An apparatus for supporting and maneuvering a wafer comprises a handle having a gas inlet adapted to couple to a gas supply, a supporting surface coupled to the handle section including a frame structure having edge segments connecting at vertices and spoke elements extending from a center of the frame structure to the vertices, a gas supply channel coupled to the gas inlet that extends from the handle and branches into channels that run through the spoke elements, and a plurality of nozzles positioned at the vertices on the supporting surface and coupled to the channels in the spoke elements. Gas provided to the plurality of nozzles exits the nozzles in a stream directed parallel to the supporting surface and the stream of gas generates forces that enable wafers to be securely supported in a floating manner over the supporting surface without coming into direct contact with the supporting surface.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
B65G 25/02 - Transporteurs comportant un porte-charges ou un impulseur à mouvement cyclique, p. ex. à va-et-vient, désengagé de la charge pendant le mouvement de retour le porte-charges ou l'impulseur ayant des courses aller et retour différentes, p. ex. transporteurs à balancier
B65G 47/90 - Dispositifs pour saisir et déposer les articles ou les matériaux
B65G 47/91 - Dispositifs pour saisir et déposer les articles ou les matériaux comportant des pinces pneumatiques, p. ex. aspirantes
B65G 49/07 - Systèmes transporteurs caractérisés par leur utilisation à des fins particulières, non prévus ailleurs pour des matériaux ou objets fragiles ou dommageables pour des plaquettes semi-conductrices
An apparatus for supporting and maneuvering a wafer comprises a handle having a gas inlet adapted to couple to a gas supply, a supporting surface coupled to the handle section including a frame structure having edge segments connecting at vertices and spoke elements extending from a center of the frame structure to the vertices, a gas supply channel coupled to the gas inlet that extends from the handle and branches into channels that run through the spoke elements, and a plurality of nozzles positioned at the vertices on the supporting surface and coupled to the channels in the spoke elements. Gas provided to the plurality of nozzles exits the nozzles in a stream directed parallel to the supporting surface and the stream of gas generates forces that enable wafers to be securely supported in a floating manner over the supporting surface without coming into direct contact with the supporting surface.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
3.
AN APPARATUS AND METHOD FOR THE MINIMIZATION OF UNDERCUT DURING A UBM ETCH PROCESS
A semiconductor etch process is provided in which an undercut is minimized during an etch process through tight control of etch profile, recognition of etch completion, and minimization of over etch time to increase productivity.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet
G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
A device for spraying substrates comprises a longitudinal extending fluid dispensing head coupled to a supply of fluid and including a perpendicularly extending flange, a spacer having first and second ends, the first end of the spacer coupled to the extending flange of the dispensing head, a nozzle adapted to eject fluid coupled to the second end of the spacer, and a locking nut enclosing the spacer and securely the dispensing head, spacer and nozzle.
B05B 1/00 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage
B05B 1/02 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage agencés pour produire un jet, un pulvérisat ou tout autre écoulement de forme ou de nature particulière, p. ex. sous forme de gouttes individuelles
B05B 1/12 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage capables de produire différents types d'écoulements de sortie, p. ex. sous forme d'un jet ou d'un pulvérisat
B05B 1/30 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage agencés pour commander un débit, p. ex. à l'aide de conduits de section réglable
B05B 3/00 - Appareillages de pulvérisation ou d'arrosage avec des éléments de sortie mobiles ou des éléments déflecteurs mobiles
B05B 7/02 - Pistolets pulvérisateursAppareillages pour l'évacuation
B08B 3/00 - Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation ou la présence d'un liquide ou de vapeur d'eau
5.
DISPENSING ARM HEAD HAVING POINT OF DISPENSE RECIRCULATION MODE
A dispense arm device for controllably discharging a fluid onto a substrate includes a dispense head coupled to and contained within an arm portion of the dispense arm device, wherein the dispense head having a valve assembly that is configured to operate in: (1) a recirculation mode in which a dispense outlet formed in the dispense head is closed off and a recirculation path is opened for allowing heated chemistry that is delivered to the dispense head to be delivered back from the dispense head to a remote location (e.g., a recycle tank); and (2) a dispense mode in which the dispense outlet is opened to allow heated chemistry to be discharged from the dispense head and the recirculation path is closed off.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
6.
CONFIGURABLE HIGH TEMPERATURE CHUCK FOR USE IN A SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM
A reconfigurable wafer spin chuck for supporting a wafer includes a rotatable chuck base having a first opening formed therein and including one or more support members extending upwardly therefrom. The spin chuck is reconfigurable between a first chuck type and a second chuck type, wherein the first chuck type comprises a non-contact wafer type chuck and the second chuck type comprises an open backside frame type chuck. In the non- contact wafer type chuck, a first insert is mounted to the chuck base and supported by the one or more support members and in the open backside frame type chuck, a second insert is mounted to the chuck base and supported by the one or more support members. The wafer is spaced a first distance from the first insert and is spaced a second distance from the second insert, the second distance being greater than the first distance.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
B05C 13/02 - Moyens pour manipuler ou tenir des objets, p. ex. des objets individuels pour des objets particuliers
The wafer processing system includes a rotatable wafer support member for supporting a wafer and a plurality of collections trays disposed about a peripheral edge of the wafer support member. The collection trays are arranged in a stacked configuration, each collection tray having an inner wall portion and an outer wall portion that converge to define a trough section for collecting fluid. The system includes a chamber exhaust outlet that is formed in the housing for venting gas from the interior of the housing outside of the collection trays and a chemical exhaust outlet that is formed in the housing for venting gas that flows through the collection chamber to the chemical exhaust outlet. The chemical exhaust outlet can be fluidly isolated from the chamber exhaust outlet.
B01D 46/00 - Filtres ou procédés spécialement modifiés pour la séparation de particules dispersées dans des gaz ou des vapeurs
B08B 15/02 - Précautions prises pour empêcher les crasses ou les fumées de s'échapper de la zone où elles sont produitesRamassage ou enlèvement des crasses ou des fumées de cette zone par utilisation de chambres ou de hottes recouvrant cette zone
B08B 3/14 - Enlèvement des déchets, p. ex. des étiquettes, se trouvant dans le liquide de nettoyage
A housing of a wafer processing system includes at least one chamber exhaust outlet and at least one chemical exhaust outlet. The chamber exhaust outlet is formed in the housing for venting gas from the interior of the housing and the chemical exhaust outlet is formed in the housing for venting gas that flows along at least one of: (a) a first flow path defined between the splash shield in a raised position and the collection trays in the lowered position; and (b) a second flow path in which the gas flows through the collection chamber to the chemical exhaust outlet.
B08B 3/10 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p. ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
9.
AN APPARATUS AND METHOD FOR WAFER THINNING IN ADVANCED PACKAGING APPLICATIONS
A system and method are provided for etching semiconductor wafers (integrated circuit substrates) with advanced packaging using a two-step wet etching process. The first etch step uses an etchant that is non-selective to at least the wafer material (silicon) and metals, such as copper and titanium, that are present in the wafer. The second etch step uses an etchant that is selective to the wafer material (silicon) and has low selectivity for the metals, thereby leaving them at least substantially intact.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
10.
APPARATUS AND METHOD TO REMOVE SOLIDS FROM MATERIAL LIFT OFF POST PROCESS SOLVENTS
An apparatus and method for removing post MLO (Material Lift Off) materials from a recycle solvent stream utilize a space efficient design and in a fashion that greatly reduces equipment downtime to maintenance and in a health friendly fashion.
B01D 27/10 - Dispositifs de sécurité, p. ex. dérivations du type dit "by-pass"
B01D 29/90 - Filtres à éléments filtrants stationnaires pendant la filtration, p. ex. filtres à aspiration ou à pression, non couverts par les groupes Leurs éléments filtrants comportant des dispositifs d'alimentation ou d'évacuation d'alimentation
B01D 35/12 - Dispositifs pour mettre hors service une ou plusieurs unités dans des filtres à unités multiples, p. ex. pour la régénération
F16K 27/04 - Structures des logementsMatériaux utilisés à cet effet des tiroirs
G05B 19/04 - Commande à programme autre que la commande numérique, c.-à-d. dans des automatismes à séquence ou dans des automates à logique
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
11.
AN APPARATUS AND METHOD TO CONTROL ETCH RATE THROUGH ADAPTIVE SPIKING OF CHEMISTRY
An apparatus and method are provided to: determine a unique profile to etch each wafer, execute that etch, and determine and deliver the proper chemical addition in order to maintain etch rate within tight tolerances.
An apparatus and method for mixing fluids with degradational properties are disclosed herein. The present system has been devised to safely and accurately dilute, heat and deliver a degradable fluid while simultaneously removing extraneous vapor, adding capability to monitor the temperature and capability to monitor the concentration of the diluted fluid.
B08B 3/04 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide
B01F 15/04 - Réalisation de proportions prédéterminées de substances à mélanger
G05D 11/02 - Commande du rapport des débits de plusieurs matériaux fluides ou fluents
G05D 11/08 - Commande du rapport des débits de plusieurs matériaux fluides ou fluents avec source d'énergie auxiliaire non électrique en déterminant la concentration du mélange, p. ex. en déterminant la valeur du pH
13.
APPARATUS AND METHOD FOR METALS FREE REDUCTION AND CONTROL OF RESISTIVITY OF DEIONIZED WATER
An apparatus and method to convert high resistivity (18 MOhm/cm) deionized water into lower resistivity deionized water with a tight resistivity range (150 KOhm/cm +\- 50 KOhm/cm) without adding metals to the DI. The invention discreetly injects carbon dioxide in an on demand fashion through a metals free fluid path.
An apparatus and method to convert high resistivity (18 MOhm/cm) deionized water into lower resistivity deionized water with a tight resistivity range. The apparatus is diminished in size to require less space, has an improved sensitivity resistivity probe to permit a lower operating range, an increased communication rate with updated control logic to permit holding tighter tolerances. The method is environmentally friendly in that it replaces the use of harsh chemistries and eliminates the generation of hazardous waste.
C02F 1/00 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout
C02F 1/66 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par neutralisationAjustage du pH
C02F 1/68 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par addition de substances spécifiées, pour améliorer l'eau potable, p. ex. par addition d'oligo-éléments
C02F 1/72 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par oxydation
15.
A SYSTEM AND METHOD FOR PERFORMING A WET ETCHING PROCESS
A system and method for performing a wet etching process is disclosed. The system includes multiple processing stations accessible by a transfer device, including a measuring station to optically measure the thickness of a wafer before and after each etching steps in the process. The system also includes a controller to analyze the thickness measurements in view of a target wafer profile and generate an etch recipe, dynamically and in real time, for each etching step. In addition, the process controller can cause a single wafer wet etching station to etch the wafer according to the generated etching recipes. In addition, the system can, based on the pre and post-etch thickness measurements and target etch profile, generate and/or refine the etch recipes.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
A system and method for performing a wet etching process is disclosed. The system includes multiple processing stations accessible by a transfer device, including a measuring station to optically measure the thickness of a substrate, a controller to calculate an etch recipe for the substrate, in real time, and cause a single wafer wet etching station to etch the substrate according to the recipe. In addition, the system can measure the after etch thickness and calculate etch recipes, in real time, as a function of the final measurements of a previous substrate. The system can also include an in situ end point detection device for detecting the TSV reveal point while etching TSVs substrates. The system provides an automated solution to adjust etch recipe parameters in real time according to feedback concerning previously etched wafers and precisely control the TSV reveal height and etch duration using end point detection.
brevets