Abrégé

Provided is a method for preparing diiodosilane including: reacting a compound represented by the following Chemical Formula 1 with iodine (I2) to prepare diiodosilane (SiH2I2), and the method may secure process safety and productivity and provide high-purity diiodosilane: Provided is a method for preparing diiodosilane including: reacting a compound represented by the following Chemical Formula 1 with iodine (I2) to prepare diiodosilane (SiH2I2), and the method may secure process safety and productivity and provide high-purity diiodosilane: wherein R and A are as defined in the specification.

Classes IPC  ?

• C01B 33/107 - Silanes halogénés

Abrégé

A cyclosilazane compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film including the same, and a method of producing a silicon-containing thin film using the same are described. The silicon-containing thin film produced using the cyclosilazane compound as a silicon precursor has both excellent chemical and thermal stability and has a low dielectric constant. Therefore, it may be usefully applied as an insulating film of a semiconductor device, in particular, a spacer of a semiconductor miniaturization process.

Classes IPC  ?

• C07F 7/08 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures

Abrégé

Provided are a silicon compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film including the silicon compound, and a method of producing a silicon-containing thin film using the silicon composition. Since the silicon-containing thin film produced using the silicon compound as a silicon precursor has both excellent chemical and thermal stability and has a low dielectric constant, it may be usefully applied as an insulating film of a semiconductor device, in particular, a spacer of a semiconductor miniaturization process.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C01B 33/12 - SiliceSes hydrates, p. ex. acide silicique lépidoïque
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention provides a silicon-bearing encapsulation film composition including a silazane compound and a method for manufacturing a silicon-bearing film using same, wherein the film blocks moisture and oxygen to prevent the deterioration of organic light-emitting diodes. The silicon-bearing encapsulation film composition according to the present invention can exhibit an excellent deposition rate due to the high vapor pressure thereof, and can provide a high-quality silicon-bearing encapsulation film with high purity and high durability.

Classes IPC  ?

• C09D 183/16 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène

Abrégé

The present invention provides a novel indium compound, a preparation method therefor, an indium-containing thin film deposition composition comprising same, and an indium-containing thin film manufacturing method employing same. A high quality indium-containing thin film, which contains uniform components, can be manufactured to have a stable deposition rate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a pellicle and a pellicle for extreme ultraviolet exposure manufactured by the method, the method comprising a step of forming a metal silicide capping layer by using a silicon precursor and a metal precursor, wherein the pellicle can exhibit excellent performance in terms of transmittance and thermal emissivity.

Classes IPC  ?

• G03F 1/62 - Pellicules, p. ex. assemblage de pellicules ayant une membrane sur un cadre de supportLeur préparation
• C23C 16/42 - Siliciures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Silicon compounds may be represented by the following formula: Silicon compounds may be represented by the following formula: Silicon compounds may be represented by the following formula: Each of Ra, Rb, and Rc may be a hydrogen atom, a halogen atom, a C1-C7 alkyl group, an amino group, a C1-C7 alkyl amino group, or a C1-C7 alkoxy group, Rd may be a C1-C7 alkyl group, a C1-C7 alkyl amino group, or a silyl group represented by a formula of *—Si(X1)(X2)(X3). Each of X1, X2, and X3 may be a hydrogen atom, a halogen atom, a C1-C7 alkyl group, an amino group, a C1-C7 alkyl amino group, or a C1-C7 alkoxy group, and * is a bonding site. In some embodiments, when Rb is the C1-C7 alkyl amino group and Rd is the C1-C7 alkyl group, Rb may be connected to Rd to form a ring. To manufacture an integrated circuit (IC) device, a silicon-containing film may be formed on a substrate using the silicon compound of the formula provided above.

Classes IPC  ?

• C07F 7/08 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

A thin-film forming composition includes an aluminum compound represented by General Formula (1). A thin-film forming composition includes an aluminum compound represented by General Formula (1). A thin-film forming composition includes an aluminum compound represented by General Formula (1). In General Formula (1), X1, X2, and X3 are each independently a halogen atom, R1 and R2 are each independently a C1-C5 alkyl group, and Y1 is a chalcogen atom.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C07C 319/20 - Préparation de thiols, de sulfures, d'hydropolysulfures ou de polysulfures de sulfures par des réactions n'impliquant pas la formation de groupes sulfure
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a novel alkoxyaminosilylamine compound, a preparation method therefor, a silicon-containing thin film deposition composition comprising same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film by using same. The alkoxyaminosilylamine compound according to the present invention is thermally stable and has high volatility and reactivity, and thus is very useful for stably manufacturing a silicon-containing thin film having excellent properties in a wide temperature range.

Classes IPC  ?

• C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/36 - Carbo-nitrures
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a ruthenium-containing thin film and a ruthenium-containing thin film manufactured thereby. The method for manufacturing a ruthenium-containing thin film of the present invention can easily produce a high-purity thin film through a simple process by using a ruthenium compound and a specific reaction gas.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C23C 16/56 - Post-traitement
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present invention relates to a composition for depositing an antimony-containing thin film, and a method for manufacturing an antimony-containing thin film by using same, the composition comprising an antimony compound, which can be effectively used as a precursor of an antimony-containing thin film. The antimony compound according to an implementation is in a liquid state at room temperature, and thus has excellent storability and handling and has high reactivity, thereby enabling a metal thin film to be efficiently formed.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C07F 9/90 - Composés d'antimoine
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a novel aminoalkoxysilylamine compound, a preparation method therefor, a silicon-containing thin film deposition composition comprising same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film by using same. The aminoalkoxysilylamine compound according to the present invention is thermally stable and has high volatility and reactivity, and thus is very useful for stably manufacturing a silicon-containing thin film having excellent properties in a wide temperature range.

Classes IPC  ?

• C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a composition, containing a fluoroaminosilane compound as a precursor, for depositing a silicon-containing thin film and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using same. The silicon-containing thin film manufactured therefrom has not only excellent chemical and thermal stability but also a sufficiently low dielectric constant, and thus is expected to be usefully applied as an insulating film for a semiconductor device, especially as an insulating film for a spacer.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/32 - Carbures
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a fluorodisilazane compound, a composition comprising same for depositing a silicon-containing thin film, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using same. The silicon-containing thin film produced from the fluorodisilazane compound according to the present invention exhibits excellent chemical and thermal stability, as well as a low dielectric constant, and thus can be advantageously applied as an insulating layer in semiconductor devices, especially as a spacer in semiconductor miniaturization processes.

Classes IPC  ?

• C07F 7/12 - Halogénures organo-siliciques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/32 - Carbures
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a cyclodisilazane compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film comprising same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using same, wherein the cyclodisilazane compound according to the present invention is a thermally stable and highly reactive and volatile compound and is in a liquid state at room temperature and at a pressure that allows for easy handling, and can form a high-purity silicon-containing thin film having excellent physical and electrical properties through various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/21 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant du silicium mais sans carbone dans le cycle
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

222333.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
• C23C 16/56 - Post-traitement
• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/321 - Post-traitement
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques

Abrégé

The present invention relates to a metal-containing composition for depositing thin film containing a metal compound, a method for manufacturing a metal-containing thin film employing same, and a metal-containing thin film manufactured by using same, and the present invention enables manufacturing a high-quality metal-containing thin film that has uniform components deposited at an improved rate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a pellicle and a pellicle for extreme ultraviolet exposure manufactured by the method, the method comprising a step of forming a metal silicide capping layer by using a silicon precursor and a metal precursor, wherein the pellicle can exhibit excellent performance in terms of transmittance and thermal emissivity.

Classes IPC  ?

• G03F 1/62 - Pellicules, p. ex. assemblage de pellicules ayant une membrane sur un cadre de supportLeur préparation
• G03F 1/22 - Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p. ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet [EUV]Leur préparation

Abrégé

The present invention provides a novel indium compound, a preparation method therefor, an indium-containing thin film deposition composition comprising same, and an indium-containing thin film manufacturing method employing same. A high quality indium-containing thin film, which contains uniform components, can be manufactured to have a stable deposition rate.

Classes IPC  ?

• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present invention provides a silicon-bearing encapsulation film composition including a silazane compound and a method for manufacturing a silicon-bearing film using same, wherein the film blocks moisture and oxygen to prevent the deterioration of organic light-emitting diodes. The silicon-bearing encapsulation film composition according to the present invention can exhibit an excellent deposition rate due to the high vapor pressure thereof, and can provide a high-quality silicon-bearing encapsulation film with high purity and high durability.

Classes IPC  ?

• H10K 50/842 - Conteneurs
• C07F 7/16 - Leur préparation à partir de silicium et d'hydrocarbures halogénés
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés

Abrégé

Provided are a silicon precursor having a heterocyclic group, a composition for depositing a silicon-containing layer including the same, and a method of depositing a silicon-containing layer using the same. The silicon precursor is represented by Formula 1. Provided are a silicon precursor having a heterocyclic group, a composition for depositing a silicon-containing layer including the same, and a method of depositing a silicon-containing layer using the same. The silicon precursor is represented by Formula 1. Provided are a silicon precursor having a heterocyclic group, a composition for depositing a silicon-containing layer including the same, and a method of depositing a silicon-containing layer using the same. The silicon precursor is represented by Formula 1. In Formula 1, A1 is a heterocyclic group including one or more nitrogen, and R1 is hydrogen or an alkyl group of 1-6 carbon atoms. R2 and R3 may be each independently an alkyl group of 1-6 carbon atoms.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

Provided is a precursor for depositing a silicon-containing layer, the silicon precursor having a heterocyclic group, and a method of depositing a silicon-containing layer using the same. The silicon precursor is represented by Formula 1. 3 may be an alkyl group of 1˜6 carbon atoms.

Classes IPC  ?

• C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided are an iodine-containing metal compound, a composition for depositing a metal-containing thin film including the same, and a method of manufacturing a metal-containing thin film using the same. Since the composition for depositing a thin film according to one embodiment is present in a liquid state at room temperature, it has excellent storage and handling properties, and since the composition has high reactivity, a metal thin film may be efficiently formed using the composition.

Classes IPC  ?

• C07F 7/22 - Composés de l'étain
• C01G 19/02 - Oxydes
• C01G 30/00 - Composés de l'antimoine
• C07F 9/90 - Composés d'antimoine
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided in one embodiment of the present invention is a pellicle membrane capable of minimizing light loss while having thermal and durability properties. A method for manufacturing an EUV pellicle on the basis of a multilayer membrane structure containing a capping layer comprising metal nano-islands, according to an embodiment of the present invention, comprises: a first step of preparing a silicon wafer, forming a first thin film layer on the upper surface of the wafer, and forming a second thin film layer on the lower surface of the wafer; a second step of forming, on the upper surface of the first thin film layer, a core layer, which is transparent so that extreme ultraviolet rays can pass therethrough; a third step of forming a third thin film layer on the upper surface of the core layer, and forming a fourth thin film layer on the lower surface of the second thin film layer; a fourth step of depositing a metal precursor on the upper surface of the third thin film layer, thereby forming a metal pattern layer, which has a predetermined pattern; a fifth step of forming, on the metal pattern layer, a capping layer, which reduces the reflectance of extreme ultraviolet rays incident on the core layer; a sixth step of forming a fifth thin film layer on the upper surface of the capping layer, and forming a sixth thin film layer on the lower surface of the fourth thin film layer; a seventh step of patterning a thin film layer-coupled body, which is a coupled body of the second thin film layer, the fourth thin film layer and the sixth thin film layer; an eighth step of etching the wafer in the patterned shape of the thin film layer-coupled body; and a ninth step of etching one region of the first thin film layer in the shape of the etched region on the lower surface of the wafer, and removing, by means of etching, the fifth thin film layer and the sixth thin film layer, thereby forming a pellicle membrane.

Classes IPC  ?

• G03F 1/62 - Pellicules, p. ex. assemblage de pellicules ayant une membrane sur un cadre de supportLeur préparation
• G03F 1/22 - Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'une longueur d'onde de 100 nm ou moins, p. ex. masques pour rayons X, masques en extrême ultra violet [EUV]Leur préparation

Abrégé

Provided are an indium compound, a method of producing the same, a composition for depositing an indium-containing thin film including the same, and a method of producing an indium-containing thin film using the same. The provided indium compound has excellent thermal stability, high volatility, and improved vapor pressure, thereby producing an indium-containing thin film having a uniform thickness with an improved deposition speed by adopting the indium compound.

Classes IPC  ?

• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided are a composition for depositing an antimony-containing thin film including a novel antimony compound which may be useful as a precursor of an antimony-containing thin film and a method for manufacturing an antimony-containing thin film using the same.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C07F 9/90 - Composés d'antimoine
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present invention relates to: a molybdenum compound; a method for preparing same; a molybdenum-containing thin film deposition composition comprising same; and a method for manufacturing a molybdenum-containing thin film using same. The molybdenum compound of the present invention has excellent thermal stability, high volatility, and enhanced vapor pressure, and thus may be employed to manufacture a molybdenum-containing thin film having a uniform thickness at an enhanced deposition rate.

Classes IPC  ?

• C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
• C07F 17/00 - Metallocènes
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

The present invention relates to a molybdenum compound, a method for preparing same, a composition comprising same for depositing a molybdenum film-containing thin film, and a method for manufacturing a molybdenum-containing thin film by using same. The employment of the molybdenum compound of the present invention having excellent thermal stability, high volatility, and improved vapor pressure can manufacture a molybdenum-containing thin film with a uniform thickness at an improved deposition rate.

Classes IPC  ?

• C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
• C07F 17/00 - Metallocènes
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

Provided is a composition containing a silylamine compound and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same, and more particularly, a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing a silylamine compound capable of forming a silicon-containing thin film having a significantly excellent water vapor transmission rate to thereby be usefully used as a precursor of the silicon-containing thin film and an encapsulant of a display, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C01B 21/068 - Composés binaires de l'azote avec les métaux, le silicium ou le bore avec le silicium
• C01B 33/12 - SiliceSes hydrates, p. ex. acide silicique lépidoïque
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques

Abrégé

An atomic layer etching method capable of precisely etching a metal thin film at units of atomic layer from a substrate including the metal thin film, includes forming a metal layer on a substrate, and etching at least a portion of the metal layer. The etching at least a portion of the metal layer includes at least one etching cycle. The at least one etching cycle includes supplying an active gas onto the metal layer, and supplying an etching support gas after supplying the active gas. The etching support gas is expressed by the following general formula 4 alkyl group, and N is nitrogen.

Classes IPC  ?

• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

Abrégé

Provided is a novel silylcyclodisilazane compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film containing the same, and a method for manufacturing the silicon-containing thin film using the same, and since the silylcyclodisilazane compound of the present disclosure has high reactivity, thermal stability and high volatility, it can be used as a silicon-containing precursor, thereby manufacturing a high-quality silicon-containing thin film by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/21 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant du silicium mais sans carbone dans le cycle
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a silicon oxide encapsulation film comprising a metal or a metal oxide, and a manufacturing method therefor. The silicon metal oxide encapsulation film according to the present invention has a high thin film growth rate and low moisture and oxygen permeabilities, thereby exhibiting a very excellent sealing effect even at a low thickness, and the stress strength and refractive index thereof can be controlled, thereby enabling a high-quality silicon metal oxide encapsulation film that is applicable to a flexible display to be readily manufactured.

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H10K 59/80 - Détails de structure
• H10K 102/00 - Détails de structure relatifs aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe

Abrégé

Provided are a composition for depositing a silicon-containing thin film containing a bis(aminosilyl)alkylamine compound and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same, and more particularly, a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing the bis(aminosilyl)alkylamine compound capable of being usefully used as a precursor of the silicon-containing thin film, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/32 - Carbures
• C01B 33/18 - Préparation de silice finement divisée ni sous forme de sol ni sous forme de gelPost-traitement de cette silice
• C01B 21/068 - Composés binaires de l'azote avec les métaux, le silicium ou le bore avec le silicium
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/36 - Carbo-nitrures
• C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a molybdenum-containing thin film and a molybdenum-containing thin film manufactured thereby. By using a molybdenum (0)-based hydrocarbon compound and a predetermined reaction gas, the method for manufacturing a molybdenum-containing thin film according to the present invention enables easy manufacturing of a highly pure thin film in a simple process.

Classes IPC  ?

• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/56 - Post-traitement
• C07F 17/00 - Metallocènes

Abrégé

Provided are a novel metal triamine compound, a method for preparing the same, a composition for depositing a metal-containing thin film including the same, and a method for preparing a metal-containing thin film using the same. The metal triamine compound of the present invention has excellent reactivity, is thermally stable, has high volatility, and has high storage stability, and thus, it may be used as a metal-containing precursor to easily prepare a high-purity metal-containing thin film having high density.

Classes IPC  ?

• C23C 16/34 - Nitrures
• C07F 5/00 - Composés contenant des éléments des groupes 3 ou 13 du tableau périodique
• C07F 7/00 - Composés contenant des éléments des groupes 4 ou 14 du tableau périodique
• C07F 7/28 - Composés du titane
• C07F 9/00 - Composés contenant des éléments des groupes 5 ou 15 du tableau périodique
• C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
• C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques

Abrégé

Provided are a novel disilylamine compound, a method for preparing same, and a composition for depositing a silicon-containing thin film including the same. A disilylamine compound of the present invention has excellent reactivity, is thermally stable, and has high volatility, and thus, is used as a silicon-containing precursor, thereby manufacturing a high-quality silicon-containing thin film.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques

Abrégé

Provided is a novel silylcyclodisilazane compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film containing the same, and a method for manufacturing the silicon-containing thin film using the same, and since the silylcyclodisilazane compound of the present invention has high reactivity, thermal stability and high volatility, it can be used as a silicon-containing precursor, thereby manufacturing a high-quality silicon-containing thin film by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/21 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant du silicium mais sans carbone dans le cycle
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided are a silylamine compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film containing the same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the composition, and more particularly, to a silylamine compound capable of being usefully used as a precursor of a silicon-containing thin film, a composition for depositing a silicon-containing thin film containing the same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the composition.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/34 - Nitrures
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/36 - Carbo-nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote
• C08L 83/14 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité sont liés autrement que par des atomes d'oxygène

Abrégé

Provided are a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing a trisilylamine compound and a method for producing a silicon-containing thin film using the same, and more particularly, a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing a trisilylamine compound which is capable of forming a silicon-containing thin film at a very high deposition rate at a low temperature to be usable as a precursor of a silicon-containing thin film and an encapsulant of a display, and a method for producing a silicon-containing thin film by using the same.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

Abrégé

Provided are a method of manufacturing a ruthenium-containing thin film and a ruthenium-containing thin film manufactured therefrom, and the method of manufacturing a ruthenium-containing thin film of the present invention uses a ruthenium(0)-based hydrocarbon compound and specific reaction gas, whereby a high-purity thin film may be easily manufactured by a simple process.

Classes IPC  ?

• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/56 - Post-traitement
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

The present invention relates to a silicon oxide encapsulation film comprising a metal or a metal oxide, and a manufacturing method therefor. The silicon metal oxide encapsulation film according to the present invention has a high thin film growth rate and low moisture and oxygen permeabilities, thereby exhibiting a very excellent sealing effect even at a low thickness, and the stress strength and refractive index thereof can be controlled, thereby enabling a high-quality silicon metal oxide encapsulation film that is applicable to a flexible display to be readily manufactured.

Classes IPC  ?

• H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a molybdenum-containing thin film and a molybdenum-containing thin film manufactured thereby. By using a molybdenum (0)-based hydrocarbon compound and a predetermined reaction gas, the method for manufacturing a molybdenum-containing thin film according to the present invention enables easy manufacturing of a highly pure thin film in a simple process.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

Provided are a novel disilylamine compound, a method for preparing same, and a composition for depositing a silicon-containing thin film including the same. A disilylamine compound of the present invention has excellent reactivity, is thermally stable, and has high volatility, and thus, is used as a silicon-containing precursor, thereby manufacturing a high-quality silicon-containing thin film.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium

Abrégé

Provided are a composition for depositing a silicon-containing thin film containing a bis(aminosilyl)alkylamine compound and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same, and more particularly, a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing the bis(aminosilyl)alkylamine compound capable of being usefully used as a precursor of the silicon-containing thin film, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same.

Classes IPC  ?

• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/32 - Carbures
• C01B 33/18 - Préparation de silice finement divisée ni sous forme de sol ni sous forme de gelPost-traitement de cette silice
• C01B 21/068 - Composés binaires de l'azote avec les métaux, le silicium ou le bore avec le silicium
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/36 - Carbo-nitrures
• C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques

Abrégé

An organometallic precursor includes tungsten as a central metal and a cyclopentadienyl ligand bonded to the central metal. A first structure including an alkylsilyl group or a second structure including an allyl ligand is bonded to the cyclopentadienyl ligand or bonded to the central metal.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• C07F 17/00 - Metallocènes
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/34 - Nitrures
• C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 27/108 - Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
• H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

Abrégé

The present invention relates to a method of manufacturing a cobalt containing thin film. According to the present invention, it is possible to provide a capping layer which is deposited on a metal wiring at a high deposition rate and planarized without deforming a shape of the cavity or a shape of the metal wiring due to a high aspect ratio in a highly integrated semiconductor device. Further, according to the present invention, it is possible to more improve the reliability of the metal wiring by providing a high-density, high-purity cobalt containing thin film by remarkably improving gap fill characteristics.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• C07F 15/06 - Composés du cobalt
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to: a composition for deposition of a silicon-containing thin film, comprising a trisilylamine compound; and a method for manufacturing a silicon-containing thin film by using the same and, more specifically, provides: a composition for deposition of a silicon-containing thin film, comprising a trisilylamine compound, which is capable of forming a silicon-containing thin film at a very excellent deposition rate at a low temperature, so as to be effectively usable as a precursor of a silicon-containing thin film and a display packaging material; and a method for manufacturing a silicon-containing thin film by using the same.

Classes IPC  ?

• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques

Abrégé

A tin compound, tin precursor compound for atomic layer deposition (ALD), a method of forming a tin-containing material film, and a method of synthesizing a tin compound, the tin compound being represented by Chemical Formula (I): 4 are each independently a C1 to C4 linear or branched alkyl group.

Classes IPC  ?

• C07F 7/22 - Composés de l'étain
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present invention relates to: a novel transition metal compound; a preparation method therefor; a composition for depositing a transition metal-containing thin film, containing the same; a transition metal-containing thin film using the composition for depositing a transition metal-containing thin film; and a method for preparing a transition metal-containing thin film. The transition metal compound of the present invention has high thermal stability, high volatility, and high storage stability, and thus a transition metal-containing thin film having high-density and high-purity can be easily prepared by using the same as a precursor.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures

Abrégé

The present invention provides a method for producing a ruthenium-containing thin film and a ruthenium-containing thin film produced thereby. The method for producing a ruthenium-containing thin film of the present invention uses a ruthenium(0)-based hydrocarbon compound and a specific reaction gas, and is thereby capable of easily producing a high-purity thin film by means of a simple process.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
• C07F 15/00 - Composés contenant des éléments des groupes 8, 9, 10 ou 18 du tableau périodique
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a novel metal triamine compound, a method for preparing the same, a composition containing the same for depositing a metal-containing thin film, and a method for forming a metal-containing thin film by using the same. The metal triamine compound of the present invention has excellent reactivity, thermal stability, high volatility, and high storage stability, and thus a high-density and high-purity metal-containing thin film can be easily formed by using the metal triamine compound as a metal-containing precursor.

Classes IPC  ?

• C07F 7/28 - Composés du titane
• C07F 7/00 - Composés contenant des éléments des groupes 4 ou 14 du tableau périodique
• C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
• C07F 9/00 - Composés contenant des éléments des groupes 5 ou 15 du tableau périodique
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a novel disilylamine compound, a method for preparing same and a silicon-containing thin film deposition composition comprising same. A disilylamine compound of the present invention shows excellent reactivity, thermal stability and high volatility and thus enables preparation of a high-quality silicon-containing thin film when used for a silicon-containing precursor.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/36 - Carbo-nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present invention relates to a silicon-containing thin film deposition composition comprising a disilylamine compound and a method for preparing a silicon-containing thin film by means of same. A silicon-containing thin film deposition composition of the present invention enables preparation of a high-quality silicon-containing thin film by means of comprising as a silicon precursor a disilylamine compound which shows excellent reactivity, thermal stability and high volatility.

Classes IPC  ?

• C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

Provided are a silylamine compound, a composition for depositing a silicon-containing thin film containing the same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the composition, and more particularly, to a silylamine compound capable of being usefully used as a precursor of a silicon-containing thin film, a composition for depositing a silicon-containing thin film containing the same, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the composition.

Classes IPC  ?

• C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

Provided are a composition for depositing a silicon-containing thin film containing a bis(aminosilyl)alkylamine compound and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same, and more particularly, a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing the bis(aminosilyl)alkylamine compound capable of being usefully used as a precursor of the silicon-containing thin film, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same.

Classes IPC  ?

• C09D 183/16 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/36 - Carbo-nitrures
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Provided are a composition containing a silylamine compound and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same, and more particularly, a composition for depositing a silicon-containing thin film, containing a silylamine compound capable of forming a silicon-containing thin film having a significantly excellent water vapor transmission rate to thereby be usefully used as a precursor of the silicon-containing thin film and an encapsulant of a display, and a method for manufacturing a silicon-containing thin film using the same.

Classes IPC  ?

• C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

An organometallic precursor includes tungsten as a central metal and a cyclopentadienyl ligand bonded to the central metal. A first structure including an alkylsilyl group or a second structure including an allyl ligand is bonded to the cyclopentadienyl ligand or bonded to the central metal.

Classes IPC  ?

• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• C07F 11/00 - Composés contenant des éléments des groupes 6 ou 16 du tableau périodique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• C07F 17/00 - Metallocènes

Abrégé

An aluminum compound is represented by Chemical Formula (I) and is used as a source material for forming an aluminum-containing thin film.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C07F 5/06 - Composés de l'aluminium
• C09D 1/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de substances inorganiques
• C09D 5/24 - Peintures électriquement conductrices
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing a high-purity silicon nitride thin film using plasma atomic layer deposition. More specifically, the present invention can realize improved thin film efficiency and a step coverage by performing a two-stage plasma excitation step and can provide a high-purity silicon nitride thin film with an improved deposition rate despite a low film-forming temperature.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/321 - Post-traitement
• C09K 8/12 - Compositions ne contenant pas d'argile contenant des composés organiques synthétiques macromoléculaires ou leurs précurseurs

Abrégé

An anti-glare glass of the present invention has excellent anti-glare properties and visibility by forming glass in which polysilazane-derived surface unevenness are applied to a glass surface without mixing a heterogeneous element, and has remarkably improved wear resistance and durability since the polysilazane is changed for glass on the glass surface by thermal treatment.

Classes IPC  ?

• C03C 17/32 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des matières organiques avec des résines synthétiques ou naturelles
• C03C 17/02 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par du verre
• C03C 15/00 - Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique

Abrégé

The present invention relates to: a novel transition metal compound; a preparation method therefor; a composition for depositing a transition metal-containing thin film, containing the same; a transition metal-containing thin film using the composition for depositing a transition metal-containing thin film; and a method for preparing a transition metal-containing thin film. The transition metal compound of the present invention has high thermal stability, high volatility, and high storage stability, and thus a transition metal-containing thin film having high-density and high-purity can be easily prepared by using the same as a precursor.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

3 bonding unit to Si—O bonding unit ranges from 0.5 to 5.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/31 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• C23C 16/40 - Oxydes
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
• C23C 16/56 - Post-traitement
• C01B 33/12 - SiliceSes hydrates, p. ex. acide silicique lépidoïque

Abrégé

Provided are a novel amino-silyl amine compound and a manufacturing method of a dielectric film containing Si—N bond using the same. Since the amino-silyl amine compound according to the present invention, which is a thermally stable and highly volatile compound, may be treated at room temperature and used as a liquid state compound at room temperature and pressure, the present invention provides a manufacturing method of a high purity dielectric film containing a Si—N bond even at a low temperature and plasma condition by using atomic layer deposition (PEALD).

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C01B 21/068 - Composés binaires de l'azote avec les métaux, le silicium ou le bore avec le silicium
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

The present invention relates to a fire extinguisher management system. The fire extinguisher management system of the present invention comprises: a fire extinguisher management device identified by a near field communication (NFC) tag attached to a fire extinguisher, and detecting a velocity change and an angular velocity according to a fire extinguisher inspection operation of a manager; a manager mobile for receiving, from the fire extinguisher management device, fire extinguisher inspection operation information through NFC tagging, and determining whether the received fire extinguisher inspection operation information corresponds to a pre-stored, regulated inspection operation so as to identify whether the fire extinguisher inspection operation is normally performed; and a management server for monitoring the state of the fire extinguisher by using the fire extinguisher inspection operation information received from the manager mobile, and determining a fire extinguisher inspection time and providing an inspection schedule for at least one fire extinguisher to be inspected by the manager mobile to the manager mobile.

Classes IPC  ?

• G06Q 50/10 - Services
• G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p. ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
• H04W 4/02 - Services utilisant des informations de localisation

Abrégé

The present invention relates to a fire extinguisher management apparatus and a fire extinguisher equipped with the same, the fire extinguisher management apparatus being mounted to a fire extinguisher and comprising: a reception unit for receiving a near field communication (NFC) signal transmitted by a mobile; a transmission unit for transmitting an NFC signal to the mobile; an acceleration sensor for detecting changes in velocity per unit of time with respect to X, Y, and Z axes, which correspond to an operation of inspecting the fire extinguisher by a manager; a gyro sensor for detecting angular velocity per unit of time, which corresponds to the operation of inspecting the fire extinguisher by the manager; an inspection information management unit for storing signals received from the acceleration sensor and the gyro sensor as fire extinguisher inspection state information; a manager approval unit for providing the fire extinguisher inspection state information to a manager mobile when an NFC-tagged mobile is identified as the manager mobile through identification information of the mobile, received by the reception unit; and a power supply unit for supplying power to each element.

Classes IPC  ?

• A62C 37/50 - Dispositifs de test ou d'indication pour déterminer l'état de marche de l'installation
• A62C 37/36 - Commande des installations de lutte contre l'incendie le signal de déclenchement étant émis par un détecteur distinct de la tuyère
• A62C 11/00 - Extincteurs portatifs munis de pompes manuelles
• G08B 21/02 - Alarmes pour assurer la sécurité des personnes
• G08B 25/10 - Systèmes d'alarme dans lesquels l'emplacement du lieu où existe la condition déclenchant l'alarme est signalé à une station centrale, p. ex. systèmes télégraphiques d'incendie ou de police caractérisés par le moyen de transmission utilisant des systèmes de transmission sans fil
• G08B 3/10 - Systèmes de signalisation audibleSystèmes d'appel sonore de personnes utilisant une transmission électriqueSystèmes de signalisation audibleSystèmes d'appel sonore de personnes utilisant une transmission électromagnétique
• G08B 5/00 - Systèmes de signalisation optique, p. ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges
• G08B 21/18 - Alarmes de situation

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing a silicon nitride thin film using a plasma atomic layer deposition method and, more particularly, the purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a silicon nitride thin film including a high quality Si-N bond under the condition of lower power and film-forming temperature, by applying an amino silane derivative having a specific Si-N bond to a plasma atomic layer deposition method.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/513 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des jets de plasma

Abrégé

Provided are a novel trisilyl amine derivative, a method for preparing the same, and a silicon-containing thin film using the same, wherein the trisilyl amine derivative, which is a compound having thermal stability, high volatility, and high reactivity and being present in a liquid state at room temperature and under pressure where handling is possible, may form a high purity silicon-containing thin film having excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Provided are a novel cyclodisilazane derivative, a method for preparing the same, and a silicon-containing thin film using the same, wherein the cyclodisilazane derivative having thermal stability, high volatility, and high reactivity and being present in a liquid state at room temperature and under a pressure where handling is easy, may form a high purity silicon-containing thin film having excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/00 - Composés contenant des éléments des groupes 4 ou 14 du tableau périodique
• C07F 7/21 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant du silicium mais sans carbone dans le cycle
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a novel multipurpose polymer and a composition containing the same. The polymer and the composition of the present invention are very useful for preparing a semiconductor device having very good mechanical and optical properties.

Classes IPC  ?

• C08G 8/04 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols d'aldéhydes
• G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires
• C08G 61/12 - Composés macromoléculaires contenant d'autres atomes que le carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
• C09D 161/06 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols d'aldéhydes avec des phénols
• H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

Abrégé

Provided are a novel amino-silyl amine compound, a method for preparing the same, and a silicon-containing thin-film using the same, wherein the amino-silyl amine compound has thermal stability and high volatility and is maintained in a liquid state at room temperature and under a pressure where handling is easy to thereby form a silicon-containing thin-film having high purity and excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés

Abrégé

Provided are a novel amino-silyl amine compound and a manufacturing method of a dielectric film containing Si-N bond using the same. Since the amino-silyl amine compound according to the present invention, which is a thermally stable and highly volatile compound, may be treated at room temperature and used as a liquid state compound at room temperature and pressure, the present invention provides a manufacturing method of a high purity dielectric film containing a Si-N bond even at a low temperature and plasma condition by using atomic layer deposition (PEALD).

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/42 - Siliciures
• C23C 16/513 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des jets de plasma

Abrégé

Provided are a novel trisilyl amine derivative, a method for preparing the same, and a siliconcontaining thin film using the same, wherein the trisilyl amine derivative, which is a compound having thermal stability, high volatility, and high reactivity and being present in a liquid state at room temperature and under pressure where handling is possible, may form a high purity siliconcontaining thin film having excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques

Abrégé

Provided are a novel cyclodisilazane derivative, a method for preparing the same, and a silicon-containing thin film using the same, wherein the cyclodisilazane derivative having thermal stability, high volatility, and high reactivity and being present in a liquid state at room temperature and under a pressure where handling is easy, may form a high purity silicon-containing thin film having excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés

Abrégé

The present invention relates to a novel multipurpose polymer and a composition containing the same. The polymer and the composition of the present invention are very useful for preparing a semiconductor device having very good mechanical and optical properties.

Classes IPC  ?

• C08G 61/02 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes
• C08G 61/10 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes uniquement des atomes de carbone aromatiques, p. ex. polyphénylènes
• C08L 65/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison carbone-carbone dans la chaîne principaleCompositions contenant des dérivés de tels polymères

Abrégé

Provided are a novel amino-silyl amine compound, a method for preparing the same, and a silicon-containing thin-film using the same, wherein the amino-silyl amine compound has thermal stability and high volatility and is maintained in a liquid state at room temperature and under a pressure where handling is easy to thereby form a silicon-containing thin-film having high purity and excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided are a novel amino-silyl amine compound, a method for preparing the same, and a silicon-containing thin-film using the same, wherein the amino-silyl amine compound has thermal stability and high volatility and is maintained in a liquid state at room temperature and under a pressure where handling is easy to thereby form a silicon-containing thin-film haying high purity and excellent physical and electrical properties by various deposition methods.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C08L 83/04 - Polysiloxanes
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique

Abrégé

Disclosed is a silicon based water repellent coating compositon that can increase an adhesive property on the surface of substrate, such as a glass, a glass lens, a mirror, a plastic, a plastic lens, a metal, a type of ceramic, a porcelain, a pottery, and acrylic panel, having excellent water repellency and durability of the water repellent, and also includes polysilazane, polysiloxane, and solvent.

Classes IPC  ?

• C09D 183/16 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
• C09D 183/04 - Polysiloxanes
• C09D 5/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, caractérisées par leur nature physique ou par les effets produitsApprêts en pâte
• C09K 3/18 - Substances non couvertes ailleurs à appliquer sur des surfaces pour y minimiser l'adhérence de la glace, du brouillard ou de l'eauSubstances antigel ou provoquant le dégel pour application sur des surfaces

Abrégé

Provided are a polysilazane treating solvent including one or more compound(s) selected from toluene and heptane and a (Cl2-C16)isoparaffin mixture, and a method for treating polysilazane using the same. More specifically, provided are a polysilazane treating solvent capable of chemically removing unwanted polysilazane coat film formed on a substrate, which may result in a severe problem in the semiconductor process if let alone, and a method for treating polysilazane using the same.

Classes IPC  ?

• C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage

Abrégé

The present invention relates to a precursor compound used for vapor -depositing an aluminum film on a substrate by means of chemical vapor deposition, and a process for preparing the compound. The present invention provides an organometallic complex defined by Chemical Formula 1, and a process for preparing the same. H2AlBH4: Ln In the Formula, L is a Lewis base, an aminic organic compound which can provide unshared electron pair to the center of aluminum metal, such as a heterocyclic amine or an alkylamine, and n is an integer of 1 or 2.

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• C07F 5/06 - Composés de l'aluminium

Abrégé

The present invention relates to synthesis method of a precursor compound to deposit aluminum films on the substrate by chemical vapor deposition, and it provides the synthesis method of a compound defined as Formula 1 below. H2AlBH4 :N (CH3) 3

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• C07F 5/06 - Composés de l'aluminium