Tronics Microsystems S.A.

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Juridiction
        International 8
        États-Unis 1
Date
2021 1
Avant 2020 8
Classe IPC
B81B 7/00 - Systèmes à microstructure 3
G01C 19/5747 - Details de structure ou topologie les dispositifs ayant deux masses de détection en mouvement en opposition de phase chaque masse de détection étant reliée à une masse d'entraînement, p. ex. cadres d'entraînement 3
B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat 2
G01C 19/5712 - Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p. ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe les dispositifs comportant une structure micromécanique 2
B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques 1
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Résultats pour  brevets

1.

METHOD FOR MANUFACTURING A PLURALITY OF RESONATORS IN A WAFER

      
Numéro d'application IB2020058551
Numéro de publication 2021/053501
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-09-15
Date de publication 2021-03-25
Propriétaire
  • RICHEMONT INTERNATIONAL SA (Suisse)
  • TRONIC' S MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Tobenas Borron, Susana Del Carmen
  • Heraud, Alexis
  • Ribetto, Luca
  • Wenk, Béatrice
  • Socquet, Nelly

Abrégé

A method for manufacturing a plurality of mechanical resonators (100) in a manufacturing wafer (10), the resonators being intended to be fitted to an adjusting member of a timepiece, the method comprising the following steps: (a) manufacturing a plurality of resonators in at least one reference wafer according to reference specifications, such manufacture comprising at least one lithography step to form patterns of the resonators on or above the reference wafer and a step of machining in the reference plate using the patterns; (b) for the at least one reference plate, establishing a map indicative of the dispersion of stiffnesses of the resonators relative to an average stiffness value; (c) dividing the map into fields and determining a correction to be made to the dimensions of the resonators for at least one of the fields in order to reduce the dispersion; (d) modifying the reference specifications for the lithography step so as to make the corrections to the dimensions for the at least one field in the lithography step; (e) manufacturing resonators in a manufacturing wafer using the modified specifications.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
  • B81C 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
  • G04B 17/06 - Oscillateurs à spiral, p. ex. balancier
  • G04D 7/10 - Appareils de mesure, de comptage, d'étalonnage, de test ou de réglage pour les spiraux

2.

MEMS device with getter layer

      
Numéro d'application 14890852
Numéro de brevet 09884756
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-06-05
Date de la première publication 2016-04-21
Date d'octroi 2018-02-06
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Cuzzocrea, Julien
  • Collet, Joël

Abrégé

A MEMS device comprises a first layer (1), a second layer (2) and a third layer (3) sealed together. A mobile structure (7.1, 7.2) in the second layer (2) is defined by openings (8.1, 8.2) in the second layer (2). In the first layer (1), there is at least one first-layer cavity (6.1, 6.2) with an opening towards the mobile structure (7.1, 7.2) of the second layer (2). In the third layer (3), there is at least one third-layer cavity (9) with an opening towards the mobile structure (7.1, 7.2) of the second layer (2). Therefore, the third-layer cavity (9) and the second layer (2) define a space within the MEMS device, A getter layer (10.1, 10.2) arranged on a surface of said space. The getter layer (10.1, 10.2) is preferably arranged on a surface of the second layer (2) and in particular, the getter layer (10.1, 10.2) is arranged on a static part of the second layer (2). Alternatively, the MEMS device has a third-layer cavity (24) with at least two recesses (25.1, 25.2, 25.3) and the getter layer (26.1, 26.2, 26.3) is arranged on a surface of the recesses (25.1, 25.2, 25.3).

Classes IPC  ?

  • B81B 7/00 - Systèmes à microstructure
  • B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat

3.

MEMS SENSOR FOR MEASURING Z-AXIS ANGULAR RATE

      
Numéro d'application EP2014003325
Numéro de publication 2015/090542
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-12-11
Date de publication 2015-06-25
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Kergueris, Christophe
  • Ribetto, Luca
  • Signoretti, Riccardo

Abrégé

A micromechanical sensor device for measuring z-axis angular rate comprises a substrate (1) defining a substrate plane and a z-axis perpendicular to the substrate plane. A first vibratory structure (104a) has a first shuttle-mass (105a) and a first proof-mass (106a), the first proof-mass (106a) being coupled to the first shuttle-mass (105a) by a first sense- mode spring (1 10a-d). There is a second vibratory structure (104b) in a mirror-symmetrical setup (except for the electrodes). A first and second suspension structure suspends the first and second shuttle-mass (105a,b) above the substrate (1) flexibly in drive-mode direction (x). The first and second shuttle-masses (105a, 105b) are suspended above the substrate for movement at least in drive-mode direction (x), wherein drive-mode direction and sense-mode direction are parallel to the substrate plane. Further more, the first and second vibratory structures (104a, 104b) are elastically coupled to each other. The device has separate structural elements (107a-d, 109a-d; 108a-d) for separately defining at least one of the following pairs of frequencies: (1) the anti-phase frequency and the in- phase/anti-phase frequency separation of the drive-mode, (2) the anti-phase frequency and the in-phase/anti-phase frequency separation of the sense-mode

Classes IPC  ?

  • G01C 19/5747 - Details de structure ou topologie les dispositifs ayant deux masses de détection en mouvement en opposition de phase chaque masse de détection étant reliée à une masse d'entraînement, p. ex. cadres d'entraînement

4.

MEMS DEVICE WITH GETTER LAYER

      
Numéro d'application EP2014001525
Numéro de publication 2014/198393
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-06-05
Date de publication 2014-12-18
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Cuzzocrea, Julien
  • Collet, Joël

Abrégé

A MEMS device comprises a first layer (1), a second layer (2) and a third layer (3) sealed together. A mobile structure (7.1, 7.2) in the second layer (2) is defined by openings (8.1, 8.2) in the second layer (2). In the first layer ( 1), there is at least one first-layer cavity (6.1, 6.2) with an opening towards the mobile structure (7.1, 7.2) of the second layer (2). In the third layer (3), there is at least one third-layer cavity (9) with an opening towards the mobile structure (7.1, 7.2) of the second layer (2). Therefore, the third-layer cavity (9) and the second layer (2) define a space within the MEMS device, A getter layer (10.1, 10.2) arranged on a surface of said space. The getter layer (10.1, 10.2) is preferably arranged on a surface of the second layer (2) and in particular, the getter layer (10.1, 10.2) is arranged on a static part of the second layer (2). Alternatively, the MEMS device has a third-layer cavity (24) with at least two recesses (25.1, 25.2, 25.3) and the getter layer (26.1, 26.2, 26.3) is arranged on a surface of the recesses (25.1, 25.2, 25.3).

Classes IPC  ?

5.

MEMS-SENSOR

      
Numéro d'application EP2014001373
Numéro de publication 2014/191092
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2014-05-21
Date de publication 2014-12-04
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Boillot, François-Xavier
  • Laoubi, Rémi

Abrégé

A sensor for measuring physical parameters such as acceleration, rotation, magnetic field, comprises a substrate (13) defining a substrate plane and at least one sensing plate (11, 12) suspended above the substrate (13) for performing a movement having at least a first component in a sensing direction. The sensing direction is orthogonal to the substrate plane. There is at least one detection arm (14.1, 14.2) that is suspended above the substrate (13) for performing a rotational movement about a rotation axis parallel to the substrate plane. An out-of-plane coupling structure (17.1, 17.4) is used to couple the first component of the movement of said sensing plate (11, 12) to said detection arm (14.1, 14.2) for generating the rotational movement of the detection arm (14.1, 14.2). A rotation detection structure cooperates with the detection arm (14.1, 14.2) for detecting the rotational movement of the detection arm (14.1, 14.2) with respect to the substrate plane. A pivot element (17.2, 17.3) is arranged at a distance from the out-of-plane coupling structure (17.1, 17.4), said pivot element (17.2, 17.3) coupling the sensing plate to a geometric reference plane (19), which is at a fixed distance above the substrate plane, so that the sensing plate (11, 12) performs a tilting out-of-plane movement.

Classes IPC  ?

  • B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
  • G01C 19/5747 - Details de structure ou topologie les dispositifs ayant deux masses de détection en mouvement en opposition de phase chaque masse de détection étant reliée à une masse d'entraînement, p. ex. cadres d'entraînement
  • G01P 15/08 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques

6.

MICROMECHANICAL Z-AXIS GYROSCOPE

      
Numéro d'application EP2013003708
Numéro de publication 2014/094996
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-12-09
Date de publication 2014-06-26
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Kergueris, Christophe
  • Gigan, Olivier
  • Pisella, Christian
  • Yang, Yongjun
  • Li, Bo
  • Xu, Shujing

Abrégé

A micromechanical sensor device for measuring angular z-axis motion comprises two vibratory structures (2.1, 2.2, 7.1, 7.2) each having at least one proof mass (2.1, 2.2). A suspension structure (3.1, 4.1, 4.2, 5.1, 6.1,.... 6.4) maintains the two vibratory structures (2.1, 2.2, 7.1, 7.2) in a mobile suspended position above the substrate ( 1) for movement parallel to the substrate plane in drive-mode direction (x-axis) and in sense-mode direction (y-axis). A coupling support structure (4.1, 4.2) connects the coupling structure (5.1, 5.2, 6.1,... 6.4) to an anchor structure (3.1, 3.2) and enables a rotational swinging movement of the coupling structure (5.1, 5.2), the rotational swinging movement having an axis of rotation that is perpendicular to the substrate plane. Each of the vibratory structures (2.1, 2.2, 7.1, 7.2) comprises at least one shuttle mass (7.1, 7.2) coupled to the at least one proof mass (2.1, 2.2) by sense-mode springs (8.1, 8.4), which are more flexible in sense-mode direction than in drive-mode direction (x), for activating a vibration movement of each vibratory structure (2.1, 2.2, 7.1, 7.2). A sensing electrode structure ( 10.1, 10.2) for each proof mass (2.1, 2.2) is designed for detecting sense-mode movements that are parallel to the substrate plane, The coupling support structure (4.1, 4.2) is designed to also enable a translational movement of the coupling structure (5. 1, 5.2, 6. 1,... 6.4) in drive- mode direction (x).

Classes IPC  ?

  • G01C 19/5747 - Details de structure ou topologie les dispositifs ayant deux masses de détection en mouvement en opposition de phase chaque masse de détection étant reliée à une masse d'entraînement, p. ex. cadres d'entraînement

7.

WAFER LEVEL PACKAGE WITH GETTER

      
Numéro d'application EP2013003488
Numéro de publication 2014/079560
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-11-19
Date de publication 2014-05-30
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s)
  • Gigan, Olivier
  • Gaff, Vincent

Abrégé

A wafer level package comprises at least two self-supporting elements (1, 5) connected to each other for forming a hollow inside space (8.1,..., 8.7). An opening (3.1,..., 3.7) connects the hollow inside space to an outside surface of the at least two elements (1, 5). A getter material (4.1,..., 4.7) is provided at an outside main surface (1.1) of the two self- supporting elements (1, 5). The getter material (4.1,..., 4.7) may be provided at the outer main face of the cap element and may form a layer covering the predominant part of the said outer surface. The wafer level package may be used for housing a mobile structure (7.1,.... 7.7) of a MEMS device. The wafer level package is placed in a sealed housing with a housing space.

Classes IPC  ?

  • H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
  • H01L 23/057 - ConteneursScellements caractérisés par la forme le conteneur étant une structure creuse ayant une base isolante qui sert de support pour le corps semi-conducteur les connexions étant parallèles à la base
  • H01L 23/10 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau ou par la disposition des scellements entre les parties, p. ex. entre le couvercle et la base ou entre les connexions et les parois du conteneur
  • H01L 23/26 - Matériaux de remplissage caractérisés par le matériau ou par ses propriétes physiques ou chimiques, ou par sa disposition à l'intérieur du dispositif complet incluant des matériaux destinés à absorber ou à réagir avec l'humidité ou d'autres substances indésirables
  • B81B 7/00 - Systèmes à microstructure
  • B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat

8.

MULTIAXIAL MICRO-ELECTRONIC INERTIAL SENSOR

      
Numéro d'application EP2012005288
Numéro de publication 2013/091866
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-12-20
Date de publication 2013-06-27
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s) Leclerc, Jacques

Abrégé

A resonator micro-electronic inertial sensor, preferably a micro-electromechanical system (MEMS) sensor (e.g. a gyro), for detecting linear accelerations and rotation rates in more than one axis comprises: ・a proof-mass system (21.1, 21.4) flexibly suspended above a substrate for performing a rotational in-plane vibration about a central axis (24,) • a drive electrode system (D 1,.... D4) for driving the proof-mass system (21.1,.... 21.4) to perform said rotational in-plane vibration, • and a sensing electrode system (S 1, S8) connected to the proof-mass system (21.1,.... 21.4) for detecting linear accelerations or rotation rates in more than one axis. Said proof-mass system (21.1 21.4) has more than two proof-mass elements flexibly coupled (25.1a, 25.1 b) to each other. Each proof-mass element (21.1, 21.2) is directly and flexibly connected (23. 1, 25.1 a, 25.1 b) to an anchor structure (22) on the substrate (32). The proof-mass elements (21.1,.... 21.4) are preferably arranged In a ring-shaped configuration between an inner and an outer radius (R1, R2) with respect to the central axis (24).

Classes IPC  ?

  • G01C 19/5712 - Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p. ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe les dispositifs comportant une structure micromécanique
  • G01P 15/18 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions

9.

A MICRO-ELECTROMECHANICAL GYRO DEVICE

      
Numéro d'application IB2012001984
Numéro de publication 2013/041959
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2012-09-20
Date de publication 2013-03-28
Propriétaire TRONICS MICROSYSTEMS S.A. (France)
Inventeur(s) Leclerc, Jacques

Abrégé

A resonator micro-electronic gyro, preferably a micro-electromechanical system (MEMS) gyro comprises a first and a second resonator mass (1, 2) suspended for rotational vibration. The two masses (1, 2) are flexibly connected by four mechanical coupling elements (4, 5, 6, 7) for anti-phase vibration. There is at least one positive and at least one negative sensing electrode (S11+, S11-, S21+, S21-) on each resonator mass (1, 2) for detecting an out-of-plane output movement of the masses (1, 2). A detection circuit is connected to be said positive and negative sensing electrodes and determines the output signal by differential detection of the signals on the basis of the following formula: Sxout = ({S21 +} - M{S 11 +}) - ({S21-} - M{S 11-}), wherein {S21+}, {S21-} sensing electrode signals of the positive and negative detection electrode of the second mass, respectively; {S11+}, {S11-} sensing electrode signals of the positive and negative detection electrode of the first mass, respectively, μ = compensation factor.

Classes IPC  ?

  • G01C 19/5712 - Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p. ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis utilisant des masses entraînées dans un mouvement de rotation alternatif autour d'un axe les dispositifs comportant une structure micromécanique