Abrégé

Apparatus for manufacturing semiconductor devices comprising a substrate and a film applied onto the substrate by a chemical-vapor-deposition (CVD) process, comprising: a process chamber in which to arrange substrates in a linear formation along a first axis and according to an orientation in which the substrates lie in parallel planes orthogonal to the first axis; a heating system for heating the process chamber to a predetermined temperature; a delivering unit for delivering process gas to the process chamber, in which the process gas undergoes a CVD process to form a film on each substrate of the linear formation; an exhaust gas extraction unit for extracting process exhaust gas from the process chamber; and a case enclosing the process chamber, which is configured to be traversed by gas flow that moves along a second axis transversal to the first axis and across the substrates' linear formation in the process chamber.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The innovative method is for removing a silicon carbide layer from a bulk piece; the bulk piece comprises a graphite substrate underlying the silicon carbide layer; the method comprises in succession the steps of: a) submerging the bulk piece in a first solution containing nitric acid, b) submerging the bulk piece in a second solution containing hydrofluoric acid and an oxidizing agent, and typically c) submerging the bulk piece in a third solution containing preferably only or essentially deionized water until the layer detaches from the piece; this method can advantageously be used to clean components of an epitaxial reactor e.g. after their use in the reactor in silicon carbide deposition processes.

Classes IPC  ?

• B08B 3/12 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide avec traitement supplémentaire du liquide ou de l'objet en cours de nettoyage, p.ex. par la chaleur, par l'électricité ou par des vibrations par des vibrations soniques ou ultrasoniques
• B08B 3/08 - Nettoyage impliquant le contact avec un liquide le liquide ayant un effet chimique ou dissolvant

Abrégé

The reaction chamber (100) comprises a covering system (90) that is located within its cavity (101) and comprises at least one lower covering element (120) resting on a lower wall of the cavity, and an upper covering element (130) resting on the lower covering element (120); the lower covering element (120) and the upper covering element (130) define an insulated inner space to accommodate at least one substrate, and make four walls surrounding this inner space and are spaced apart from the cavity walls; the walls of the chamber (100) are typically made of quartz and the covering system (90) is typically made of quartz.

Classes IPC  ?

• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports

Abrégé

The method serves for depositing a layer of silicon carbide with n-type doping onto a surface of a substrate placed horizontally on a rotating susceptor inside a reaction chamber by means of a CVD type process; the rotating susceptor is adapted to single-substrate support; the method includes introducing and flowing a gaseous mixture internally along the reaction chamber from a first side to a second side passing over a portion of a lower wall of said reaction chamber and then over said rotating susceptor supporting one substrate; the gaseous mixture comprises or consists of: one or more gases being precursor of silicon carbide to be deposited and a carrier gas and a precursor gas containing a substance adapted to give rise to n-type doping; the dopant substance is adapted to be subjected to pyrolysis catalysed by contact with an internal surface made of silicon carbide of said reaction chamber forming species with stoichiometry NHxCySiz where x and y and z are comprised between 0 and 3 and x+y+z>0, the reaction chamber is at a temperature comprised in the range between 1450° C. and 1800° C. and at a pressure comprised in the range between 5 kPa and 30 kPa; the substrate is placed inside the reaction chamber in a region where trends in availability respectively of Si, C and N are all decreasing and where temperature is within a deposition temperature range.

Classes IPC  ?

• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C30B 29/36 - Carbures
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The tool (4000) for handling substrates (3000) comprises a fork (4100); the fork (4100) comprises two arms (4120, 4140) configured to directly or indirectly grip or support one or more substrates (3000) by applying by contact lateral and/or vertical force when in use; there is provided a screen (4500) fixed or fixable to the fork (4100) so as to be overhanging at distance the substrate(s) (3000) when, in use, it/they is/are gripped or supported by the fork (4100).

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The device (420) is for supporting substrates in a reaction chamber of an epitaxial reactor; it comprises: a disc-shaped element (422) having a first face (422A) adapted to be upperly positioned when the device (420) is being used and a second face (422B) adapted to be lowerly positioned when the device (420) is being used, said disc-shaped element (422) being adapted to receive a gas flow (F) to rotate the device (420) about an axis (X) thereof, a substrate-supporting element (424) in a single piece with said disc-shaped element (422) and preferably adjacent to said first face (422A), and a shaft (426) coaxial to said disc-shaped element (422), in a single piece with said disc-shaped element (422) and having a first end (426A) at said second face (422B); said shaft (426) has at a second end (426 B) thereof at least a protrusion (428 A, 428B, 428C) whose rotation is adapted to be detected by a pyrometer (430) or a thermographic camera.

Classes IPC  ?

• C30B 25/16 - Commande ou régulation
• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs

Abrégé

The reaction chamber (100) comprises a covering system (90) that is located within its cavity (101) and comprises at least one lower covering element (120) resting on a lower wall of the cavity, and an upper covering element (130) resting on the lower covering element (120); the lower covering element (120) and the upper covering element (130) define an insulated inner space to accommodate at least one substrate, and make four walls surrounding this inner space and are spaced apart from the cavity walls; the walls of the chamber (100) are typically made of quartz and the covering system (90) is typically made of quartz.

Classes IPC  ?

• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
• C30B 29/06 - Silicium

Abrégé

The treating arrangement (900) for an epitaxial reactor (1000) comprises: a reaction chamber (100) for treating substrates, a transfer chamber (200) adjacent to the reaction chamber (100), for transferring substrates placed over substrates support devices, a loading/unloading group (300) at least in part adjacent to the transfer chamber (200), arranged to contain a substrates support device with one or more substrates, a storage chamber (400) containing at least in part the loading/unloading group (300), having a first storage zone (410) for treated and/or untreated substrates and a second storage zone (420) for substrates support devices without any substrate, at least one external robot (500) for transferring treated substrates, untreated substrates and substrates support devices without any substrate between said storage chamber (400) and said loading/unloading group (300), at least one internal robot (600) for transferring substrates support devices with one or more substrates between said loading/unloading group (300) and said reaction chamber (100) via said transfer chamber (200); said loading/unloading group comprises a load-lock chamber (300A) and a preparation station (300B) associated with each other.

Classes IPC  ?

• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• B08B 5/04 - Nettoyage par aspiration, avec ou sans action auxiliaire
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The treating arrangement (900) for an epitaxial reactor (1000) comprises: a reaction chamber (100) for treating substrates, a transfer chamber (200) adjacent to the reaction chamber (100), for transferring substrates placed over substrates support devices, a loading/unloading group (300) at least in part adjacent to the transfer chamber (200), arranged to contain a substrates support device with one or more substrates, a loading/unloading chamber (400) at least in part adjacent to the loading/unloading group (300), having a first storage zone (410) for treated and/or untreated substrates and a second storage zone (420) for substrates support devices without any substrate, at least one external robot (500) for transferring treated substrates, untreated substrates and substrates support devices without any substrate between said loading/unloading chamber (400) and said loading/unloading group (300), at least one internal robot (600) for transferring substrates support devices with one or more substrates between said loading/unloading group (300) and said reaction chamber (100) via said transfer chamber (200); wherein said external robot (500) comprises an articulated arm (510) arranged to handle both treated substrates and untreated substrates as well as substrates support devices.

Classes IPC  ?

• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
• C30B 25/16 - Commande ou régulation

Abrégé

The treating arrangement (900) for an epitaxial reactor (1000) comprises: a reaction chamber (100) for treating substrates, a transfer chamber (200) adjacent to the reaction chamber (100), for transferring substrates placed over substrates support devices, a loading/unloading group (300) at least in part adjacent to the transfer chamber (200), arranged to contain a substrates support device with one or more substrates, a storage chamber (400) at least in part adjacent to the load-lock chamber (300), having a first storage zone (410) for treated and/or untreated substrates and a second storage zone (420) for substrates support devices without any substrate, at least one external robot (500) for transferring treated substrates, untreated substrates and substrates support devices without any substrate between said storage chamber (400) and said loading/unloading group (300), at least one internal robot (600) for transferring substrates support devices with one or more substrates between said loading/unloading group (300) and said reaction chamber (100) via said transfer chamber (200).

Classes IPC  ?

• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat

Abrégé

The method serves for depositing a layer of silicon carbide with n-type doping onto a surface of a substrate placed horizontally on a rotating susceptor inside a reaction chamber by means of a CVD type process; the rotating susceptor is adapted to single-substrate support; the method includes introducing and flowing a gaseous mixture internally along the reaction chamber from a first side to a second side passing over a portion of a lower wall of said reaction chamber and then over said rotating susceptor supporting one substrate; the gaseous mixture comprises or consists of: one or more gases being precursor of silicon carbide to be deposited and a carrier gas and a precursor gas containing a substance adapted to give rise to n-type doping; the dopant substance is adapted to be subjected to pyrolysis catalysed by contact with an internal surface made of silicon carbide of said reaction chamber forming species with stoichiometry NHxCySiz where x and y and z are comprised between 0 and 3 and x+y+z>0, the reaction chamber is at a temperature comprised in the range between 1450°C and 1800°C and at a pressure comprised in the range between 5 kPa and 30 kPa; the substrate is placed inside the reaction chamber in a region where trends in availability respectively of Si, C and N are all decreasing and where temperature is within a deposition temperature range.

Classes IPC  ?

• C23C 16/32 - Carbures
• C30B 29/36 - Carbures
• C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale

Abrégé

The reaction chamber (100A) is used for a reactor for the deposition of semiconductor material on a substrate (62); it extends in a longitudinal direction and comprises a reaction and deposition zone (10) which extends in the longitudinal direction; this zone (10) is defined by susceptor elements (21A, 21B, 21C, 22A, 22B, 31, 32) adapted to be heated by electromagnetic induction; a first susceptor element (21A, 21B, 21C, 22A, 22B) is opposite to a substrate support element (61) of the chamber and has a hole (20) which extends in the longitudinal direction along its whole length; the first susceptor element (21A, 21B, 21C, 22A, 22B) has a non-uniform cross section that depends on its longitudinal position.

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The reaction chamber (100) is used for a deposition reactor of layers of semiconductor material on substrates; it comprises a tube (110) made of quartz and having a cylindrical shape and adapted to be positioned in use so that its axis (111) is vertical; the tube (110) has a cylindrical inner interspace (112) which extends along the entire length of the tube (110) and which is adapted to accommodate a flowing liquid; the chamber (100) further comprises an annular closing element (120) made of quartz and fixed to a first lower end of the tube (110) so as to close the interspace (112) preventing the liquid from flowing out of the interspace at the bottom; at the top, the closing element (120) has an annular recess (122) facing the interspace (112) so that the flowing liquid can reach the recess (122) at the bottom; the chamber (100) further comprises a set of internal conduits (130) internal to the interspace (112), wherein said internal conduits (130) extend from the first lower region of the tube (110) till a second upper region of the tube (110) to facilitate circulation of the flowing liquid in the interspace (112).

Classes IPC  ?

• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The reactor (100) for deposition of layers of semiconductor material on substrates, comprises: a reaction chamber (110), a susceptor assembly (120) located inside the reaction chamber, and a heating system (130) adapted to heat the susceptor assembly by electromagnetic induction; the heating system (130) comprises a first (131) inductor and a second (132) inductor and a power supply (135) adapted to electrically feed the first and second inductors (131, 132) with alternating currents that are distinct and independent from one another; the reactor (100) further comprises a shielding assembly (140) adapted to limit electromagnetic coupling between the first and the second inductors (131, 132).

Classes IPC  ?

• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• H05B 6/44 - Agencements des bobines impliquant plusieurs bobines ou segments de bobine

Abrégé

The reaction chamber (100) is designed for a reactor (100) for deposition of layers of semiconductor material on substrates; it comprises a tube (110) and an injector (20) and a holder (30); the tube (110) is made of quartz and has a cylindrical or prismatic shape and surrounds a reaction and deposition zone; the injector (20) is arranged to inject precursor gases into the reaction and deposition zone; the holder (30) is arranged to support a substrate in the reaction and deposition zone during deposition processes; graphite susceptor elements (10, 40, 50) are located inside the tube (110) for heating the reaction and deposition zone and components inside the reaction and deposition zone; an inductor system (60, 70) is located outside the tube (110) for providing energy to the susceptor elements (10, 40, 50) by electromagnetic induction; a rotating element (80) in the form of a cylindrical or prismatic tube is located inside the reaction and deposition zone and surrounds the injector (20).

Classes IPC  ?

• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement

Abrégé

The tool (4000) for handling substrates (3000) comprises a fork (4100); the fork (4100) comprises two arms (4120, 4140) configured to directly or indirectly grip or support one or more substrates (3000) by applying by contact lateral and/or vertical force when in use; there is provided a screen (4500) fixed or fixable to the fork (4100) so as to be overhanging at distance the substrate(s) (3000) when, in use, it/they is/are gripped or supported by the fork (4100).

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés

Abrégé

The present invention relates to a heating method for a reactor (1) for epitaxial deposition; the reactor (1) comprises a susceptor (2) and an inductor (4); the inductor (4) is adapted to heat the susceptor (2) by electromagnetic induction when it is electrically powered; the inductor (4) comprises a plurality of turns (41-47); during heating of the susceptor (2) from a first temperature to a second temperature, the position of one or more turns (43) of the inductor (4) with respect to the susceptor (2) and to the other turns of the inductor (4) is changed. The turns (43) are actuated by means of an appropriate actuation system (61, 62, 63).

Classes IPC  ?

• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt

Abrégé

The present invention concerns a susceptor comprising a disc-shaped portion (21) and a cylindrical or conical portion (22); the disc-shaped portion (21) is used to (directly or indirectly) support one or more substrates to be subjected to epitaxial deposition inside a reaction chamber of an epitaxial deposition reactor; the cylindrical or conical portion (22) is used to contribute to the heating of the disc-shaped portion (21); thanks to the configuration of the susceptor, it is possible to heat the disc-shaped portion (21) to a very uniform temperature; in fact, for example, the heating of the susceptor can be obtained through a first inductor (4) adapted to directly heat the disc-shaped portion (21), in particular its outer annular zone, and a second inductor (5) adapted to directly heat the cylindrical or conical portion (22) and indirectly heat the disc-shaped portion (21), in particular its central zone.

Classes IPC  ?

• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

Abrégé

The device (420) is for supporting substrates in a reaction chamber of an epitaxial reactor; it comprises: a disc- shaped element (422) having a first face (422A) adapted to be upperly positioned when the device (420) is being used and a second face (422B) adapted to be lower!y positioned when the device (420) is being used, said disc-shaped element (422) being adapted to receive a gas flow (F) to rotate the device (420) about an axis (X) thereof, a substrate-supporting element (424) in a single piece with said disc-shaped element (422) and preferably adjacent to said first face (422A), and a shaft (426) coaxial to said disc-shaped element (422), in a single piece with said disc-shaped element (422) and having a first end (426A) at said second face (422B); said shaft (426) has at a second end (426 B) thereof at least a protrusion (428 A, 428B, 428C) whose rotation is adapted to be detected by a pyrometer (430) or a thermographic camera.

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The treating arrangement (900) for an epitaxial reactor (1000) comprises: a reaction chamber (100) for treating substrates, a transfer chamber (200) adjacent to the reaction chamber (100), for transferring substrates placed over substrates support devices, a loading/unloading group (300) at least in part adjacent to the transfer chamber (200), arranged to contain a substrates support device with one or more substrates, a storage chamber (400) at least in part adjacent to the load- lock chamber (300), having a first storage zone (410) for treated and/or untreated substrates and a second storage zone (420) for substrates support devices without any substrate, at least one external robot (500) for transferring treated substrates, untreated substrates and substrates support devices without any substrate between said storage chamber (400) and said loading/unloading group (300), at least one internal robot (600) for transferring substrates support devices with one or more substrates between said loading/unloading group (300) and said reaction chamber (100) via said transfer chamber (200).

Classes IPC  ?

• F27B 17/00 - Fours d'un genre non couvert par l'un des groupes
• F27D 3/12 - Supports ou réceptacles pour charges, mobiles ou à translation
• C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
• C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale

Abrégé

The treating arrangement (900) for an epitaxial reactor (1000) comprises: a reaction chamber (100) for treating substrates, a transfer chamber (200) adjacent to the reaction chamber (100), for transferring substrates placed over substrates support devices, a loading/unloading group (300) at least in part adjacent to the transfer chamber (200), arranged to contain a substrates support device with one or more substrates, a storage chamber (400) containing at least in part the loading/unloading group (300), having a first storage zone (410) for treated and/or untreated substrates and a second storage zone (420) for substrates support devices without any substrate, at least one external robot (500) for transferring treated substrates, untreated substrates and substrates support devices without any substrate between said storage chamber (400) and said loading/unloading group (300), at least one internal robot (600) for transferring substrates support devices with one or more substrates between said loading/unloading group (300) and said reaction chamber (100) via said transfer chamber (200); said loading/unloading group comprises a load-lock chamber (300A) and a preparation station (300B) associated with each other.

Classes IPC  ?

• F27B 17/00 - Fours d'un genre non couvert par l'un des groupes
• F27D 3/12 - Supports ou réceptacles pour charges, mobiles ou à translation
• H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
• C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale

Abrégé

The treating arrangement (900) for an epitaxial reactor (1000) comprises: a reaction chamber (100) for treating substrates, a transfer chamber (200) adjacent to the reaction chamber (100), for transferring substrates placed over substrates support devices, a loading/unloading group (300) at least in part adjacent to the transfer chamber (200), arranged to contain a substrates support device with one or more substrates, a loading/unloading chamber (400) at least in part adjacent to the loading/unloading group (300), having a first storage zone (410) for treated and/or untreated substrates and a second storage zone (420) for substrates support devices without any substrate, at least one external robot (500) for transferring treated substrates, untreated substrates and substrates support devices without any substrate between said loading/unloading chamber (400) and said loading/unloading group (300), at least one internal robot (600) for transferring substrates support devices with one or more substrates between said loading/unloading group (300) and said reaction chamber (100) via said transfer chamber (200); wherein said external robot (500) comprises an articulated arm (510) arranged to handle both treated substrates and untreated substrates as well as substrates support devices.

Classes IPC  ?

• F27B 17/00 - Fours d'un genre non couvert par l'un des groupes
• F27D 3/12 - Supports ou réceptacles pour charges, mobiles ou à translation
• C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

Produits et services

Equipment for semiconductor manufacturing including CVD (chemical vapor deposition) and MOCVD (metallorganic) epitaxial reactors, bubblers for low volatile semiconductor precursors; physical vapor transport (PVT) sublimators for compound materials growth, high temperature chemical vapor deposition (HTCVD) reactors for compound materials growth, LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) reactors, equipment for high temperature wafer treatment. Epitaxially coated semiconductor wafers; operational software; software for the control of equipment for semiconductor manufacturing. Equipment engineering for semiconductor manufacturing.

Abrégé

The reaction chamber (100) is used for a deposition reactor of layers of semiconductor material on substrates; it comprises a tube (110) made of quartz and having a cylindrical shape and adapted to be positioned in use so that its axis (111) is vertical; the tube (110) has a cylindrical inner interspace (112) which extends along the entire length of the tube (110) and which is adapted to accommodate a flowing liquid; the chamber (100) further comprises an annular closing element (120) made of quartz and fixed to a first lower end of the tube (110) so as to close the interspace (112) preventing the liquid from flowing out of the interspace at the bottom; at the top, the closing element (120) has an annular recess (122) facing the interspace (112) so that the flowing liquid can reach the recess (122) at the bottom; the chamber (100) further comprises a set of internal conduits (130) internal to the interspace (112), wherein said internal conduits (130) extend from the first lower region of the tube (110) till a second upper region of the tube (110) to facilitate circulation of the flowing liquid in the interspace (112).

Classes IPC  ?

• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
• C30B 23/06 - Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer
• C30B 29/36 - Carbures

Abrégé

The reaction chamber (100) is designed for a reactor (100) for deposition of layers of semiconductor material on substrates; it comprises a tube (110) and an injector (20) and a holder (30); the tube (110) is made of quartz and has a cylindrical or prismatic shape and surrounds a reaction and deposition zone; the injector (20) is arranged to inject precursor gases into the reaction and deposition zone; the holder (30) is arranged to support a substrate in the reaction and deposition zone during deposition processes; graphite susceptor elements (10, 40, 50) are located inside the tube (110) for heating the reaction and deposition zone and components inside the reaction and deposition zone; an inductor system (60, 70) is located outside the tube (110) for providing energy to the susceptor elements (10, 40, 50) by electromagnetic induction; a rotating element (80) in the form of a cylindrical or prismatic tube is located inside the reaction and deposition zone and surrounds the injector (20).

Classes IPC  ?

• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C30B 23/00 - Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
• C30B 23/06 - Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer

Abrégé

The reaction chamber (100A) is used for a reactor for the deposition of semiconductor material on a substrate (62); it extends in a longitudinal direction and comprises a reaction and deposition zone (10) which extends in the longitudinal direction; this zone (10) is defined by susceptor elements (21A, 21B, 21C, 22A, 22B, 31, 32) adapted to be heated by electromagnetic induction; a first susceptor element (21A, 21B, 21C, 22A, 22B) is opposite to a substrate support element (61) of the chamber and has a hole (20) which extends in the longitudinal direction along its whole length; the first susceptor element (21A, 21B, 21C, 22A, 22B) has a non-uniform cross section that depends on its longitudinal position.

Classes IPC  ?

• C23C 14/54 - Commande ou régulation du processus de revêtement
• C30B 23/06 - Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

Produits et services

Equipment for semiconductor manufacturing including but not limited to: CVD (chemical vapor deposition) and MOCVD (metallorganic) epitaxial reactors, bubblers for low volatile semiconductor precursors; physical vapor transport (PVT) sublimators for compound materials growth, high temperature chemical vapor deposition (HTCVD) reactors for compound materials growth, LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) reactors, equipment for high temperature wafer treatment. Epitaxially coated semiconductor wafers; operational software; software for the control of equipment for semiconductor manufacturing. Equipment engineering for semiconductor manufacturing.

Produits et services

Equipment for semiconductor manufacturing, namely, CVD (Chemical Vapor Deposition) and MOCVD (Metallorganic) epitaxial reactors, bubblers for low volatile semiconductor precursors; physical vapor transport (PVT) sublimators for compound materials growth, high temperature chemical vapor deposition (HTCVD) reactors for compound materials growth, LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) reactors Epitaxially coated semiconductor wafers and downloadable and/or recorded operational software; downloadable and/or recorded software for controlling equipment for semiconductor manufacturing Equipment engineering, namely, installation, maintenance and repair for semiconductor manufacturing equipment

Abrégé

The reactor (100) for deposition of layers of semiconductor material on substrates, comprises: a reaction chamber (110), a susceptor assembly (120) located inside the reaction chamber, and a heating system (130) adapted to heat the susceptor assembly by electromagnetic induction; the heating system (130) comprises a first (131) inductor and a second (132) inductor and a power supply (135) adapted to electrically feed the first and second inductors (131, 132) with alternating currents that are distinct and independent from one another; the reactor (100) further comprises a shielding assembly (140) adapted to limit electromagnetic coupling between the first and the second inductors (131, 132).

Classes IPC  ?

• C23C 14/26 - Evaporation sous vide par chauffage de la source par induction ou par résistance
• C30B 13/20 - Chauffage de la zone fondue par induction, p.ex. technique du fil chaud
• C30B 13/30 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone de fusion, p.ex. par concentrateurs, par champs électromagnétiques; Commande de la section du cristal
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• H05B 6/44 - Agencements des bobines impliquant plusieurs bobines ou segments de bobine

Produits et services

Semiconductor manufacturing equipment, including but not limited to: CVD (chemical vapour deposition) and MOCVD (metal organic) epitaxial reactors, scrubbers for low-volatility semiconductor precursors; Physical vapour transport (PVT) sublimers for growing compounds, high-temperature reactors for chemical vapour deposition (HTCVD) for growing compounds, LPCVD (low-pressure chemical vapour deposition) reactors, high-temperature wafer treatment apparatus. Semiconducting wafers with epitaxial coating; Computer operating programs; Computer software for controlling apparatus for the production of semiconductors. Installation, maintenance and repair of apparatus for the production of semiconductors.

Produits et services

Semiconductor manufacturing equipment, including but not limited to: CVD (chemical vapour deposition) and MOCVD (metal organic) epitaxial reactors, scrubbers for low-volatility semiconductor precursors; Physical vapour transport (PVT) sublimers for growing compounds, high-temperature reactors for chemical vapour deposition (HTCVD) for growing compounds, LPCVD (low-pressure chemical vapour deposition) reactors, high-temperature wafer treatment apparatus. Semiconducting wafers with epitaxial coating; Computer operating programs; Computer software for controlling apparatus for the production of semiconductors. Installation, maintenance and repair of apparatus for the production of semiconductors.

Produits et services

Equipment for semiconductor manufacturing, namely, CVD (Chemical Vapor Deposition) and MOCVD (Metallorganic) epitaxial reactors, bubblers for low volatile semiconductor precursors; physical vapor transport (PVT) sublimators for compound materials growth, high temperature chemical vapor deposition (HTCVD) reactors for compound materials growth, LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) reactors; equipment for high temperature wafer treatment, namely, semiconductor wafer processing equipment Epitaxially coated semiconductor wafers and downloadable and/or recorded operational software; downloadable and/or recorded software for controlling equipment for semiconductor manufacturing Equipment engineering for semiconductor manufacturing

Abrégé

The present invention relates to a reactor (1) for epitaxial deposition of semiconductor material on substrates (100), comprising: a reaction chamber (2) provided with a cavity (20) defined by a lower wall (21), an upper wall (22) and lateral walls (23, 24); a susceptor (3), positioned inside said cavity (20), and adapted to support and heat substrates (100) during epitaxial deposition; a heating system (6) adapted to heat said susceptor (3); an upper plate (7) that is positioned above said upper wall (22) and that overlies said susceptor (3) so that it reflects thermal radiation emitted by said susceptor (3) towards said susceptor (3). A liquid flow (LF) is provided in or on said upper plate (7) to cool said upper plate (7). A gaseous flow (GF) is provided between said upper wall (22) and said upper plate (7) to promote the transfer of heat from said upper wall (22) to said upper plate (7).

Classes IPC  ?

• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

Abrégé

The susceptor for an epitaxial deposition reactor comprises a disc-shaped portion (11, 12) which is adapted to be placed horizontally and which at the top has at least one cylindrical pocket (200) where a substrate (100) to be subjected to an epitaxial deposition process is placed; the pocket (200) has a bottom; one or more conduits (13) fluidically connected to an intake system (300) open on the bottom of the pocket (200); when a substrate (100) is placed on the bottom of the pocket (200) and the intake system (300) is active, the substrate (100) remains adhering to the bottom of the pocket (200). In particular: the upper body 12) superiorly has the pocket (200), the conduits (13) vertically cross only the upper body (12), the conduits (13) are fluidically connected to a plenum (14) located between the lower body (11) and the upper body (12) below the pocket (200), the plenum (14) is fluidically connected to the intake system (300); whereby when a substrate (100) is placed on the bottom of the pocket (200) and the intake system (300) is active, the lower body (11) and the upper body (12) remain united.

Classes IPC  ?

• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a heating method for a reactor (1) for epitaxial deposition; the reactor (1) comprises a susceptor (2) and an inductor (4); the inductor (4) is adapted to heat the susceptor (2) by electromagnetic induction when it is electrically powered; the inductor (4) comprises a plurality of turns (41-47); during heating of the susceptor (2) from a first temperature to a second temperature, the position of one or more turns (43) of the inductor (4) with respect to the susceptor (2) and to the other turns of the inductor (4) is changed. The turns (43) are actuated by means of an appropriate actuation system (61, 62, 63).

Classes IPC  ?

• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

Abrégé

The present invention relates to a reactor (1) for epitaxial deposition of semiconductor material on substrates ( 100), comprising: a reaction chamber (2) provided with a cavity (20) defined by a lower wall (21), an upper wall (22) and lateral walls (23, 24); a susceptor (3), positioned inside said cavity (20), and adapted to support and heat substrates ( 100) during epitaxial deposition; a heating system (6) adapted to heat said susceptor (3); an upper plate (7) that is positioned above said upper wall (22) and that overlies said susceptor (3) so that it reflects thermal radiation emitted by said susceptor (3) towards said susceptor (3). A liquid flow (LF) is provided in or on said upper plate (7) to cool said upper plate (7). A gaseous flow (GF) is provided between said upper wall (22) and said upper plate (7) to promote the transfer of heat from said upper wall (22) to said upper plate (7).

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage

Abrégé

The susceptor for an epitaxial deposition reactor comprises a disc-shaped portion (11, 12) which is adapted to be placed horizontally and which at the top has at least one cylindrical pocket (200) where a substrate (100) to be subjected to an epitaxial deposition process is placed; the pocket (200) has a bottom; one or more conduits (13) fluidically connected to an intake system (300) open on the bottom of the pocket (200); when a substrate (100) is placed on the bottom of the pocket (200) and the intake system (300) is active, the substrate (100) remains adhering to the bottom of the pocket (200). In particular: the upper body (12) superiorly has the pocket (200), the conduits (13) vertically cross only the upper body (12), the conduits (13) are fluidically connected to a plenum (14) located between the lower body (11) and the upper body (12) below the pocket (200), the plenum (14) is fluidically connected to the intake system (300); whereby when a substrate (100) is placed on the bottom of the pocket (200) and the intake system (300) is active, the lower body (11) and the upper body (12) remain united.

Classes IPC  ?

• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention concerns a susceptor comprising a disc-shaped portion (21) and a cylindrical or conical portion (22); the disc-shaped portion (21) is used to (directly or indirectly) support one or more substrates to be subjected to epitaxial deposition inside a reaction chamber of an epitaxial deposition reactor; the cylindrical or conical portion (22) is used to contribute to the heating of the disc-shaped portion (21); thanks to the configuration of the susceptor, it is possible to heat the disc-shaped portion (21) to a very uniform temperature; in fact, for example, the heating of the susceptor can be obtained through a first inductor (4) adapted to directly heat the disc-shaped portion (21), in particular its outer annular zone, and a second inductor (5) adapted to directly heat the cylindrical or conical portion (22) and indirectly heat the disc-shaped portion (21), in particular its central zone.

Classes IPC  ?

• C30B 23/06 - Chauffage de l'enceinte de dépôt, du substrat ou du matériau à évaporer
• C23C 14/50 - Porte-substrat
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

Abrégé

The tool (1) for manipulating substrates in an epitaxial reactor comprises an arm (2), a gripping disc (3) and a ball joint (4); said gripping disc (3) has a seat (5) on a lower face thereof for receiving a substrate (6) to be manipulated; said gripping disc (3) is mounted on the arm (2) through said ball joint (4) placed centrally with respect to said gripping disc (3); said gripping disc (3) is shaped so as to come into contact only with the upper edge of said substrate (6) to be manipulated; said gripping disc (3) has two degrees of freedom of rotational movement with respect to said arm (1) to allow adapting to the position of a substrate in a pocket of a susceptor of an epitaxial reactor.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B25J 15/06 - Têtes de préhension avec moyens de retenue magnétiques ou fonctionnant par succion
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports

Abrégé

A reaction chamber of a reactor for epitaxial growth includes a wall (1) with a recess and a susceptor (7) comprising a body and a relief. The body is placed in said recess in a rotational manner with respect to said wall (1). The chamber includes a discoid supporting element (8), having a shape adapted to be laid stably on said relief, having a size such to protrude radially from said relief and adapted to support one or more substrates to be subjected to epitaxial growth. The chamber also includes a flat covering (91, 92) located over said wall (1) and a hole (10) at said discoid supporting element (8). The shape of said hole (10) corresponds to the shape of said discoid supporting element (8). The covering (92) has at least one hollow guide (11, 12) for the passage of a device (16) for loading/unloading said discoid supporting element (8), wherein said hollow guide (11, 12) extends from an edge of said covering (92) to said hole (10).

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C30B 29/36 - Carbures

Abrégé

The present invention mainly relates to a susceptor for a reactor for epitaxial growth, comprising: a disc-shaped body (90) having a first face and a second face, wherein the first face comprises at least one zone (99) adapted to receive a substrate (2000) to be subjected to epitaxial growth and at least one supporting element (91+97) for the substrate (2000), located at the zone (99); the supporting element (91+97) comprises a circular disc (91) with an edge (97) which is raised with respect to the disc; the zone (99) may be a bottom of a recess (99) or a top of a relief of the disc-shaped body (90); the disc-shaped body (90) is solid at least at the recess (99) or relief; the edge is accessible from a side of the susceptor for handling the supporting element.

Classes IPC  ?

• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The tool (1 ) for manipulating substrates in an epitaxial reactor comprises an arm (2), a gripping disc (3) and a ball joint (4); said gripping disc (3) has a seat (5) on a lower face thereof for receiving a substrate (6) to be manipulated; said gripping disc (3) is mounted on the arm (2) through said ball joint (4) placed centrally with respect to said gripping disc (3); said gripping disc (3) is shaped so as to come into contact only with the upper edge of said substrate (6) to be manipulated; said gripping disc (3) has two degrees of freedom of rotational movement with respect to said arm (1 ) to allow adapting to the position of a substrate in a pocket of a susceptor of an epitaxial reactor.

Classes IPC  ?

• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A reaction chamber of a reactor for epitaxial growth comprises: - a wall (1) with a recess, - a susceptor (7) comprising a body and a relief, wherein said body is placed in said recess in rotational manner with respect to said wall (1), - a discoid supporting element (8), having a shape adapted to be laid stably on said relief, having a size such to protrude radially from said relief and adapted to support one or more substrates to be subjected to epitaxial growth, and - a flat covering (91, 92) located over said wall (1) and a having hole (10) at said discoid supporting element (8); wherein the shape of said hole (10) corresponds to the shape of said discoid supporting element (8); wherein said covering (92) has at least one hollow guide (11, 12) for the passage of a device (16) for loading/unloading said discoid supporting element (8), wherein said hollow guide (11, 12) extends from an edge of said covering (92) to said hole (10).

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail

Abrégé

The present invention relates to a susceptor for an epitaxial growth reactor; it substantially consists of a body (601) having a face (602) which comprises at least one zone (603) adapted to receive a substrate to be subjected to epitaxial growth; the zone (603) either has or is associated with a resting surface (604) for resting said substrate; the resting surface (604) is provided with patterns which comprise a plurality of curved groove stretches (606) having their center substantially in the same location (605) as said resting surface (604).

Classes IPC  ?

• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The present invention relates to a susceptor for an epitaxial growth reactor; it substantially consists of a body (601) having a face (602) which comprises at least one zone (603) adapted to receive a substrate to be subjected to epitaxial growth; the zone (603) either has or is associated with a resting surface (604) for resting said substrate; the resting surface (604) is provided with patterns which comprise at least three pluralities (605A, 605B, 605C) of arch-shaped grooves (606); in particular, the concavity of said grooves (606) faces towards the edge of the resting surface (604).

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The present invention mainly relates to a susceptor for a reactor for epitaxial growth, comprising: a disc-shaped body (90) having a first face and a second face, wherein the first face comprises at least one zone (99) adapted to receive a substrate (2000) to be subjected to epitaxial growth and at least one supporting element (91+97) for the substrate (2000), located at the zone (99); the supporting element (91+97) comprises a circular disc (91) with an edge (97) which is raised with respect to the disc; the zone (99) may be a bottom of a recess (99) or a top of a relief of the disc-shaped body (90); the disc-shaped body (90) is solid at least at the recess (99) or relief.

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The present invention relates to a susceptor for a reactor for epitaxial growth, consisting of a disc-shaped body (20, 30) made of graphite having a first face and a second face; the first face comprises at least one zone, in particular a circular-shaped recess (21) or relief (31) adapted to receive a substrate to be subjected to epitaxial growth; the first face exposes a first upper surface (22, 32) corresponding to such a zone (21, 31) and a second upper surface (23, 33) which surrounds such a zone (21, 31); the second face exposes a lower surface (24, 34); the second upper surface (22, 33) and the lower surface (24, 34) are coated with a layer of silicon carbide; so, the outward curvature of the susceptor is limited during the life thereof, i.e. after having been used for many processes of epitaxial growth of silicon carbide.

Classes IPC  ?

• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

The present invention relates to a reaction chamber of an epitaxial reactor that essentially consists of a quartz piece; the quartz piece comprises a quartz piece portion (1) having an internal cavity (2) defined by walls (1A, 1B, 1C, 1D); the cavity (2) comprises a reaction and deposition zone (3) of the epitaxial reactor; the zone (3) is adapted to house a susceptor (4) to be heated therein; the reaction chamber also comprises a quartz component (5) arranged close to said walls (1A, 1B, 1C, 1D) in such a manner as to form a counterwall and to be a wall of said zone (3).

Classes IPC  ?

• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C30B 29/06 - Silicium
• C30B 29/08 - Germanium
• C30B 29/36 - Carbures
• C30B 29/40 - Composés AIII BV

Abrégé

The present invention relates to a reaction chamber of an epitaxial reactor that essentially consists of a quartz piece; the quartz piece comprises a quartz piece portion (1 ) having an internal cavity (2) defined by walls (1A, 1B, 1C, 1 D); the cavity (2) comprises a reaction and deposition zone (3) of the epitaxial reactor; the zone (3) is adapted to house a susceptor (4) to be heated therein; the reaction chamber also comprises a quartz component (5) arranged close to said walls (1A, 1 B, 1 C, 1 D) in such a manner as to form a counterwall and to be a wall of said zone (3).

Classes IPC  ?

• C30B 25/08 - Enceintes de réaction; Emploi d'un matériau spécifié à cet effet
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• C30B 29/06 - Silicium
• C30B 29/36 - Carbures
• C30B 29/08 - Germanium
• C30B 29/40 - Composés AIII BV
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat

Abrégé

The present invention relates to a reaction chamber of an epitaxial reactor, consisting essentially of a hollow quartz piece; the hollow quartz piece comprises a quartz piece section (1) having the shape of a cylinder or a prism or a cone or a pyramid and an axial through hole (2) provided in said quartz piece section (1 ); the quartz piece section (1 ) is adapted to define, according to two of three directions, a reaction and deposition zone (3) and to house at least one susceptor (4) to be heated inside the axial through hole (2). The chamber is provided with a reflecting layer (5) made of a quartz-based material and adapted to reflect back infrared radiations emitted by the susceptor (4); the reflecting layer (5) is applied to said quartz piece section (1 ) and/or to a quartz component of the reaction chamber.

Classes IPC  ?

• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
• B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques

Abrégé

The tool (1) according to the present invention is used for handling a susceptor (9) of a machine for treating substrates and/or wafers; the susceptor (9) has a disc-like shape and is adapted to support substrates and/or wafers; the tool (1 ) comprises a suction device (2) adapted to come in contact with the top face (91) of the susceptor (9) in order to grip and hold the latter by suction.

Classes IPC  ?

• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

The present invention relates to a reactor for growing crystals of a compound material; the reactor comprises: a substantially cylindrical reaction chamber (1 ), which is adapted to be arranged in a manner such that the cylinder axis is substantially vertical and which is provided with walls (2, 3), the inner surfaces of which define at least partly an inner cavity (10) of the chamber (1), means adapted to heat said reaction chamber (1), in particular said cavity (10); the reaction chamber (1 ) comprises inlet means (4, 8) for feeding several precursor gases of said compound material into said cavity (10), which are located in the lower zone of the chamber (1), an assembly (6) adapted to hold at its bottom a seed or a substrate on which said growth takes place and located in the upper zone of the chamber (1 ), so that at least said seed or substrate and the growing crystal are kept within said cavity (10), outlet means (5) for discharging exhaust gases from said cavity (10), which are arranged around said assembly (6) in the upper zone of said chamber (1); the inlet means (4, 8) comprise: an opening (4) obtained in a bottom wall (2) of the chamber (1 ), an injector device (8) arranged outside said cavity (10) and adapted to inject at least a first and a second precursor gases of said compound material simultaneously into said cavity (10) through said opening (4); said injector device (8) is adapted to keep said two precursor gases cold and separate from each other until injection takes place.

Classes IPC  ?

• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C30B 29/36 - Carbures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

The present invention relates to a reactor (1) for growing crystals of a material, in particular of silicon carbide or a third-group nitride; it comprises a chamber (2) divided into a first zone (21) and a second zone (22), said division being accomplished through a dividing wall (3) having at least one opening (31 ) which puts said first and second zones (21,22) in communication with each other, injection means (41,42) adapted to supply said first zone (21) with at least one precursor gas of said material, exhaust means (5) adapted to discharge exhaust gases from said second zone (22), support means (6) located in said second zone (22) and adapted to support a growing crystal, and heating means (71,72) adapted to keep said first and second zones (21,22) at a temperature between 2000°C and 2600°C.

Classes IPC  ?

• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• C30B 29/36 - Carbures
• C30B 29/40 - Composés AIII BV
• C23C 16/32 - Carbures
• C23C 16/34 - Nitrures

Abrégé

The process according to the present invention is adapted to produce a silicon carbide substrate for microelectronic applications; it comprises the following steps: a) providing a conductive silicon carbide wafer, and b) growing an epitaxial layer of intrinsic silicon carbide on said wafer.

Classes IPC  ?

• C30B 25/20 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
• C30B 29/36 - Carbures

Abrégé

The present invention relates to a reaction chamber (1) for an epitaxial reactor, provided with walls delimiting an inner cavity (10), specifically a lower wall (3) and an upper wall (2) and at least two side walls (4,5); the lower wall (3) and the upper wall (2) have different configurations and/or arc made of different materials; this allows the lower wall (3) to be heated to a higher temperature than the upper wall (2). The present invention also relates to a method for heating a reaction chamber.

Classes IPC  ?

• C30B 25/10 - Chauffage de l'enceinte de réaction ou du substrat
• F27B 14/06 - Fours à creusets; Fours à bassin chauffés électriquement, p.ex. creusets à induction, avec ou sans une autre source de chaleur

Abrégé

The present invention relates to a system for supporting and rotating a susceptor within the treatment chamber of a wafer treatment apparatus comprising a support member (2) placed inside the treatment chamber and capable of supporting a susceptor (3), means (4) capable of lifting the support member (2) via a lifting gas flow, and means (5) capable of rotating the support member (2) via a rotation gas flow.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C30B 25/12 - Porte-substrat ou supports

Abrégé

The present invention relates to a device (1) for introducing reaction gases into a reaction chamber of an epitaxial reactor; the device (1) comprises a gas supply pipe (2) and a cooling member (3) situated at one end of the supply pipe (2) and able to cool the supply pipe (2) and thereby the gas flowing inside it.

Classes IPC  ?

• C30B 25/14 - Moyens d'introduction et d'évacuation des gaz; Modification du courant des gaz réactifs
• B01J 12/02 - Procédés chimiques généraux faisant réagir des milieux gazeux avec des milieux gazeux; Appareillage spécialement adapté à cet effet pour l'obtention d'au moins un produit de réaction solide à la température ambiante
• B01J 19/26 - Réacteurs du type à injecteur, c. à d. dans lesquels la distribution des réactifs de départ dans le réacteur est effectuée par introduction ou injection au moyen d'injecteurs

Abrégé

The present invention relates to a system for handling wafers (W) within a treatment apparatus (1) comprising a suction system (10) equipped with a suction inlet, a suction pipe (7) having a first end and a second end, said first end being connected to the suction inlet of the suction system (10), a tool (6) suitable for handling wafers (W) and for holding them by suction, and connected to the second end of the suction pipe (7), and a device for regulating the pressure in the suction pipe; the regulating device comprises a valve (8) connected to the suction pipe (7) and capable of opening when the pressure in the suction pipe (7) falls below a predetermined value.

Classes IPC  ?

• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement

Abrégé

The present invention relates to a susceptor (3) for epitaxial reactors, comprising a body (31) provided typically with at least one recess (311) for housing substrates on which epitaxial growth is performed; the susceptor (3) comprises a projecting part (32) able to be gripped by a tool (9) so as to be introduced into and extracted from a reaction chamber (12) of an epitaxial reactor.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

Abrégé

The present invention relates to a susceptor system for an apparatus of the type adapted to treat substrates and/or wafers; the susceptor system is provided with a cavity (1) which acts as a chamber for the treatment of the substrates and/or wafers and which extends in a longitudinal direction and is delimited by an upper wall (2), by a lower wall (3), by a right-hand side wall (4), and by a left-hand side wall (5); the upper wall (2) is constituted by at least one piece of electrically conducting material suitable for being heated by electromagnetic induction; the lower wall (3) is constituted by at least one piece of electrically conducting material suitable for being heated by electromagnetic induction; the right-hand side wall (4) is constituted by at least one piece of inert, refractory and electrically insulating material; the left-hand side wall (5) is constituted by at least one piece of inert, refractory and electrically insulating material; the piece of the upper wall (2) is thus electrically well insulated from the piece of the lower wall (3).

Classes IPC  ?

• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a susceptor system for an apparatus for the treatment of substrates and/or wafers, provided with a treatment chamber (1) delimited by at least two walls and with at least one heating solenoid (9); the susceptor system comprises at least one susceptor element (2, 3) delimited by an outer surface and made of electrically conducting material suitable for being heated by electromagnetic induction; the susceptor element (2, 3) is hollow; a first portion of the outer surface of the susceptor element (2, 3) is suitable for acting as a wall of the treatment chamber (1); a second portion of the outer surface of the susceptor element (2, 3) is suitable for being disposed close to the heating solenoid (9).

Classes IPC  ?

• H05B 6/10 - Appareils de chauffage par induction, autres que des fours, pour des applications spécifiques
• C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)

Produits et services

Epitaxial reactors and components thereof, operational software for epitaxial reactors.

Produits et services

EPITAXIAL REACTORS AND PARTS THEREFORE FOR USE IN DEPOSITING LAYERS OF SEMICONDUCTOR MATERIAL ONTO SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES IN THE PRODUCTION OF ELECTRONIC COMPONENTS, SUCH AS TRANSISTORS, DIODES, AND INTEGRATED CIRCUITS, OPERATIONAL SOFTWARE FOR EPITAXIAL REACTORS

Produits et services

Epitaxial reactors, operational software.

Produits et services

Epitaxial reactors, operational software therefore