- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 23/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
Détention brevets de la classe C30B 23/02
Brevets de cette classe: 787
Historique des publications depuis 10 ans
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63
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41
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48
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73
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80
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48
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59
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5
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Resonac Corporation | 3115 |
35 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15978 |
29 |
| Crystal IS, Inc. | 124 |
21 |
| SiCrystal GmbH | 45 |
19 |
| Denso Corporation | 24997 |
16 |
| Toyota Tsusho Corporation | 183 |
16 |
| Kwansei Gakuin Educational Foundation | 218 |
14 |
| Soitec | 1056 |
13 |
| ein Crystal Co., Ltd. | 28 |
13 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5205 |
11 |
| Mitsubishi Chemical Corporation | 4671 |
11 |
| Wolfspeed, Inc. | 823 |
11 |
| Zadient Technologies SAS | 37 |
11 |
| The Regents of the University of California | 20410 |
10 |
| Applied Materials, Inc. | 19717 |
10 |
| Kiselkarbid I Stockholm AB | 15 |
10 |
| The Regents of the University of Michigan | 4851 |
8 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10971 |
8 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 716 |
8 |
| GTAT Corporation | 111 |
8 |
| Autres propriétaires | 505 |