Abrégé

33222333 that is c-axis orientated and in-plane oriented, and that has a crystal grain size of more than or equal to 100 nm.

Classes IPC  ?

• H10N 30/853 - Compositions céramiques
• H03H 9/17 - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif ayant un résonateur unique
• H03H 9/25 - Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
• H03H 9/54 - Filtres comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
• H03H 9/64 - Filtres utilisant des ondes acoustiques de surface
• H10N 30/06 - Formation d’électrodes ou d’interconnexions, p. ex. de connections électriques ou de bornes
• H10N 30/079 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p. ex. pour contrôler la croissance
• H10N 30/87 - Électrodes ou interconnexions, p. ex. connexions électriques ou bornes
• H10N 30/88 - MonturesSupportsEnveloppesBoîtiers

Abrégé

A membrane structure (10) includes: a substrate being a Si substrate or an SOI substrate; a buffer film containing ZrO2 and formed on the substrate; and a piezoelectric film (11) formed on the buffer film, a polarization direction in the piezoelectric film (11) being preferentially oriented parallel to the substrate.

Classes IPC  ?

• H03H 9/17 - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif ayant un résonateur unique
• H03H 9/25 - Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface

Abrégé

222333, which is oriented in the c-axis direction.

Classes IPC  ?

• H10N 30/079 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p. ex. pour contrôler la croissance
• H03H 9/17 - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif ayant un résonateur unique
• H03H 9/25 - Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
• H10N 30/40 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie électrique, p. ex. fonctionnant comme transformateurs
• H10N 30/85 - Matériaux actifs piézo-électriques ou électrostrictifs
• H10N 30/853 - Compositions céramiques

Abrégé

22 that has been epitaxially grown on the substrate (11). The thickness of this buffer film (12) is 43 to 100 nm and the ratio of thickness of the buffer film (12) to the thickness of the metal film (13) is 0.29 to 0.67.

Classes IPC  ?

• H10N 30/074 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 14/08 - Oxydes
• C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• H10N 30/06 - Formation d’électrodes ou d’interconnexions, p. ex. de connections électriques ou de bornes
• H10N 30/079 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p. ex. pour contrôler la croissance
• H10N 30/853 - Compositions céramiques

Abrégé

A piezoelectric film integrated device include a substrate; a first electrode provided on the substrate; a second electrode provided on the substrate; a first monocrystalline piezoelectric film provided on the first electrode; a second monocrystalline piezoelectric film provided on the second electrode and having a crystal structure different from a crystal structure of the first monocrystalline piezoelectric film; a third electrode provided on the first monocrystalline piezoelectric film; and a fourth electrode provided on the second monocrystalline piezoelectric film.

Classes IPC  ?

• H10N 30/00 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs
• H10N 30/093 - Formation de matériaux inorganiques
• H10N 30/853 - Compositions céramiques
• H10N 30/87 - Électrodes ou interconnexions, p. ex. connexions électriques ou bornes

Abrégé

A piezoelectric film integrated device includes a substrate; an electrode provided on the substrate; a first piezoelectric element that is provided on the electrode and includes a first monocrystalline piezoelectric film and a first electrode film superimposed on the first monocrystalline piezoelectric film; and a second piezoelectric element that is provided on the first piezoelectric element and includes a second monocrystalline piezoelectric film and a second electrode film superimposed on the second monocrystalline piezoelectric film.

Classes IPC  ?

• H10N 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément piézo-électrique, électrostrictif ou magnétostrictif couvert par les groupes
• B06B 1/06 - Procédés ou appareils pour produire des vibrations mécaniques de fréquence infrasonore, sonore ou ultrasonore utilisant l'énergie électrique fonctionnant par effet piézo-électrique ou par électrostriction
• H10N 30/00 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs
• H10N 30/50 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs avec une structure empilée ou multicouche
• H10N 30/853 - Compositions céramiques
• H10N 30/88 - MonturesSupportsEnveloppesBoîtiers
• H10N 30/057 - Fabrication de dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs multicouches ou de leurs parties constitutives, p. ex. en empilant des corps piézo-électriques et des électrodes par empilement de corps massifs piézo-électriques ou électrostrictifs et d’électrodes
• G01S 15/08 - Systèmes pour mesurer la distance uniquement
• G01S 7/521 - Caractéristiques de structure

Abrégé

The present invention provides a film structure (10) which sequentially comprises a substrate (1), a film (2) containing zirconia, a sacrificial layer (3) and a piezoelectric film (4) in this order, wherein: the substrate, the film containing zirconia, the sacrificial layer and the piezoelectric film are respectively single-crystallized; and the sacrificial layer can be selectively removed. The present invention also provides: a method for producing this film structure; and an apparatus for producing this film structure.

Classes IPC  ?

• H01L 41/187 - Compositions céramiques
• H01L 41/047 - Electrodes
• H01L 41/29 - Formation d’électrodes, de connexions électriques ou de dispositions de bornes
• H01L 41/316 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur

Abrégé

According to the present invention, a piezoelectric film having a single crystal structure is able to be formed, from various piezoelectric materials, on a film structure of the present invention. A film structure according to the present invention includes: a substrate; a buffer film which is formed on the substrate and has a tetragonal crystal structure containing zirconia; a metal film containing a platinum group element, which is formed on the buffer film by means of epitaxial growth; and a film containing Sr(Ti1−x, Rux)O3 (wherein 0≤x≤1), which is formed on the metal film by means of epitaxial growth.

Classes IPC  ?

• H01L 41/08 - Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
• H01L 41/187 - Compositions céramiques
• H01L 39/12 - Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails caractérisés par le matériau

Abrégé

a) and includes a zirconium oxide film which has a cubic crystal structure and is (100)-oriented, and a conductive film (13) which is formed on the alignment film (12) and includes a platinum film which has a cubic crystal structure and is (100)-oriented. An average interface roughness of an interface (IF1) between the alignment film (12) and the conductive film (13) is greater than an average interface roughness of an interface (IF2) between the substrate (11) and the alignment film (12).

Classes IPC  ?

• H01L 41/319 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p.ex. pour contrôler la croissance
• H01L 41/187 - Compositions céramiques
• C23C 14/35 - Pulvérisation cathodique par application d'un champ magnétique, p. ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
• C23C 14/16 - Matériau métallique, bore ou silicium sur des substrats métalliques, en bore ou en silicium
• C23C 14/30 - Évaporation sous vide par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire par bombardement d'électrons
• C23C 14/08 - Oxydes
• H10N 30/079 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie à l’aide de couches intermédiaires, p. ex. pour contrôler la croissance
• H10N 30/87 - Électrodes ou interconnexions, p. ex. connexions électriques ou bornes
• H10N 30/853 - Compositions céramiques
• H10N 30/076 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase vapeur
• H10N 30/078 - Formation de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p. ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide par dépôt sol-gel

Abrégé

x≤0.4  formula 1

Classes IPC  ?

• C01G 5/00 - Composés de l'argent
• C23C 14/08 - Oxydes
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
• H01L 41/187 - Compositions céramiques
• H01L 41/047 - Electrodes
• H01L 41/29 - Formation d’électrodes, de connexions électriques ou de dispositions de bornes
• H01L 41/318 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide par dépôt sol-gel

Abrégé

A thermal poling method in which a poling treatment can be performed easily by a dry process. The poling treatment is performed on a PZT film by performing a heat treatment on the PZT film under a pressurized oxygen atmosphere at a temperature of 400° C. or more and 900° C. or less. The PZT film before the heat treatment has a single-domain crystal structure, and the PZT film after the heat treatment has a multi-domain crystal structure.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• G01R 29/22 - Mesure de propriétés piézo-électriques
• H05B 3/00 - Chauffage par résistance ohmique
• H01L 41/257 - Traitement de dispositifs ou de leurs parties constitutives afin de modifier une propriété piézo-électrique ou électrostrictive, p.ex. les caractéristiques de polarisation, de vibration ou par réglage du mode par polarisation
• H01L 41/318 - Application de parties ou de corps piézo-électriques ou électrostrictifs sur un élément électrique ou sur un autre support par dépôt de couches piézo-électriques ou électrostrictives, p.ex. par impression par aérosol ou par sérigraphie par dépôt en phase liquide par dépôt sol-gel