Abrégé

222) includes a step for supplying a titanium (Ti)-containing gas onto the substrate, a step for supplying an oxygen (O)-containing gas onto the substrate, and a step for forming a plasma of a helium (He)- or germanium (Ge)-containing gas on the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H10D 1/68 - Condensateurs n’ayant pas de barrières de potentiel
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a partition wall of a substrate support part, the substrate support part, and a substrate processing apparatus. The partition wall, which is formed on the substrate support part facing a gas injection part for injecting a gas, comprises: a protrusion extending from the central region of a support of the substrate support part toward the gas injection part; a first partition section protruding toward the gas injection part and extending from one end of the protrusion toward one end of the support; and a second partition section protruding toward the gas injection part and extending from the other end of the protrusion toward the other end of the support.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention provides a method for forming a carbon layer and a substrate processing method using same. The method for forming a carbon layer comprises: a step for supplying a carbon-containing gas onto a first layer containing silicon; a first plasma processing step for supplying an inert gas onto the first layer and forming a first plasma; and a second plasma processing step for supplying an oxygen-containing gas and forming a second plasma after the first plasma processing step.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• H10D 84/01 - Fabrication ou traitement

Abrégé

In accordance with an exemplary embodiment, a method for forming a barrier layer, which forms a barrier layer on a substrate by generating plasma, includes: injecting a NH3-containing gas to be adsorbed onto the substrate; primarily purging of injecting a purge gas toward the substrate after the injecting of the NH3-containing gas is stopped; generating plasma by using a H2 gas; injecting a Ti-containing gas toward the substrate to form a TiN thin-film on the substrate; and secondarily purging of injecting a purge gas toward the substrate after the injecting of the Ti-containing gas is stopped, and the method form one process cycle of sequentially performing the injecting of the NH3-containing gas, the primarily purging, the generating of the plasma, the injecting of the Ti-containing gas, and the secondarily purging. In accordance with exemplary embodiments, a barrier layer made of a TiN thin-film may be formed by an ALD method at a low temperature. Thus, the substrate or the thin-film formed on the substrate may be prevented from being damaged by high-temperature heat. Thus, a device including the barrier layer may be prevented from being defected or improved in performance. Also, impurities on the barrier layer may be removed by generating hydrogen plasma. Thus, degradation in quality of the device or the barrier layer caused by the impurities may be prevented.

Classes IPC  ?

• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif

Abrégé

An electrode forming method for a semiconductor device in accordance with exemplary embodiments includes preparing a substrate, injecting a precursor containing a low-resistance metal element onto the substrate, and forming a low-resistance metal thin film layer by injecting a gas containing hydrogen (H) or oxygen (O) onto the substrate. Therefore, in accordance with exemplary embodiments, it is possible to provide an electrode from which ligand impurities derived from a precursor containing a low-resistance metal element are removed. Therefore, it is possible to provide an electrode with low resistance.

Classes IPC  ?

• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a metal oxide film, the method comprising the steps of: preparing a substrate; (i) supplying a precursor comprising indium onto the substrate; (ii) supplying a precursor comprising silicon onto the substrate; (iii) supplying a gas comprising oxygen onto the substrate; and (iv) repeating steps (i) and (ii) N times (N is a natural number).

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• H10D 30/67 - Transistors à couche mince [TFT]

Abrégé

Provided are a gas injection device, an apparatus for processing a substrate, and a method for depositing a thin film, and more particularly, a gas injection device that injects a gas onto a substrate to deposit a thin film, an apparatus for processing a substrate, and a method for depositing a thin film. A gas injection device in accordance with an exemplary embodiment include a first plate in which a first gas supply path and a second gas supply path are provided to be separated from each other and which has a first gas supply hole and a second gas supply hole, which are connected to the first gas supply path and the second gas supply path, respectively, and a second plate spaced apart from the first plate and having a plurality of openings arranged alternately with the first gas supply hole and the second gas supply hole.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a thin-film forming method and, more specifically, to a substrate processing apparatus for forming a thin film by injecting gas onto a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a chamber; a substrate support unit capable of supporting a plurality of substrates and installed in the chamber; and a gas injection unit installed in the chamber to inject gas toward the substrate support unit, wherein the gas injection unit comprises: a first plate having a first gas supply hole through which a first gas may be supplied and a second gas supply hole through which a second gas may be supplied; and a second plate electrically insulated from the first plate, spaced apart from the first plate, and having a plurality of gas injection holes.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

Abrégé

Provided is a method for manufacturing a power semiconductor device, which includes forming an active layer including a first active layer and a second active layer, which are doped with impurities different from each other, on an SiC substrate. The forming of the active layer includes preparing the SiC substrate comprising a first area and a second area, sequentially injecting a source gas mixed with a first doping gas, a purge gas, a reactant gas, and a purge gas onto the first area of the SiC substrate to form the first active layer, and sequentially injecting a source gas mixed with a second doping gas, a purge gas, a reactant gas, and a purge gas onto the second area of the SiC substrate to form the second active layer. The second doping gas and the first doping gas include elements different from each other, respectively. Thus, in accordance with exemplary embodiments, the active layer may be formed at a low temperature. Thus, the substrate or the thin film formed on the substrate may be prevented from being damaged by the high-temperature heat. In addition, the power or time required for heating the substrate to form the active layer may be saved, and the overall process time may be shortened. In addition, the active layer may be crystallized to be formed. That is, the crystallized active layer may be formed while forming the active layer at the low temperature.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Provided is an apparatus for packing a semiconductor, and more particularly, to an apparatus for packing a semiconductor, which packages a semiconductor element in a wafer level packaging manner. The apparatus for packaging the semiconductor includes a loading unit having a space in which a process of disposing a mask member on a wafer including a plurality of semiconductor elements is performed, a deposition unit having a space, in which a process of transferring the wafer and the mask member from the loading unit to form a conductive pattern layer on the wafer is performed, and connected to the loading unit, and an unloading unit having a space, in which a process of transferring the wafer and the mask member from the deposition unit to separate the mask member from the wafer is performed, and connected to the deposition unit.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing device and a thin film formation method, the device comprising: a chamber; a heater arranged inside the chamber; a lifting unit for lifting/lowering the heater; a substrate support inserted to be liftable/lowerable with respect to the heater; a substrate support lifting unit for lifting/lowering the substrate support; and an injection unit for injecting gas into the inside of the chamber, wherein the substrate support supports the substrate such that the bottom surface of the substrate is spaced apart from the top surface of the heater, and the injection unit exposes the substrate to the gas in a state in which the bottom surface of the substrate loaded on the substrate support is spaced apart from the top surface of the heater.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a solar cell, comprising a step of forming a first semiconductor layer on one surface of a substrate, wherein the step of forming a first semiconductor layer comprises repeatedly performing a cycle that includes a step of forming an amorphous semiconductor layer and a step of crystallizing at least a portion of the amorphous semiconductor layer, the step of forming an amorphous semiconductor layer comprises supplying a silicon-containing gas and a first gas, and the step of crystallizing at least a portion of the amorphous semiconductor layer comprises forming plasma that includes a second gas.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]

Abrégé

The present inventive concept provides a method of manufacturing an oxide transistor, the method comprising: a step of forming a first channel layer by supplying a gas containing indium (In) and zinc (Zn) and supplying a gas containing oxygen; a step of forming a spacer on the first channel layer by supplying a gas containing gallium (Ga) and supplying a gas containing oxygen; and a step of forming a second channel layer on the spacer by supplying a gas containing indium (In) and zinc (Zn) and supplying a gas containing oxygen, and an oxide transistor made by the method.

Classes IPC  ?

• H10D 62/80 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H10D 30/00 - Transistors à effet de champ [FET]
• H10D 30/01 - Fabrication ou traitement

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing system and a substrate processing method, which are capable of generating diagnostic data including information related to a processing state of a substrate. The substrate processing system according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate processing unit for treating a substrate according to a set processing condition; a substrate inspection unit for monitoring a plurality of substrates treated by the substrate processing unit; an analysis unit capable of generating, from information monitored by the substrate inspection unit for a predetermined time period, diagnostic data including information related to the processing state of the substrate treated by the substrate processing unit; and a control unit, which can receive the diagnostic data generated by the analysis unit and transmit same to the outside, wherein the substrate inspection unit monitors a first area of a first substrate and a second area of a second substrate from among a plurality of substrates, the first area and the second area being different from each other with respect to at least one area.

Classes IPC  ?

• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention provides a method for forming a graphene layer, the method comprising the steps of: spraying hydrocarbon gas on a substrate and forming first plasma; and forming second plasma on the substrate, wherein the step of spraying hydrocarbon gas and forming the first plasma is performed without the supply of hydrogen gas.

Classes IPC  ?

• C01B 32/186 - Préparation par dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/26 - Dépôt uniquement de carbone
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
• H10K 30/81 - Électrodes
• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
• H10K 102/10 - Électrodes transparentes, p. ex. utilisant du graphène

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a III-V thin film, comprising the steps of: spraying one or more gases containing group III elements; and spraying one or more gases containing group V elements.

Classes IPC  ?

• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a substrate support apparatus, substrate processing equipment and a substrate processing method, and, more specifically, to a substrate support apparatus, a substrate processing apparatus and a substrate processing method for rotating a substrate to the opposite surface. According to an embodiment of the present invention, the substrate support apparatus capable of gripping and flipping a substrate comprises: a gripping unit including a pair of arms that can be opened and closed to grip the edges of the substrate; a driving unit including a shaft extending in one direction, and a driving source capable of moving the shaft in one direction and rotating same around the one direction; and a connection unit for connecting the gripping unit and the driving unit so that the pair of arms are opened and closed in conjunction with the movement of the shaft in the one direction and are rotated in conjunction with the rotation of the shaft.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a thin film forming method and, more specifically, to a thin film forming method for forming a group III-V thin film on a substrate. A thin film forming method according to an embodiment of the present invention is directed to a method for forming a group III-V thin film on a substrate including a structure layer, wherein the method comprises the steps of: supplying a source gas containing a group III element to the structure layer; and supplying a reactant gas containing a group V element to the structure layer.

Classes IPC  ?

• H10D 30/01 - Fabrication ou traitement
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present inventive concept relates to: a method for producing a thin film, the method comprising a first forming step for forming a first thin film layer on a substrate by spraying a first source gas comprising a high dielectric constant (High-k) material, a second forming step for forming a second thin film layer on the substrate by spraying a second source gas comprising a high dielectric constant material, and a crystallization step for crystallizing at least one among the first thin film layer and the second thin film layer by using plasma; a thin film; and a substrate processing apparatus.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Provided is an electronic element including: a light-receiving element including a first active layer; a light-emitting element including a second active layer; and a switch for turning on or off at least one of the light-receiving element and the light-emitting element, wherein a first semiconductor layer and a third semiconductor layer, containing nitride doped with an N type, and a second semiconductor layer containing nitride doped with a P type are included, and the switch includes first and second switches so that an electric field is formed between first and third electrodes and between second and fourth electrodes in response to driving of the first and second switches.

Classes IPC  ?

• H10F 55/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources
• H10F 77/14 - Forme des corps semi-conducteursFormes, dimensions relatives ou dispositions des régions semi-conductrices au sein des corps semi-conducteurs
• H10H 20/825 - Matériaux des régions électroluminescentes comprenant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaP contenant de l’azote, p. ex. GaN
• H10H 20/812 - Corps ayant des structures ou des superréseaux à effet quantique, p. ex. jonctions tunnel au sein des régions électroluminescentes, p. ex. structures de confinement quantique
• H10H 20/831 - Électrodes caractérisées par leur forme
• H01H 13/83 - Interrupteurs ayant un organe moteur à mouvement rectiligne ou des organes adaptés pour pousser ou tirer dans une seule direction, p. ex. interrupteur à bouton-poussoir ayant une pluralité d'éléments moteurs associés à différents jeux de contacts, p. ex. claviers caractérisés par des légendes, p. ex. en Braille, affichage à cristaux liquides, éléments émetteurs de lumière ou éléments optiques

Abrégé

The present invention relates to a gas injection apparatus, a substrate processing apparatus, and a thin film formation method and, more specifically, to a gas injection apparatus, a substrate processing apparatus, and a thin film formation method, which are for depositing a thin film by injecting gas onto a substrate. The gas injection apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a first plate having first gas supply ports capable of supplying a first gas and second gas supply ports capable of supplying a second gas; a second plate electrically insulated from the first plate, spaced apart from the first plate, and having a plurality of openings arranged to be offset from the first gas supply ports and the second gas supply ports, wherein the openings include: first openings formed on the first plate side; and second openings connected to the first openings and having a length equal to or smaller than that of the first openings.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

The present inventive concept relates to a gas supply method of a substrate processing apparatus including: a first step of supplying a first source carrier gas from a first source carrier supply unit to a source storage unit to supply a source of the source storage unit to a vaporizer at a certain flow rate through a Mass Flow Controller; a second step of vaporizing the source supplied via the Mass Flow Controller from the source storage unit by using the vaporizer, based on a second source carrier gas supplied from a second source carrier supply unit to the vaporizer; a third step of supplying the source, vaporized by the vaporizer, to the chamber through a second source line; and a fourth step of stopping supply of the source of the source storage unit on the vaporizer and supplying the second source carrier gas to the vaporizer.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The present invention relates to a raw material supply device for supplying a raw material to a chamber in which a process for processing a substrate is performed, and to the raw material supply device, a substrate processing device, and a raw material supply method, the raw material supply device comprising: a plurality of canisters for storing the raw material; a connection part having one end connected to the canisters and the other end connected to the chamber; and a plurality of supply valves for selectively opening or closing each of the canisters individually with respect to the inside of the connection part, wherein each of the canisters includes a heating part for heating the raw material, and each of the canisters is detachably mounted to the connection part.

Classes IPC  ?

• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

An embodiment of the present invention relates to a method for forming an aluminum nitride thin film on a substrate supported in a process space inside a chamber, the method comprising the steps of: (a) exposing the substrate to an aluminum-containing gas; (b) exposing the substrate to a nitrogen-containing gas to form an atomic layer or monolayer containing aluminum and nitrogen; and (c) exposing the substrate to a nitrogen-containing plasma, wherein steps (a) to (c) may be repeated multiple times. Therefore, according to embodiments of the present invention, an aluminum nitride single-crystal thin film can be formed at a low temperature. That is, the aluminum nitride thin film can be crystallized even when the temperature of the substrate is adjusted to a low temperature. Therefore, when forming the aluminum nitride single-crystal thin film, it is possible to suppress or prevent damage to an underlying film caused by high-temperature heat.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/507 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes externes, p. ex. dans des réacteurs de type tunnel

Abrégé

A method for forming a capacitor electrode in accordance with an exemplary embodiment includes a step of forming a TiN thin-film by injecting a source containing titanium (Ti) and a reactant containing nitrogen and a step of forming SiN thin-film by injecting a source containing silicon (Si) and a reactant containing nitrogen, and at least one of the source containing titanium (Ti) and the source containing silicon (Si) is injected a plurality of times. A method for forming a capacitor electrode in accordance with an exemplary embodiment includes a step of forming a TiN thin-film by injecting a source containing titanium (Ti) and a reactant containing nitrogen and a step of forming SiN thin-film by injecting a source containing silicon (Si) and a reactant containing nitrogen, and at least one of the source containing titanium (Ti) and the source containing silicon (Si) is injected a plurality of times. Thus, in accordance with exemplary embodiments, when at least one of a lower electrode and an upper electrode of a capacitor is formed by laminating the TiN thin-film and the SiN thin-film, a deposition speed of the SiN thin film may be improved, and step coverage of the thin film may be improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• H10D 1/68 - Condensateurs n’ayant pas de barrières de potentiel

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a gallium nitride film on a substrate in a chamber, the method comprising the steps of: injecting a gallium-containing source gas onto the substrate; and injecting a nitrogen-containing reactant gas onto the substrate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation

Abrégé

The present inventive concept relates to a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate support part for supporting a substrate inside the chamber; a gas injection unit including a plurality of first injection holes for injecting a first process gas toward the substrate and a gas inlet part communicating with the first injection holes and for introducing the first process gas; a gas supply unit including a gas supply connection part connected to the gas inlet part and supplying the first process gas to the gas injection unit; and a sealing part for maintaining airtightness between the gas inlet unit and the gas supply connection unit.

Classes IPC  ?

• F16L 21/035 - Raccords avec manchon ou douille avec segments d'étanchéité élastiques entre le tuyau et le manchon ou entre le tuyau et la douille, p. ex. avec des segments roulants ou autres segments profilés préfabriqués placés sur l'extrémité mâle avant la fixation
• F16L 21/03 - Raccords avec manchon ou douille avec segments d'étanchéité élastiques entre le tuyau et le manchon ou entre le tuyau et la douille, p. ex. avec des segments roulants ou autres segments profilés préfabriqués placés dans la partie femelle avant la fixation
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a gallium nitride (GaN) film on a substrate, the method comprising the steps of: forming a first gallium nitride film by supplying a gallium precursor and a nitrogen-containing gas onto the substrate; and forming a second gallium nitride film by supplying a gallium precursor and subsequently supplying a nitrogen-containing gas onto the substrate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence

Abrégé

The present invention relates to a retainer, a heater, a chamber for a substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus. The apparatus comprises a heater for heating the inside of a chamber and a retainer inserted into a housing coupled to the chamber so as to contain the heater, thereby retaining the heater. The retainer is elastically deformed to be inserted into an opening formed in the housing from outside the housing, thereby retaining and supporting the heater on the housing.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided are a thin film transistor and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a thin film transistor having improved characteristics and a method for manufacturing the same. A thin film transistor in accordance with an exemplary embodiment includes a gate electrode, an active layer containing oxide of a first metal element and disposed to be vertically spaced apart from the gate electrode, source and drain electrodes disposed to be spaced apart from each other on the active layer, and a contact layer disposed between the active layer and the source and drain electrodes.

Classes IPC  ?

• H10D 30/67 - Transistors à couche mince [TFT]
• H01L 21/443 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H10D 30/01 - Fabrication ou traitement
• H10D 62/80 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux
• H10D 64/01 - Fabrication ou traitement
• H10D 64/62 - Électrodes couplées de manière ohmique à un semi-conducteur

Abrégé

The present invention provides an electric/electronic device comprising: a substrate; a thin film layer formed on the substrate; and a first encapsulation layer formed on the thin film layer, wherein the first encapsulation layer covers a portion of the lower surface of the substrate, the upper surface of the substrate, and the side surface of the substrate. The present invention aims at providing an electric/electronic device, a method for manufacturing same, and a substrate processing apparatus for forming same, in which, by forming an encapsulation layer, the electric/electronic device having the effect of blocking moisture or oxygen introduced from the outside through the upper surface, side surface, and lower surface of the electric/electronic device.

Classes IPC  ?

• H10K 59/80 - Détails de structure
• H10H 20/853 - Encapsulations caractérisées par leur forme
• H10H 20/854 - Encapsulations caractérisées par leurs matériaux, p. ex. résines époxy ou silicone
• H10F 77/30 - Revêtements
• H10K 30/88 - PassivationConteneursEncapsulations
• H10K 71/00 - Fabrication ou traitement spécialement adaptés aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe

Abrégé

The present invention relates to a thin film forming method, and a transistor and a capacitor which are manufactured using same and, more specifically, to a thin film forming method for forming a metal oxide thin film, and a transistor and a capacitor which are manufactured using same. The thin film forming method according to an embodiment of the present invention is a thin film forming method for forming a thin film on a substrate provided in a reaction space, by using an atomic layer deposition process in which a step of supplying a raw material gas and a step of supplying a reaction gas are sequentially performed, the method including a step of forming a dielectric layer containing a metal by performing a step of supplying a hydrogen-containing gas after at least one of the step of supplying the raw material gas and the step of supplying the reaction gas, wherein the step of supplying the hydrogen-containing gas includes a step of applying power to the reaction space.

Classes IPC  ?

• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H10D 64/66 - Électrodes ayant un conducteur couplé capacitivement à un semi-conducteur par un isolant, p. ex. électrodes du type métal-isolant-semi-conducteur [MIS]
• H10N 97/00 - Dispositifs électriques à l’état solide à film mince ou à film épais, non prévus ailleurs

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method, the substrate processing apparatus comprising: a chamber in which a processing process for a substrate is performed; a substrate support unit that supports the substrate inside the chamber; an acquisition unit that acquires data by detecting a state of the substrate; and a control unit that determines state information of the substrate by using the data acquired by the acquisition unit, wherein the state information includes at least one of a damage state of the substrate and an unloadable state of the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• G06T 7/00 - Analyse d'image
• G06F 18/22 - Critères d'appariement, p. ex. mesures de proximité

Abrégé

An embodiment of the present invention provides a method for forming a gallium nitride thin film on one or more substrates, arranged in an inner space of a chamber in which a gas spray unit is installed, by using the gas spray unit. The gas spray unit comprises: a first electrode provided with a base electrode and a protruding electrode that extends and protrudes below the base electrode; and a second electrode separately disposed below the protruding electrode, wherein the protruding electrode passes through a hole formed in the second electrode, a first gas flow path is formed inside the protruding electrode, and a second gas flow path is formed inside the first electrode so that gas can be sprayed above the second electrode. The method may comprise the steps of: using the first gas flow path to spray a gallium-containing source gas toward the one or more substrates; and using the second gas flow path to spray a nitrogen-containing reactant gas toward the substrates and using the potential difference between the first electrode and the second electrode to generate a hydrogen plasma and thereby form the gallium nitride thin film. Therefore, according to embodiments of the present invention, a gallium nitride thin film and a silicon carbide thin film that have high densities can be formed at low temperatures.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
• C23C 16/32 - Carbures

Abrégé

The present invention relates to a method for manufacturing a solar cell on a glass substrate and provides a method for manufacturing a solar cell, the method comprising the steps of: forming a reflective layer on one surface of the glass substrate; and forming an electron transport layer or a hole transport layer on the reflective layer, wherein the reflective layer is formed by a deposition method.

Classes IPC  ?

• H10K 77/10 - Substrats, p. ex. substrats flexibles
• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
• H10K 30/81 - Électrodes
• H10K 30/85 - Couches à haute mobilité électronique, p. ex. couches de transport d'électrons ou couches de blocage de trous
• H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. This substrate processing apparatus comprises: a chamber; a susceptor on which at least three substrates are placed; and a gas injection unit that injects gas toward the plurality of substrates, wherein the gas injection unit comprises: a first injection unit that injects a source gas; a second injection unit that injects a reactant gas; a third injection unit that injects a surface treatment gas; and a plasma electrode that forms plasma in at least one of the first injection unit, the second injection unit, and the third injection unit.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

The present inventive concept provides a method of forming a dielectric film comprising a step of supplying a first source gas; a step of supplying a first purge gas; a step of supplying a first reaction gas; and a step of supplying a second purge gas, wherein the step of supplying the first source gas comprises supplying a compound containing at least one metal selected from the group consisting of lanthanum (La), cerium (Ce), strontium (Sr), gadolinium (Gd), hafnium (Hf), and zirconium (Zr) into a vacuum deposition apparatus, and wherein the step of supplying the first reaction gas comprises supplying a compound selected from the group consisting of O3 and H2O into the vacuum deposition apparatus.

Classes IPC  ?

• H01G 4/12 - Diélectriques céramiques
• H01G 4/33 - Condensateurs à film mince ou à film épais

Abrégé

34254 4 (where R1 includes a metal selected from the group consisting of Pb, Sn, Ge, Sb, Bi, and Ba), and iii) at least one hydrogen halide selected from the group consisting of HI, HBr, Hf, and HCl.

Classes IPC  ?

• H10K 71/10 - Dépôt d'une matière active organique
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
• H10K 30/81 - Électrodes
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/84 - Couches à haute mobilité des porteurs de charge
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes

Abrégé

The present invention provides a method for forming a graphene electrode, the method comprising: a step for supplying a silicon-containing gas onto a substrate; a step for supplying a carbon-containing gas onto the substrate; and a step for forming hydrogen plasma on the substrate. The present invention also provides a method for manufacturing a solar cell using the graphene electrode.

Classes IPC  ?

• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
• H10K 30/81 - Électrodes
• H10K 30/85 - Couches à haute mobilité électronique, p. ex. couches de transport d'électrons ou couches de blocage de trous
• H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
• H10K 71/40 - Traitement thermique, p. ex. recuit en présence d'une vapeur de solvant
• H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs

Produits et services

Semiconductor processing machines; low pressure chemical vapor deposition machines; plasma chemical vapor deposition machines; plasma enhanced chemical vapor deposition machines; metal organic chemical vapor deposition machines; deposition machines used for manufacturing semiconductor; etching machines used for manufacturing semiconductor; deposition machines used for manufacturing solar cells; etching machines used for manufacturing solar cells; deposition machines used for manufacturing light emitting diode (LED); etching machines used for manufacturing light emitting diode (LED); deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); etching machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; etching machines used for manufacturing Flat Panel Display; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing semiconductor; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing solar cells; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing light emitting diode (LED); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display

Abrégé

A method for forming a silicon carbide film on a substrate accommodated in a chamber according to an embodiment of the present invention may include the steps of: injecting a silicon (Si)-containing gas into the chamber; forming an amorphous silicon carbide film on the substrate by forming first hydrogen plasma in the chamber while injecting a carbon (C)-containing gas into the chamber; and crystallizing the amorphous silicon carbide film by forming second hydrogen plasma in the chamber. Therefore, according to embodiments of the present invention, a crystalline silicon carbide film can be formed at a low temperature. That is, a crystalline silicon carbide film having few or no defects can be formed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/507 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes externes, p. ex. dans des réacteurs de type tunnel
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

The present invention relates to a load lock chamber, a substrate processing system, and a substrate processing method, wherein the load lock chamber comprises: a chamber body connected to a substrate storage unit for storing substrates and a transfer chamber for transferring the substrates; a first gate valve provided between the substrate storage unit and the chamber body; a second gate valve provided between the chamber body and the transfer chamber; and an ion spray unit for spraying ions to the substrates.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing method and, more specifically, to a substrate processing method for growing a thin film on a substrate. The substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes: a preparation step of preparing a substrate in a reaction space; a cleaning step of exposing the substrate to first plasma; a thin film forming step of forming a thin film on the substrate; and an etching step of exposing, to second plasma, the substrate on which the thin film is formed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/24 - Dépôt uniquement de silicium
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/56 - Post-traitement
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a semiconductor device and, more specifically, to a substrate processing method for depositing a thin film on a substrate having through-holes formed therein, a substrate processing apparatus, and a semiconductor device. A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes the steps of: preparing a substrate having a semiconductor device region and a dummy region, wherein through-holes are formed in each of the semiconductor device region and the dummy region; and forming thin films on both surfaces of the substrate including all or part of the semiconductor device region and part of the dummy region.

Classes IPC  ?

• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/288 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un liquide, p. ex. dépôt électrolytique
• H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
• H01L 23/58 - Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Provided is a substrate processing apparatus. The positions of a first electrode and a second electrode are adjusted in advance in consideration of differences in coefficients of thermal expansion so that a short circuit created by contact between the first electrode and the second electrode is prevented even in the case in which the first electrode and the second electrode are thermally expanded during processing. Even in the case in which the first electrode and the second electrode are thermally expanded due to an increase in temperature during processing, a short circuit between the first electrode and the second electrode can be prevented, and the uniformity of a thin film can be maintained in the substrate processing apparatus for processing a large substrate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Disclosed herein are a substrate processing apparatus and an interlock method thereof, which can generate an interlock signal, when the temperature of each upper or lower electrode in a process chamber exceeds a range set by a user, thereby cutting off application of RF power to the substrate processing apparatus. According to the substrate processing apparatus and the interlock method thereof, in an emergency where the temperatures of the upper and lower electrodes, a difference therebetween, an inter-electrode distance, and the resistance value of each electrode are out of the respective ranges set by the user, an interlock signal and an alarm signal can be generated to cut off the application of RF power to the substrate processing apparatus. Thus, it is possible to protect equipment by preventing the equipment from being damaged by RF power and to maintain the uniformity of a thin film deposited on a substrate.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

Abrégé

The present inventive concept relates to a method for treatment of a substrate having an insulating layer and an electrode layer formed thereon, the method comprising: a plasma treatment step of treating the substrate with plasma by using treatment gas containing fluorine (F); a selective adsorption step of spraying the substrate, subjected to the plasma treatment step, with source gas containing a high-k material to adsorb the high-k material only on the electrode layer; and a selective deposition step of spraying the substrate, subjected to the selective adsorption step, with reaction gas to deposit a high-k layer only on the electrode layer.

Classes IPC  ?

• C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

The present invention provides a thin film forming method and a manufacturing method for an electroluminescent display device using same, a method for forming a thin film on a substrate having a first sub-pixel area and a second sub-pixel area, the method including a step of forming a first light emitting layer in the first sub-pixel area, wherein the step of forming of a first light emitting layer in the first sub-pixel area includes forming of a semiconductor layer containing gallium (Ga) in the first sub-pixel area.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H10K 59/70 - OLED intégrées avec des éléments émetteurs de lumière inorganiques, p. ex. avec des éléments électroluminescents inorganiques
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]

Abrégé

The present invention relates to a canister and a substrate treatment apparatus, the canister comprising: a canister body for storing a source material; an inlet part for introducing carrier gas, supplied from an injection part, into the canister body; and an outlet part for discharging the source material, stored in the canister body, to the outside, wherein the inlet part has one end through which the carrier gas is supplied into the canister body and the other end which is connected to the injection part, and the one end of the inlet part is disposed at a position spaced upward from the top of the source material stored in the canister body, so as to supply the carrier gas toward the top of the source material.

Classes IPC  ?

• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• B01F 27/96 - Mélangeurs à agitateurs tournant dans des récipients fixesPétrins avec des agitateurs tournant autour d'un axe sensiblement vertical avec des cadres ajourés ou des cages
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing apparatus, and an edge frame of the substrate processing apparatus, the substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate support unit which is arranged inside the chamber and which is for supporting a substrate; an edge frame arranged on the substrate and the substrate support unit; and a step adjustment unit having a first interval between the substrate and the lower part of the edge frame.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present inventive concept provides a solar cell and a method for manufacturing the solar cell. The solar cell comprises a solar cell layer on a substrate and an encapsulation layer provided on the solar cell layer. The encapsulation layer comprises a metal oxide doped with a dopant material or a metal oxynitride doped with a dopant material; and the metal oxide or the metal oxynitride comprises at least one metal selected from the group consisting of W, Nb, and Sn.

Classes IPC  ?

• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem
• H10K 30/80 - Détails de structure
• H10K 39/18 - Interconnexions, p. ex. bornes

Abrégé

A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a chamber for providing a processing space in which a substrate is processed; a gas supply unit for supplying gas to the substrate inside the chamber; a source material transfer line connected to the gas supply unit; and a storage container for supplying a SAM source material to the chamber through the source material transfer line.

Classes IPC  ?

• H10K 71/10 - Dépôt d'une matière active organique
• H10K 71/40 - Traitement thermique, p. ex. recuit en présence d'une vapeur de solvant
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/82 - Électrodes transparentes, p. ex. électrodes en oxyde d'étain indium [ITO]
• H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
• H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
• H10K 30/85 - Couches à haute mobilité électronique, p. ex. couches de transport d'électrons ou couches de blocage de trous
• H10K 39/15 - Modules photovoltaïques [PV] organiquesRéseaux de cellules PV organiques simples comprenant à la fois des cellules PV organiques et des cellules PV inorganiques

Abrégé

The present invention provides a method for cleaning a chamber for forming a perovskite compound, the chamber cleaning method comprising the steps of: exposing the inside of the chamber to a hydrogen (H)-containing gas plasma; and exposing the inside of the chamber to an oxygen (O)-containing gas plasma, wherein the step of exposing the inside of the chamber to an oxygen (O)-containing gas plasma is performed after the step of exposing the inside of the chamber to a hydrogen (H)-containing gas plasma.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present inventive concept relates to a thin film manufacturing method and a thin film. The thin film manufacturing method comprises: an adsorption step of adsorbing a high-k material on a substrate by spraying a source gas consisting of a high-k material; a deposition step of depositing a thin film consisting of the high-k material on the substrate by spraying a reaction gas that reacts with the source gas; and a crystallization step of crystallizing the high-k material using plasma.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/40 - Oxydes
• H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
• H01L 29/51 - Matériaux isolants associés à ces électrodes

Abrégé

The present inventive concept relates to an apparatus for processing a substrate, the apparatus comprising: a chamber which includes a lid on top; a first plate which is installed under the lid and in which a plurality of gas holes is formed; a second plate coupled to the first plate and including a plurality of gas holes that communicate with some of the plurality of gas holes of the first plate; and a distance adjustment part which is connected to the second plate, adjusts the distance between the lid and the first plate, and is connected to an RF power feeding line.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

Abrégé

A substrate processing device. The device comprises: a first source supply unit; a second source supply unit; a first supply line for connecting the first source supply unit to a spraying unit; a second supply line for connecting the second source supply unit to the spraying unit; a mixing unit provided at the first supply line to be arranged between the first source supply unit and the spraying unit; a first connection line for connecting the second supply line to the first supply line and/or the mixing unit; and a first path change unit provided at a first connection point at which the first connection line is connected to the second supply line, wherein the first path change unit changes the flow path of a second source gas supplied from the second source supply unit.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince

Abrégé

The present invention relates to a method for forming a thin film on a substrate, the method comprising the steps of: preparing a substrate on which one or two or more films among a metal film, a metal oxide film, a silicon nitride (SiN) film, and a silicon oxide (SiO) film are formed; spraying a gallium (Ga)-containing source gas onto the substrate; and spraying a nitrogen (N)-containing reactant gas onto the substrate and forming a gallium nitride (GaN) film on the substrate at a temperature of 300-600°C.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Produits et services

Semiconductor processing machines; low pressure chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; plasma chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; plasma enhanced chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; metal organic chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; deposition machines used for manufacturing semiconductor; etching machines used for manufacturing semiconductor; deposition machines used for manufacturing solar cells; etching machines used for manufacturing solar cells; deposition machines used for manufacturing light emitting diode (LED); etching machines used for manufacturing light emitting diode (LED); deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); etching machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; etching machines used for manufacturing Flat Panel Display; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing semiconductor; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing solar cells; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing light emitting diode (LED); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display Low pressure chemical vapor deposition apparatus for use in research; plasma chemical vapor deposition apparatus for use in research; plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus for use in research; metal organic chemical vapor deposition apparatus for use in research LCD illumination panels; LED luminaires; LED lanterns; LED lamps; LED lights for sensors; LED desk lamps; LED light bulbs; LED lighting equipment, namely, LED modules, power supplies and wiring; LED halogen lamps; OLED lighting device; PLS lighting device being portable LED safety lighting device for personal use for lighting purposes; electric lanterns; electric lamps; electric luminaires; electric lighting apparatus, namely, lighting installations; lighting fixtures; stands for electric lighting fixtures; solar cell lighting fixtures; solar powered LED landscape lights; solar powered lamps Information and enquiries on business and marketing; business administration and office work; business operation, business administration and office functions; business management and providing of office functions; business management in the field of intellectual property management and office work for others; information, advisory and consultancy services relating to business and management or business administration, including such services provided on line or via the internet; business management consultancy and advisory services; consultancy and advisory services in the field of business strategy; commercial administration of the licensing of the goods and services of others; business marketing consulting services Installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing light emitting diode(LED); maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing light emitting diode(LED); repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing light emitting diode(LED); installation of deposition machines used for manufacturing light emitting diode(LED); repair of deposition machines used for manufacturing light emitting diode(LED); maintenance of deposition machines used for manufacturing light emitting diode(LED); maintenance of deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); repair of deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); installation of deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); installation of metal organic chemical vapor deposition machines; repair of metal organic chemical vapor deposition machines; maintenance of metal organic chemical vapor deposition machines; repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing semiconductor; maintenance of deposition machines used for manufacturing semiconductor; installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing semiconductor; maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing semiconductor; installation of deposition machines used for manufacturing semiconductor; repair of deposition machines used for manufacturing semiconductor; installation of low pressure chemical vapor deposition machines; repair of low pressure chemical vapor deposition machines; maintenance of low pressure chemical vapor deposition machines; installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing solar cells; maintenance of deposition machines used for manufacturing solar cells; maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing solar cells; repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing solar cells; installation of deposition machines used for manufacturing solar cells; repair of deposition machines used for manufacturing solar cells; installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display; maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display; maintenance of deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display; installation of deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; repair of deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; maintenance of plasma enhanced chemical vapor deposition machines; installation of plasma enhanced chemical vapor deposition machines; repair of plasma enhanced chemical vapor deposition machines; installation of plasma chemical vapor deposition machines; repair of plasma chemical vapor deposition machines; maintenance of plasma chemical vapor deposition machines Intellectual property management

Produits et services

Semiconductor processing machines; low pressure chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; plasma chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; plasma enhanced chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; metal organic chemical vapor deposition machines for use in manufacturing semiconductors; deposition machines used for manufacturing semiconductor; etching machines used for manufacturing semiconductor; deposition machines used for manufacturing solar cells; etching machines used for manufacturing solar cells; deposition machines used for manufacturing light emitting diode (LED); etching machines used for manufacturing light emitting diode (LED); deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); etching machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; etching machines used for manufacturing Flat Panel Display; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing semiconductor; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing solar cells; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing light emitting diode (LED); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes (OLED); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display Semiconductor power elements; semiconductor devices; semiconductor components, namely, semiconductor memory units, semiconductor memories, structured semiconductor wafers, semiconductor chip sets, semiconductor integrated circuits; electronic components in the nature of semiconductors; optical semiconductors; structured semiconductor wafers; semiconductors; solar cells; solar cell plates being photovoltaic cells; solar cell panels for the production of electricity; solar panel arrays being photovoltaic systems that convert sunlight into electric and thermal energy; low pressure chemical vapor deposition machines for use in research; plasma chemical vapor deposition machines for use in research; plasma enhanced chemical vapor deposition machines for use in research; metal organic chemical vapor deposition machines for use in research LCD illumination; LED luminaires; LED lanterns; LED lamps; LED sensor lights; LED desk lamps; LED bulbs; LED lighting equipment; LED halogen lamps; OLED lighting device; PLS lighting device; electric lanterns; electric lamps; electric luminaires; electric lighting apparatus; lighting fixtures; stands for lights; solar cell lighting apparatus; solar powered LED lights; solar powered lamps Information and enquiries on business and marketing; business administration and office work; business operation, business administration and office functions; business management and providing of office functions; business management in the field of intellectual property management and office work for others; information, advisory and consultancy services relating to business and management or business administration, including such services provided on line or via the internet; business management consultancy and advisory services; consultancy and advisory services in the field of business strategy; commercial administration of the licensing of the goods and services of others; business marketing consulting services; retail and wholesale services relating to sale of semiconductors; retail and wholesale store services featuring semiconductor elements; retail and wholesale store services featuring semiconductor devices and equipment; retail and wholesale store services featuring solar cells; retail and wholesale store services featuring LEDs; retail and wholesale store services featuring OLEDs; retail and wholesale store services featuring substrates used for manufacturing semiconductors, solar cells, LEDs and OLEDs Installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing light emitting diode(LED); maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing light emitting diode(LED); repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing light emitting diode(LED); installation of deposition machines used for manufacturing light emitting diode(LED); repair of deposition machines used for manufacturing light emitting diode(LED); maintenance of deposition machines used for manufacturing light emitting diode(LED); maintenance of deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); repair of deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); installation of deposition machines used for manufacturing Organic Light Emitting Diodes(OLED); installation of metal organic chemical vapor deposition machines; repair of metal organic chemical vapor deposition machines; maintenance of metal organic chemical vapor deposition machines; repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing semiconductor; maintenance of deposition machines used for manufacturing semiconductor; installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing semiconductor; maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing semiconductor; installation of deposition machines used for manufacturing semiconductor; repair of deposition machines used for manufacturing semiconductor; installation of low pressure chemical vapor deposition machines; repair of low pressure chemical vapor deposition machines; maintenance of low pressure chemical vapor deposition machines; installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing solar cells; maintenance of deposition machines used for manufacturing solar cells; maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing solar cells; repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing solar cells; installation of deposition machines used for manufacturing solar cells; repair of deposition machines used for manufacturing solar cells; installation of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display; maintenance of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display; maintenance of deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; repair of atomic layer deposition(ALD) machines used for manufacturing Flat Panel Display; installation of deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; repair of deposition machines used for manufacturing Flat Panel Display; maintenance of plasma enhanced chemical vapor deposition machines; installation of plasma enhanced chemical vapor deposition machines; repair of plasma enhanced chemical vapor deposition machines; installation of plasma chemical vapor deposition machines; repair of plasma chemical vapor deposition machines; maintenance of plasma chemical vapor deposition machines Processing of semiconductors; processing of semiconductor elements; processing of semiconductor wafers; custom wafer fabricating of semiconductor devices; processing of semiconductor equipment and parts; processing of parts for semiconductor manufacturing; processing of substrates for semiconductor manufacturing; processing of substrates for solar cell manufacturing; processing of substrates for LED manufacturing; processing of substrates for OLED manufacturing Intellectual property management

Abrégé

The present inventive concept relates to a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate support part which supports at least one substrate in the chamber; a lower plate which is disposed above the substrate support part; and an upper plate which is disposed above the lower plate, wherein: the upper plate includes a first spray hole which provides a first gas and a second spray hole which provides a second gas; and the lower plate includes a first opening which is disposed under the first spray hole so as to allow the first gas provided from the first spray hole to pass therethrough and a second opening which is disposed under the second spray hole so as to allow the second gas provided from the second spray hole to pass therethrough.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing apparatus including: a chamber; a first electrode disposed on the chamber; a second electrode disposed under the first electrode, the second electrode including a plurality of openings; a plurality of protrusion electrodes extending from the first electrode to the plurality of openings of the second electrode; a substrate supporter being opposite to the second electrode and supporting a substrate; a first discharging region between a lower surface of the first electrode and an upper surface of the second electrode; a second discharging region between a side surface of the protrusion electrode and an opening inner surface of the second electrode; a third discharging region between a lower surface of the protrusion electrode and the opening inner surface of the second electrode; and a fourth discharging region between the second electrode and the substrate, wherein plasma is generated in at least one region of the first to fourth discharging regions.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A substrate processing apparatus includes a chamber, a substrate support positioned inside the chamber and supporting a substrate, an edge frame disposed above the substrate support and extending outward from an edge of the substrate support, and a gas flow-controlling unit installed on a side wall of the chamber to be positioned between the side wall of the chamber and a side surface of the substrate support along a periphery of the substrate support. The gas flow-controlling unit includes a flow path provided in a region overlapping the edge frame. Thus, the gas may be prevented from flowing unevenly to the corners or regions other than the corners within the chamber. That is, the gas may be evenly distributed in the circumferential direction of the chamber. Accordingly, the cleaning defect may be prevented from occurring at the corners of the chamber and in regions other than the corners.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

An embodiment of the present invention relates to a method for forming a graphene film on a substrate in a chamber, wherein the method may comprise the steps of: spraying a silicon-containing gas on the substrate; spraying a carbon-containing gas on the substrate and forming argon plasma; and forming argon plasma on the substrate. Therefore, according to embodiments of the present invention, the graphene film can be easily formed by a deposition method. That is, a crystalline carbon-containing film can be easily formed. In addition, a graphene film having an increased carbon content can be formed, and a graphene film having a low impurity content can be formed. In addition, a graphene film having a dense film quality can be formed.

Classes IPC  ?

• C23C 16/26 - Dépôt uniquement de carbone
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes

Abrégé

An embodiment of the present invention relates to a method for forming an amorphous carbon-containing film on a substrate accommodated in a chamber, the method comprising the steps of: injecting a silicon-containing source gas into the chamber; forming first plasma by supplying first RF power to the chamber while injecting carbon and a plasma-forming gas into the chamber; and forming second plasma by supplying second RF power to the chamber while injecting a plasma-forming gas into the chamber, wherein the first RF power may be greater than the second RF power. Therefore, according to embodiments of the present invention, the carbon-containing film can be easily formed by a deposition method. That is, an amorphous carbon-containing film can be easily formed by a deposition method. In addition, an amorphous carbon-containing film having an increased carbon content and a reduced impurity content can be formed. In addition, an amorphous carbon-containing film having dense film quality can be formed.

Classes IPC  ?

• C23C 16/26 - Dépôt uniquement de carbone
• C23C 16/509 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence utilisant des électrodes internes
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The present inventive concept provides a display device comprising: a first electrode provided on a substrate; a light-emitting layer provided on the first electrode; a second electrode provided on the light-emitting layer; and an antireflective layer, which is provided on the second electrode and comprises a light-absorbing material, wherein the light-absorbing material comprises at least one selected from the group consisting of amorphous carbon (a-C), a polymer, a monomer, metal and graphite.

Classes IPC  ?

• G02B 1/111 - Revêtements antiréfléchissants utilisant des couches comportant des matériaux organiques
• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
• H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
• H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique

Abrégé

The present inventive concept comprises the steps of preparing a substrate on which a first conductive charge transport layer is formed; positioning a mask having an opening pattern on the substrate; and forming a perovskite layer on the substrate and the mask.

Classes IPC  ?

• H10K 71/16 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt physique en phase vapeur [PVD], p. ex. un dépôt sous vide ou une pulvérisation cathodique

Abrégé

The present invention relates to a titanium nitride thin film forming method and a semiconductor device and, more specifically, to a titanium nitride thin film forming method for forming a titanium nitride thin film on a substrate and a semiconductor device. A titanium nitride thin film forming method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: preparing a substrate in a process space; supplying a raw material gas containing titanium onto the substrate; and supplying a reaction gas containing nitrogen gas and hydrogen gas onto the substrate, wherein the step of supplying a raw material gas and the step of supplying a reaction gas are sequentially performed, and plasma is formed in the process space when the reaction gas is supplied.

Classes IPC  ?

• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a method for forming an electrode including copper (Cu) and ruthenium (Ru) on a substrate, the method comprising the steps of: performing N cycles (N is a natural number) of ruthenium film formation using a ruthenium-containing precursor to form a ruthenium film; and performing M cycles (M is a natural number) of copper film formation using a copper-containing precursor to form a copper film on the ruthenium film.

Classes IPC  ?

• H10N 97/00 - Dispositifs électriques à l’état solide à film mince ou à film épais, non prévus ailleurs
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

22) on the substrate; and (d) spraying a mixed gas comprising a hydrogen-containing gas and a nitrogen-containing gas onto the substrate, wherein the step (d) of spraying the mixed gas is performed continuously while the steps (a) to (c) are performed.

Classes IPC  ?

• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir

Produits et services

Etching machines used for manufacturing light emitting diodes (LEDs); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing light emitting diodes (LEDs); deposition machines used for manufacturing light emitting diodes (LEDs); etching machines used for manufacturing organic light emitting diodes (OLEDs); atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing organic light emitting diodes (OLEDs); deposition machines used for manufacturing organic light emitting diodes (OLEDs); metal organic chemical vapor deposition machines; etching machines used for manufacturing semiconductors; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing semiconductors; deposition machines used for manufacturing semiconductors; semiconductor processing machines; low pressure chemical vapor deposition machines; etching machines used for manufacturing solar cells; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing solar cells; deposition machines used for manufacturing solar cells; etching machines used for manufacturing flat panel displays; atomic layer deposition (ALD) machines used for manufacturing flat panel displays; deposition machines used for manufacturing flat panel displays; plasma enhanced chemical vapor deposition machines; plasma chemical vapor deposition machines

Abrégé

An embodiment of the present invention relates to a method for forming a gallium-containing film on a substrate on which at least one from among a metal film, a silicon (Si) film, a silicon oxide (SiO) film and a silicon nitride (SiN) film is formed. The method may comprise the steps of: preparing a substrate; spraying a gallium (Ga)-containing source gas at the substrate; and spraying a nitrogen (N)-containing reactant gas at the substrate so as to form a first gallium nitride (GaN) film on the silicon film and/or silicon nitride film of the substrate. Therefore, according to embodiments of the present invention, a gallium nitride film or a gallium oxide film can be easily formed. That is, a gallium nitride film or a gallium oxide film can be grown in one direction on a silicon (Si) substrate. Thus, a gallium nitride film or a gallium oxide film in which defect generation is suppressed can be formed such that characteristics of a semiconductor device to which the gallium nitride film or the gallium oxide film is applied are improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention provides an organic light-emitting display device comprising: a substrate; an anode provided on the substrate; an organic light-emitting layer provided on the anode; a cathode provided on the organic light-emitting layer; and an auxiliary electrode layer provided on the cathode, wherein the auxiliary electrode layer comprises: a first layer provided on the cathode; a second layer provided on the first layer; and a third layer provided on the second layer.

Classes IPC  ?

• H10K 59/80 - Détails de structure
• H10K 59/12 - Affichages à OLED à matrice active [AMOLED]
• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes

Abrégé

A method for forming an electrode of a semiconductor device, according to an embodiment of the present invention, includes the steps of: performing n times a ruthenium layer formation cycle including a step of spraying a ruthenium-containing precursor, to form a ruthenium layer on a substrate; and performing m times a metal layer formation cycle including a step of spraying a metal-containing precursor, to form a metal layer on the ruthenium layer, wherein the ruthenium layer formation cycle and the metal layer formation cycle are sequentially performed or the ruthenium layer formation cycle and the metal layer formation cycle are sequentially repeated two or more times. Therefore, according to embodiments of the present invention, in forming an electrode including a ruthenium layer and a copper layer, adhesion between the ruthenium layer and the copper layer can be improved. Accordingly, delamination or separation of the copper layer from the ruthenium layer can be suppressed or prevented. Accordingly, the specific resistance of the electrode can be lowered, and electrical conductivity can be improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H10N 97/00 - Dispositifs électriques à l’état solide à film mince ou à film épais, non prévus ailleurs
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present inventive concept relates to a method of manufacturing a tandem solar cell, the method including: a step of preparing a perovskite solar cell, including a first conductive charge transporting layer, a light absorption layer, and a second conductive charge transporting layer, on a substrate; a step of forming a partition part in the perovskite solar cell to form a first perovskite unit solar cell and a second perovskite unit solar cell; a step of forming a contact part in the first perovskite unit solar cell to expose a certain region of the first perovskite unit solar cell; a step of forming a buffer layer in a top surface of each of the first perovskite unit solar cell and the second perovskite unit solar cell; a step of preparing a plurality of second solar cells; a step of bonding the plurality of second solar cells to the buffer layer to form a first unit tandem solar cell where the first perovskite unit solar cell, the buffer layer, and the second solar cell are sequentially stacked and a second unit tandem solar cell where the second perovskite unit solar cell, the buffer layer, and the second solar cell are sequentially stacked; and a step of electrically connecting the first unit tandem solar cell to the second unit tandem solar cell.

Classes IPC  ?

• H10K 71/20 - Modification de la forme de la couche active dans les dispositifs, p. ex. mise en forme
• H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem
• H10K 39/15 - Modules photovoltaïques [PV] organiquesRéseaux de cellules PV organiques simples comprenant à la fois des cellules PV organiques et des cellules PV inorganiques
• H10K 39/18 - Interconnexions, p. ex. bornes
• H10K 71/60 - Formation de régions ou de couches conductrices, p. ex. d’électrodes
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3

Abrégé

The present invention relates to a substrate processing apparatus comprising: a chamber; a substrate support part for supporting a substrate in the interior of the chamber; a spray part for spraying gas toward the substrate support part; an exhaust part for exhausting gas from the interior of the chamber, wherein the exhaust part comprises one or more exhaust lines connected to the chamber and a plurality of exhaust pumps connected to the exhaust lines, and the number of the exhaust pumps connected in parallel is multiples of 2n (n is a natural number).

Classes IPC  ?

• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention provides a method for forming a gallium oxynitride (GaON) layer on a substrate, the method for forming a gallium oxynitride layer comprising the steps of: spraying a source material containing gallium (Ga); forming a gallium nitride layer by spraying a first reactant material containing nitrogen; and spraying a second reactant material containing oxygen onto the gallium nitride layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a solar cell and a method for forming same and, more specifically, to a solar cell having a charge transport layer formed by a deposition process and a method for forming same. A solar cell according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a first charge transport layer provided on the substrate; a light absorption layer provided on the first charge transport layer; a second charge transport layer provided on the light absorption layer; and an electrode layer provided on the second charge transport layer, wherein at least one of the first charge transport layer or the second charge transport layer is formed using an oxygen-containing gas and a nitrogen-containing gas.

Classes IPC  ?

• H10K 30/85 - Couches à haute mobilité électronique, p. ex. couches de transport d'électrons ou couches de blocage de trous
• H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
• H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
• H10K 30/81 - Électrodes
• H10K 30/15 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibilisés à large bande interdite, p. ex. TiO2sensibilisé aux colorants
• H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
• H10K 71/00 - Fabrication ou traitement spécialement adaptés aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe
• H10K 102/00 - Détails de structure relatifs aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe

Abrégé

A capacitively coupled plasma substrate processing device according to an embodiment of the present invention includes: a chamber including a substrate holder on which a substrate is mounted; an upper electrode disposed on an upper portion of the chamber to spray gas and generate capacitively coupled plasma; RF rods for supplying RF power to the upper electrode at a plurality of positions; a power distribution unit for distributing the power RF to the RF rods; and an RF power source for supplying the RF power to the power distribution unit.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse

Abrégé

The present invention provides a method for manufacturing a gallium oxide layer, by which a gallium oxide (GaO) layer is formed on a substrate, the method comprising: a step of forming a first GaO layer; and a step of forming a second GaO layer on the first GaO layer, wherein the step of forming any one GaO layer of the first GaO layer and the second GaO layer uses an atomic layer deposition (ALD) method, and the step of forming the other GaO layer uses a chemical vapor deposition (CVD) method.

Classes IPC  ?

• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/505 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques utilisant des décharges à radiofréquence
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present disclosure relates to a thin film forming method, and more particularly, to a thin film forming method for forming a gallium nitride thin film. The present disclosure relates to a thin film forming method, and more particularly, to a thin film forming method for forming a gallium nitride thin film. In accordance with an exemplary embodiment, a thin film forming method includes: loading a substrate into a process space of a chamber; and forming a gallium nitride thin film on the substrate, and the forming of the gallium nitride thin film includes: supplying a source gas containing gallium onto the substrate; supplying a reactant gas containing nitrogen onto the substrate; and activating and supplying a post-treatment gas containing hydrogen onto the substrate.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes an electrode formed on a substrate and including a noble metal-containing layer, a dielectric layer formed on one surface of the noble metal-containing layer, and a capping layer formed between the noble metal-containing layer and the dielectric layer and containing titanium (Ti). Therefore, according to embodiments of the present invention, it is possible to suppress or prevent occurrence of defects at an interface between the electrode and the dielectric layer. Accordingly, a reduction in the dielectric constant of the dielectric layer may be suppressed or prevented, and the dielectric constant of the dielectric layer may be uniform. Further, the bonding force of the dielectric layer may be enhanced.

Classes IPC  ?

• H10N 97/00 - Dispositifs électriques à l’état solide à film mince ou à film épais, non prévus ailleurs
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation

Abrégé

A method for forming a titanium nitride thin film according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: preparing a substrate; forming a titanium (Ti)-containing layer by spraying a precursor containing titanium (Ti) toward the substrate; and forming a titanium nitride thin film by spraying a reactant gas containing nitrogen (N) toward the substrate, wherein the precursor containing titanium (Ti) does not contain chlorine (Cl). Therefore, according to embodiments of the present invention, a titanium nitride thin film from which impurities are removed can be formed. Accordingly, the resistivity of the titanium nitride thin film can be lowered, and the electrical characteristics thereof can be improved.

Classes IPC  ?

• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

Provided is a method for cleaning a substrate processing apparatus. The method includes loading a substrate into a chamber, injecting a gas containing at least one of Zn, Ga, In, or Sn into the chamber to deposit a thin film on the substrate, unloading the substrate to the outside of the chamber, injecting a cleaning gas containing Br into the chamber, and exhausting byproducts generated through a reaction between impurities deposited inside the chamber in addition to the substrate and the cleaning gas in the depositing of the thin film. Therefore, the inside of the apparatus may be cleaned at relatively low temperature. That is, impurities having the form of the thin film, which are deposited on a surface of a component or structure installed inside the apparatus may be delaminated from the surface.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• B08B 5/00 - Nettoyage par des procédés impliquant l'utilisation d'un courant d'air ou de gaz
• B08B 9/00 - Nettoyage d'objets creux par des procédés ou avec un appareillage spécialement adaptés à cet effet
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A substrate processing apparatus includes: a chamber having a sidewall; a susceptor configured to mount a substrate inside the chamber; an upper dome surrounding an upper surface of the chamber and formed of a transparent dielectric material; an antenna disposed above the upper dome to generate inductively-coupled plasma; and an electromagnetic wave shield housing disposed to surround the antenna, wherein the electromagnetic wave shield housing may be heated by a heater.

Classes IPC  ?

• H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
• C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p. ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire

Abrégé

Disclosed are a substrate processing apparatus, a temperature measurement method and a temperature control method. The substrate processing apparatus includes a chamber, a susceptor configured such that a substrate is placeable thereon, a heater unit configured to heat the susceptor, a temperature measurement unit configured to measure temperatures of the substrate, and a controller configured to control the heater unit using the temperatures of the substrate, and the temperature measurement unit includes a first measurement unit configured to measure temperatures of the substrate inside the chamber, a second measurement unit configured to measure temperatures of the substrate outside the chamber, a storage unit configured to store first data measured by the first measurement unit, second data measured by the second measurement unit, and third data calculated using the first data and the second data, and a determiner configured to calculate temperatures of the substrate using the third data.

Classes IPC  ?

• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a vaporizer for a substrate processing device and a substrate processing device, wherein the vaporizer for a substrate processing device comprises: a first inlet into which a liquid or solid precursor and a first carrier gas are supplied; a diffusion unit including a diffusion space wider than the first inlet and diffusing the precursor within the diffusion space; a second inlet connected to the diffusion unit and supplied with a second carrier gas that assists the diffusion of the precursor; and a vaporization unit communicating with the diffusion unit and vaporizing the diffused precursor.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A method for forming a ruthenium oxide film according to an embodiment of the present invention may comprise the steps of: forming a ruthenium film by spraying a precursor containing ruthenium (Ru) toward a substrate; forming a ruthenium oxide film by spraying an oxygen-containing gas onto the ruthenium film; and forming plasma to expose the ruthenium oxide film to the plasma. According to embodiments of the present invention, a ruthenium oxide film with a high oxygen content can be formed. Thus, the quality of the ruthenium oxide film can be improved, leading to an enhancement in performance of the ruthenium oxide film included in a semiconductor device.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H10N 97/00 - Dispositifs électriques à l’état solide à film mince ou à film épais, non prévus ailleurs
• C23C 16/40 - Oxydes
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/56 - Post-traitement

Abrégé

The present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing same, the solar cell comprising: a first semiconductor layer; a second semiconductor layer formed on one surface of the first semiconductor layer; a third semiconductor layer formed on the other surface of the first semiconductor layer; a first transparent conductive layer formed on the second semiconductor layer; and a second transparent conductive layer formed on the lower surface of the third semiconductor layer, wherein a first plasma damage prevention layer is provided between the second semiconductor layer and the first transparent conductive layer, and a second plasma damage prevention layer is provided between the third semiconductor layer and the second transparent conductive layer. According to the present invention, the formation of defects in a semiconductor layer can be prevented by a plasma damage prevention layer even when a step for forming a transparent conductive layer is performed.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails

Abrégé

Provided is a method for manufacturing an SiC substrate. The method for manufacturing the SiC substrate includes preparing a base, forming any one SiC thin film of an n-type SiC thin film or a p-type SiC thin film on the base, and separating the SiC thin film from the base. The forming of the SiC thin film includes injecting a source gas containing silicon (Si) onto the base, performing primary purge of injecting a purge gas after the injection of the source gas is stopped, injecting a reactant gas containing carbon (C) after the stop of the primary purge, and performing secondary purge of injecting the purge gas after the injection of the reactant gas is stopped. Therefore, in accordance with an exemplary embodiment, the SiC thin film may be deposited at a low temperature to prepare the SiC substrate. Accordingly, power or time required for rising the temperature of the base to form the SiC thin film may be reduced.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Disclosed are a raw material supply method including vaporizing a raw material in a canister, discharging the vaporized raw material, measuring an inner temperature of the canister, calculating a calculated temperature by using the inner temperature, and compensating a variation of the inner temperature by heating a heating unit disposed on the canister at the calculated temperature and a raw material supply apparatus applied to the method for supplying the raw material. The raw material supply method and apparatus may stably supply the vaporized raw material to a process space.

Classes IPC  ?

• C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt

Abrégé

In accordance with an exemplary embodiment, a buffer tank that supplies a gas into a chamber in which a substrate is processed includes: a first body having, therein, a first space accommodating a gas; a second body having a second space having a volume less than that of the first space and accommodating a gas and installed in the first space; and a filter installed in the second body so as to be disposed in the second space. In accordance with exemplary embodiments, a gas supplied from a gas supply unit may remain in the buffer tank for a predetermined time, and inner pressure of the buffer tank may increase. Thus, pressure of the gas discharged from the buffer tank may increase, and accordingly, injection pressure of the gas injected into the chamber connected with the buffer tank may increase.

Classes IPC  ?

• B05B 7/14 - Appareillages de pulvérisation pour débiter des liquides ou d'autres matériaux fluides provenant de plusieurs sources, p. ex. un liquide et de l'air, une poudre et un gaz agencés pour projeter des matériaux en particules
• B05B 7/16 - Appareillages de pulvérisation pour débiter des liquides ou d'autres matériaux fluides provenant de plusieurs sources, p. ex. un liquide et de l'air, une poudre et un gaz comportant des moyens pour chauffer la matière à projeter
• B05B 15/40 - Filtres situés en amont des sorties de pulvérisation

Abrégé

The present invention relates to a silicon insulation film forming method and, more specifically, to a silicon insulation film forming method for forming an oxygen-doped silicon insulation film on a substrate. A silicon insulation film forming method according to an embodiment of the present invention, which is a method for forming an oxygen-doped silicon insulation film, comprises the steps of: preparing a substrate in a reaction space; forming a silicon insulation film on the substrate by atomic layer deposition; and forming a plasma by using gas containing oxygen in the reaction space, in order to dope the silicon insulation film with oxygen.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

222).

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

Abrégé

The embodiments of the present invention relate to a collecting apparatus for collecting a precursor from exhaust gas discharged from a processing apparatus using the precursor. The collecting apparatus may comprise a first collector which is equipped with: a cooling part which has a first refrigerant passing therethrough so as to enable cooling and recovering exhaust gas; and an inner space which is connected to a processing apparatus and is controllable by means of vacuum pressure. Thus, according to the embodiments of the present invention, a precursor may be effectively collected from the exhaust gas discharged from the processing apparatus. That is, collecting efficiency for the precursor collected from the exhaust gas may be improved. Thus, the amount of the precursor that is discarded may be reduced. In addition, the collected precursor may be reused in the processing apparatus, and thus costs arising from the precursor may be reduced.

Classes IPC  ?

• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present inventive concept relates to a substrate treatment apparatus comprising: a chamber; a substrate support portion which supports at least one substrate in the chamber; a first spray portion which sprays a first gas toward the substrate support portion from the upper side of the substrate support portion; a second spray portion which sprays a second gas toward the substrate support portion from the upper side of the first spray portion; and a buffer portion formed between the first spray portion and the second spray portion, wherein the first spray portion includes a plurality of first spray holes and the second spray portion includes a first supply hole which supplies the first gas to the buffer portion and a second spray hole which passes through the buffer portion. The center of an injection port and the center of a discharge port of the first supply hole are spaced apart from each other in the vertical direction, and the discharge port is formed toward a space among the first spray holes.

Classes IPC  ?

• B05B 1/14 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage avec des orifices de sortie multiplesBuses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage avec des filtres placés dans ou à l'extérieur de l'orifice de sortie
• B05B 1/00 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage
• B05B 13/02 - Moyens pour supporter l'ouvrageDisposition ou assemblage des têtes de pulvérisationAdaptation ou disposition des moyens pour entraîner des pièces

Abrégé

The present disclosure relates to an electrode connection element, a light emitting apparatus including the same, and a method for manufacturing the light emitting apparatus, and more particularly, to an electrode connection element, a light emitting apparatus including the same, and a method for manufacturing the light emitting apparatus, which are for electrically connecting an electrode terminal and an external drive circuit. An electrode connection element according to an exemplary embodiment includes: an upper connection member coming into contact with an upper surface of an electrode terminal formed on a substrate; a lower connection member configured to support a lower surface of the substrate; a connection member configured to connect the upper connection member and the lower connection member to each other.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes

Abrégé

A thin film forming method according to an embodiment of the present invention may comprise the steps of: forming a ruthenium electrode composed of a ruthenium (Ru) metal film on one surface of a substrate; and forming a capping layer on the ruthenium electrode, wherein the step of forming the capping layer may include the steps of: spraying a precursor containing ruthenium (Ru) toward the ruthenium electrode; and spraying a reactant gas containing nitrogen (N) toward the ruthenium electrode. According to embodiments of the present invention, at least one of a ruthenium nitride (RuN) capping layer and a ruthenium oxynitride (RuON) capping layer is formed above the ruthenium (Ru) metal film. Therefore, the oxidation of the ruthenium (Ru) metal film can be suppressed and prevented, and thus, the deterioration in electrical properties of the ruthenium (Ru) metal film due to oxidation can be suppressed and prevented.

Classes IPC  ?

• H10N 97/00 - Dispositifs électriques à l’état solide à film mince ou à film épais, non prévus ailleurs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Provided is a method for manufacturing a power semiconductor device, which includes forming an active layer on an SiC substrate. The forming of the active layer includes injecting a source gas onto the SiC substrate, performing primary purging of injecting a purge gas after stopping the injecting of the source gas, injecting a reactant gas after stopping the primary purging, and performing secondary purging of injecting the purging gas after stopping the injecting of the reactant gas. Thus, in accordance with exemplary embodiments, the active layer may be formed at a low temperature. Therefore, a substrate or a thin film formed on the substrate may be prevented from being damaged by high-temperature heat. In addition, power or a time required for heating the substrate to form the active layer may be saved, and an overall process time may be shortened.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Provided is a method for depositing a thin film, which is performed to deposit a thin film on a substrate. A method for depositing a thin film includes supplying a source gas together with a first diffusion gas onto a substrate provided in a process space, and supplying a reactant gas together with a second diffusion gas onto the substrate to continuous with the supplying of the source gas. The first diffusion gas and source gas and the second diffusion gas and reactant gas are supplied onto the substrate through paths different from each other.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present disclosure relates to a method for depositing a thin film, and more particularly, to a method for depositing a thin film, which forms a gate insulation film on a silicon carbide substrate. The present disclosure relates to a method for depositing a thin film, and more particularly, to a method for depositing a thin film, which forms a gate insulation film on a silicon carbide substrate. In accordance with an exemplary embodiment, a method for depositing a thin film includes: preparing a silicon carbide substrate having a plurality of semiconductor regions; and forming a gate insulation film on the silicon carbide substrate at a temperature of 100° C. to 400° C. through an atomic layer deposition process.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur