- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
Détention brevets de la classe C30B 23/02
Brevets de cette classe: 758
Historique des publications depuis 10 ans
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2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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---|---|---|
Resonac Corporation | 2766 |
35 |
Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15414 |
29 |
Crystal IS, Inc. | 125 |
21 |
Senic Inc. | 47 |
18 |
Denso Corporation | 24223 |
16 |
SiCrystal GmbH | 40 |
16 |
Toyota Tsusho Corporation | 184 |
15 |
Kwansei Gakuin Educational Foundation | 217 |
13 |
Mitsubishi Chemical Corporation | 4489 |
12 |
Soitec | 1010 |
12 |
Applied Materials, Inc. | 18501 |
11 |
Zadient Technologies SAS | 32 |
11 |
The Regents of the University of California | 19857 |
10 |
Kiselkarbid I Stockholm AB | 15 |
10 |
NGK Insulators, Ltd. | 4944 |
9 |
Wolfspeed, Inc. | 697 |
9 |
The Regents of the University of Michigan | 4676 |
8 |
GTAT Corporation | 113 |
8 |
II-VI Advanced Materials, LLC | 49 |
8 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10922 |
7 |
Autres propriétaires | 480 |