sensors, including, for example, pressure sensors, oxygen (or other gas) sensors, humidity sensors, upward- and/or outward-facing imaging sensors or optical sensors, microphone sensors, and so forth.
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
An end effector for supporting a wafer, the end effector having a temperature sensor that is configured to sense a temperature of a wafer supported by the end effector.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
Examples are disclosed that relate to operating an electrodeposition system comprising an inert anode. In one example system, the electrodeposition system includes a substrate holder and a cathode chamber configured to hold a catholyte. An anode chamber configured to hold an anolyte during the electrodeposition process comprises an inert anode. An intermediate chamber is positioned between the cathode chamber and the anode chamber. The intermediate chamber is separated from the cathode chamber by an ion exchange membrane.
A method of etching recessed features in a silicon containing stack below a mask is provided. An etch gas is provided comprising providing a HCl gas and providing a fluorine containing gas. The etch gas is transformed into a plasma. The stack is exposed to the plasma formed from the etch gas for selectively etching the recessed features in the stack with respect to the mask.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
65.
SYSTEMS AND METHODS FOR RECOVERING RF ENERGY USING MODULAR RESONANT CIRCUITS
Systems and methods for recovering radio frequency (RF) energy using modular resonant circuits are described. One of the systems includes a plurality of modular resonant circuits. Each of the plurality of modular resonant circuits includes a diode, a switch coupled in parallel to the diode to form a parallel circuit, and an inductor coupled in series with the parallel circuit to form a series circuit. The modular resonant circuit includes a capacitor coupled to the inductor through a series diode.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
One example provides a method of etching a feature a material layer on a substrate. The method comprises forming a first portion of the feature by performing a first directional etch to a first depth in the material layer, forming an etch stop liner on sidewalls of the first portion of the feature, and forming a second portion of the feature by performing a second directional etch to a second depth in the material layer, followed by performing an isotropic etch.
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A system comprises a substrate support comprising a cooling channel, a coolant supply configured to supply a coolant, and a flow control system configured to receive the coolant from the coolant supply and to supply the coolant to the cooling channel and to selectively divert a portion of the coolant from flowing to the cooling channel. The flow control system comprises a valve and a meter. The valve is configured to receive coolant fluid from a coolant supply, to supply a first portion of the coolant fluid to a cooling channel in a substrate support, and to selectively divert a second portion of the coolant fluid from flowing to the cooling channel. The meter is configured to collect coolant flow rate information from the valve, and the flow control system is configured to divert a portion of the coolant fluid to the coolant supply based on the information.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
A sensor includes a first layer of a first insulating material, a second layer including a grid of wires, and a third layer including a mesh of a second insulating material arranged on the second layer. The wires include insulated conductors arranged on the first layer. The grid of wires includes first wires arranged along a first axis, second wires arranged along a second axis intersecting the first axis, and third wires arranged along the first axis. Portions of the first, second, and third wires are partially uninsulated to partially expose respective conductors in regions where the first, second, and third wires intersect. Partially insulated portions of the first, second, and third wires where the first, second, and third wires intersect lie between the partially exposed respective conductors.
G01M 3/16 - Examen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection de la présence du fluide à l'emplacement de la fuite en utilisant des moyens de détection électrique
G01M 3/18 - Examen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection de la présence du fluide à l'emplacement de la fuite en utilisant des moyens de détection électrique pour tuyaux, câbles ou tubesExamen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection de la présence du fluide à l'emplacement de la fuite en utilisant des moyens de détection électrique pour raccords ou étanchéité de tuyauxExamen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation d'un fluide ou en faisant le vide par détection de la présence du fluide à l'emplacement de la fuite en utilisant des moyens de détection électrique pour soupapes
G01M 3/40 - Examen de l'étanchéité des structures ou ouvrages vis-à-vis d'un fluide par utilisation de moyens électriques, p. ex. par observation de décharges électriques
69.
ROTATIONAL INDEXERS WITH WAFER CENTERING CAPABILITY
Rotational indexers are provided that allow for wafer-by-wafer centering to be performed in association with each wafer pedestal-to-pedestal transfer operation within a multi-station chamber. One such rotational indexer has a rotational center axis that is movable along one or more lateral directions in order to provide wafer centering capability; sealing arrangements with lateral movement capability are provided for such implementations. Another such rotational indexer uses additional rotational capability at the wafer supports of the indexer, in combination with deliberate off-center placement of the wafers on the wafer supports of the indexer, to provide wafer centering capability. Other rotational indexers in which the wafer supports are able to be moved radially inward or outward from the center axis of the rotational indexer in order to perform wafer centering are also described.
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/14 - Dépôt d'un seul autre élément métallique
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
71.
DOWNSTREAM EXHAUSTING OF GASES DURING MAINTENANCE OF SUBSTRATE PROCESSING CHAMBERS
An exhaust system for a process chamber of a substrate processing system includes: a primary exhaust path connected to the process chamber and including a first one or more valves and a first pump, where the first pump is configured to pump gases from the process chamber; a secondary exhaust path connected to at least one of the process chamber and the primary exhaust path, where the secondary exhaust path includes a second one or more valves; and at least one controller configured to open the first one or more valves and run the first pump to pump out and purge the process chamber during a pump out and purge mode and open the second one or more valves to remove gases from the process chamber during a maintenance exhaust mode.
Methods for processing of semiconductor substrates are provided. A method includes providing, to a processing chamber, a semiconductor substrate including a metal-containing patterned photoresist mask layer disposed thereon. In some embodiments, the pattern is a line-space pattern. In some embodiments, the method further includes exposing the semiconductor substrate to a reactive ion beam including at least one reactive gas in a direction parallel or substantially parallel to a pattern in the metal-containing patterned photoresist mask layer.
A system and method for generating a radio frequency (RF) waveform are described. The method includes defining a train of on-off pulses separated by an off state having no on-off pulses. The method further includes applying a multi-level pulse waveform that adjusts a magnitude of each of the on-off pulses to generate an RF waveform. The method includes sending the RF waveform to an electrode.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H03K 4/92 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins avec une forme d'onde comprenant une portion de sinusoïde
Methods for etching features into carbon material using a doped tungsten-containing mask, such as a boron-doped tungsten material. to reduce and eliminate redeposition of silicon-containing residues are provided herein. Methods involve de-positing a doped tungsten-containing material over the carbon material prior to etching the carbon material, patterning the doped tungsten-containing material to form a doped tungsten-containing mask, and using the patterned doped tungsten-containing mask to etch the carbon material such that the use of a silicon-containing mask during etch of the carbon material is eliminated.
H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
Semiconductor manufacturing machines; semiconductor
substrates manufacturing machines; semiconductor wafer
processing equipment; semiconductor wafer processing
machines; replacement parts and fittings for all of the
aforementioned goods; machine parts, namely, etch chambers
sold as an integral part of semiconductor manufacturing
machines; machine parts, namely, processing chambers sold as
an integral part of semiconductor manufacturing machines;
semiconductor manufacturing machine parts, namely,
processing chambers; semiconductor manufacturing machine
parts, namely etch chambers.
76.
PLASMA ENHANCED LOW TEMPERATURE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF METALS
Provided are reduced-temperature plasma enhanced atomic layer deposition processes including application of a thin metal layer by contacting a substrate surface at temperatures of 300° C. or lower with a metal precursor and a plasma of a hydrogen-containing gas source generated directly or remotely.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A composite nanocrystalline silicon layer can be formed by depositing a polycrystalline silicon sublayer directly or indirectly on a substrate. An amorphous silicon sublayer is deposited on the polycrystalline silicon sublayer. The composite nanocrystalline silicon layer can be formed by repeating the deposition of the polycrystalline silicon sublayer and the amorphous silicon sublayer.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/507 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes externes, p. ex. dans des réacteurs de type tunnel
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
Fluidic disconnects and apparatuses are provided. Some fluidic disconnects have an upper manifold configured to be positioned in an upper portion of a semiconductor processing tool and a lower manifold configured to be positioned in a lower portion of the tool below the upper portion. A first port of the upper manifold and a third port of the lower manifold are configured to fluidically and physically connect with, and fluidically and physically disconnect from, each other without using O-rings and when connected, fluidically connect a first internal gas flow path with a third internal gas flow path, and a second port of the upper manifold and a fourth port of the lower manifold are configured to fluidically and physically connect with, and fluidically and physically disconnect from, each other without using O-rings and when connected, fluidically connect a second internal gas flow path with a fourth internal gas flow path.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
F16L 19/02 - Extrémités de tuyaux pourvues de colliers ou de brides formant corps ou non avec les tuyaux, maintenues en contact par un organe vissé
F16L 19/07 - Raccords dans lesquels les surfaces d'étanchéité sont maintenues en contact par un organe, p. ex. un écrou à oreilles vissé dans, ou vissé sur une des parties du raccord dans lesquels le serrage radial est obtenu par une action de coincement entre les extrémités non déformées du tuyau conçus pour les raccordements à douille ou à manchon
79.
HYBRID PLASMA CHAMBER WITH SPLIT TOP ELECTRODE TO REDUCE ION TILTING AND PLASMA NON-UNIFORMITY
A system for generating plasma. The system including a plasma chamber configured for generating plasma, wherein the plasma chamber includes a lower electrode located within an electrostatic chuck (ESC) having a central axis in a vertical direction. The system including a split top electrode disposed above the lower electrode, wherein the split top electrode includes a main electrode and an outer electrode surrounding the main electrode in a horizontal direction referenced to the central axis. The system including a dielectric separating the main electrode and the outer electrode. The system including at least one transformer coupled plasma (TCP) coil vertically disposed over the split top electrode. The system including an edge ring surrounding the lower electrode and ESC in the horizontal direction.
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
80.
APPARATUS AND METHOD FOR MODULATING SPATIAL DISTRIBUTION OF PLASMA AND ION ENERGY USING FREQUENCY-DEPENDENT TRANSMISSION LINE
A system includes a chamber comprising first and second regions. The chamber is configured to produce and contain a plasma in the second region. The system includes a transmission line positioned in the first region. The transmission line includes a plurality of sections, wherein an individual section of the plurality of sections includes one or more L-C filters which have respective cut-off frequencies. The transmission line includes a transmission line input. A signal source electrically is coupled to the transmission line input to feed an input signal to the transmission line input. The one or more L-C filters pass low frequency components of the input signal but localize high frequency components of the input signal to selected sections of the transmission line.
Systems and methods for calibrating radio frequency (RF) generators are described. One of the methods includes receiving a plurality of analog measurement signals from a plurality of RF sensors to output a plurality of digital signals. The plurality of analog signals are received by an analytical controller. The method further includes calibrating, in a simultaneous manner, the RF generators based on the plurality of digital signals. The RF generators are calibrated by a process controller.
The invention relates to a method for manufacturing a doped wurtzite aluminum nitride piezoelectric thin film material, which method comprises the steps of: providing a deposition device, such as a pulsed lased deposition device or a physical vapor deposition device, with a target and a substrate, wherein the target material is a doped aluminum nitride composite, wherein the doping element is a rare earth element, preferably scandium; depositing a first layer of the target material on the substrate by operating the deposition device, wherein the kinetic energy of the plasma particles being deposited is above a first threshold value; depositing a second layer of the target material on top of the first layer by operating the deposition device, wherein the kinetic energy of the plasma particles being deposited is below a second threshold value and wherein the first threshold value is larger than the second threshold value.
H10N 30/076 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
Methods and apparatuses for depositing metals on interconnects for dual damascene structures in back-end-of-line substrates are provided. The methods include deposition of an organometal- containing film by a chlorine- free organometal precursor on an interconnect and conversion of the organometal-containing film to a metal oxide with an oxidant. The metal oxide is then reduced to form a diffusion layer over the interconnect. The method also includes further metal deposition over the diffusion layer formed by the conversion.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/08 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir d'halogénures métalliques
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
Examples are disclosed that relate to controlling a width of a feature as a function of depth when etching the feature. One example provides a method of etching a feature in a substrate. The method comprises performing a plurality of etching cycles, each etching cycle comprising performing a directional etch step in which a liner is formed along a sidewall of the feature using a liner-forming substance, and performing an isotropic etch step to widen the feature at an etch front of the feature.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Multi-zone showerheads featuring multiple gas distribution zones including an interior region or zone and one or more perimeter zones or regions, with first gas distribution ports distributed across both the interior region or zone and the one or more perimeter zones or regions. The first gas distribution ports in each respective zone or region may be provided one or more gases via separate flow paths internal to the showerhead, thereby allowing for segregated gas delivery to the different zones or regions. Optional second gas distribution ports may also be included that may provide for gas flow through the showerhead, e.g., from one side of the showerhead to the other.
A system includes a chamber configured to produce and contain a plasma. The system includes a transmission line positioned in the chamber. The transmission line includes a transmission line input and includes an output coupled to a common potential. The system includes a signal source coupled to the transmission line input to feed an input signal to the transmission line. The system includes a surge protection circuit coupled between the transmission line input and the common potential. An impedance of the surge protection circuit is inversely related to a voltage level at the transmission line input.
A method of cleaning residue containing ruthenium (Ru) residue on at least one surface of a component of a semiconductor processing chamber is provided. The residue is exposed to a Ru cleaning composition comprising at least one of hypochlorite and O3 based chemistries, wherein the Ru cleaning composition removes the Ru residue.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
89.
SYSTEMS AND METHODS FOR CREATING AN IEDF USING A NON-SINUSOIDAL GENERATOR
An ion energy distribution function (IEDF) control method, an IEDF controller, and an IEDF system are described. The IEDF method includes receiving a center of an ion energy distribution function, receiving a first extent of an overcompensated spread from the center, and receiving a second extent of an undercompensated spread from the center. The IEDF method further includes receiving a first slope of the overcompensated spread, receiving a second slope of the undercompensated spread, and identifying, based on the first extent, the second extent, the first slope, and the second slope, a combination of values of ion flux compensation to be achieved using a non-sinusoidal bias (NSB) voltage source. The IEDF method includes controlling the NSB voltage source to generate a non-sinusoidal voltage waveform having the combination of values of ion flux compensation.
40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau
Produits et services
Rental of semiconductor manufacturing machines; rental of semiconductor substrates manufacturing machines; rental of semiconductor wafer processing equipment; rental of semiconductor wafer processing machines; rental of industrial robots for use in manufacturing; rental of industrial robots in the field of semiconductor manufacturing; rental of industrial robots in the form of robotic arms for semiconductor manufacturing; rental of industrial robots for the maintenance and operation of semiconductor manufacturing machines, semiconductor substrates manufacturing machines, and semiconductor wafer processing machines
A parasitic plasma suppressor configured to suppress (or at least reduce) the generation of parasitic plasma outside an intended region, such as suppress the generation of parasitic plasma in areas adjacent a pedestal in a processing chamber of a plasma-enhanced processing system.
Techniques for provision of RF signals to a multi-station fabrication chamber are provided. In some embodiments, a system may include: a first high frequency match circuit configured to perform impedance matching between a first high frequency RF source and a first subset of process stations; and a second high frequency match circuit configured to perform impedance matching between a second high frequency RF source and a second subset of the process stations. The system may include a first splitter/combiner configured to: receive a low frequency RF signal; and combine the low frequency RF signal and the first impedance matched high frequency RF signal to generate a first combined RF signal. The system may include a second splitter/combiner configured to: receive the low frequency RF signal; and combine the low frequency RF signal and the second impedance matched high frequency RF signal to generate a second combined RF signal.
Methods and apparatuses for selectively etching dielectric material having variable germanium content are provided herein. The method comprises providing a substrate having a first material and a second material, wherein germanium content of the first material is less than the germanium content of the second material, introducing flow of a gas mixture to a process chamber housing the substrate, and after introducing the flow of the gas mixture, introducing flow of a halogen source to the process chamber in a plasma-free environment to thermally etch the first material selectively relative to the second material.
H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
95.
PULSED DC SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING ETCH RATE USING AN LC CIRCUIT
A system includes a pulsed direct current (DC) source. The pulsed DC source generates a DC voltage signal. The system includes an inductor-capacitor (LC) circuit coupled to the pulsed DC source to receive the DC voltage signal to output a square waveform voltage. The system further includes a high frequency (HF) radio frequency (RF) generator that generates an RF waveform. The system includes an impedance matching circuit coupled to the HF RF generator to receive the RF waveform to output a modified RF waveform. The LC circuit is coupled to the impedance matching circuit at a point to combine the modified RF waveform with the square waveform voltage. The modified RF waveform is combined with the square waveform voltage to output a modified square waveform voltage. The system includes a plasma chamber coupled to the point to receive the modified square waveform voltage.
A first plasma exclusion zone (PEZ) ring is disclosed and includes a body and at least one channel in the body. The body includes a first side, a second side, and a third side. The first side is configured to abut a ground electrode and guide one or more process gases to an area radially outward of a bevel edge of a substrate. The second side is opposite the first side and configured to abut a dielectric component or a substrate support. The third side is configured to face the substrate. The at least one channel is configured to direct a first one or more tuning gases to a bevel edge region on the substrate.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
97.
REACTING RADICAL SPECIES WITH UNDEPOSITED FILM PRECURSOR
Examples are disclosed that relate to systems and methods for removing undeposited film precursors from a processing tool. One disclosed example provides a method of operating a processing tool. The method comprises introducing a precursor into a plasma in a processing chamber of the processing tool to deposit a film on a substrate in the processing chamber. While introducing the precursor into the plasma in the processing chamber, radical species formed in a remote plasma are introduced into a pumping path of the processing tool to react with undeposited precursor from the processing chamber.
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
98.
COATING SURFACES WITHIN A PUMPING PATH OF A PROCESSING TOOL
Systems and methods are disclosed for applying a coating to surfaces within a pumping path of an exhaust system of a processing tool. In one example, a method comprises introducing a coating precursor mixture into the pumping path and introducing a reactant gas mixture into a remote plasma generator fluidically coupled to the exhaust system. Radical species of the reactant gas mixture are generated at the remote plasma generator. The radical species of the reactant gas mixture are flowed into the pumping path. The coating precursor and the reactive species of the reactant gas mixture are reacted within the pumping path to form the coating on the surfaces.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
Techniques for utilizing infrared data in conjunction with semiconductor fabrication processes are provided. In some embodiments, the techniques may involve receiving data from one or more infrared sensors associated with a process station. The techniques may further involve determining infrared temperature data and/or emissivity data. The techniques may further involve determining at least one of: 1) temperature information associated with one or more components of the process station; or 2) thickness information indicating a thickness of deposited materials on components of the process station or on a surface of a substrate undergoing processing using the infrared temperature data and/or the emissivity data. The techniques may further involve determining whether the temperature information and/or the thickness information is out of a target specification. The techniques may further involve taking at least one corrective action.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
100.
PROCESS NAVIGATOR FOR DOE RESULTS CHECKING IN VIRTUAL FABRICATION PLATFORM
Techniques for viewing virtual metrology data are provided. Virtual metrology data may be generated using trained models or simulation algorithms. A user interface may receive requests to view virtual metrology data. The virtual metrology data may be generated and/or retrieved in response to the request. An interactive user interface is displayed with the virtual metrology data. The interactive user interface facilitates viewing different virtual metrology data based on received selections.
G05B 19/418 - Commande totale d'usine, c.-à-d. commande centralisée de plusieurs machines, p. ex. commande numérique directe ou distribuée [DNC], systèmes d'ateliers flexibles [FMS], systèmes de fabrication intégrés [IMS], productique [CIM]
G06F 3/04815 - Interaction s’effectuant dans un environnement basé sur des métaphores ou des objets avec un affichage tridimensionnel, p. ex. modification du point de vue de l’utilisateur par rapport à l’environnement ou l’objet
