- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 28/14 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux par réaction chimique de gaz réactifs
Détention brevets de la classe C30B 28/14
Brevets de cette classe: 99
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Soitec | 1042 |
5 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5764 |
4 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10950 |
4 |
| Tokai Carbon Co., Ltd. | 106 |
4 |
| Sixpoint Materials, Inc. | 60 |
3 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3502 |
3 |
| Wacker Chemie AG | 2108 |
3 |
| Sumitomo Electric Hardmetal Corp. | 1046 |
2 |
| NGK Insulators, Ltd. | 5134 |
2 |
| Toyoda Gosei Co., Ltd. | 1821 |
2 |
| Japan Science and Technology Agency | 1286 |
2 |
| Kennametal Inc. | 1376 |
2 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 654 |
2 |
| Korea Research Institute of Chemical Technology | 1408 |
2 |
| MEMC Electronic Materials, Inc. | 77 |
2 |
| Okmetic Oyj | 12 |
2 |
| REC Silicon Inc | 75 |
2 |
| SGL Carbon SE | 392 |
2 |
| Sumco Corporation | 1117 |
2 |
| Tokuyama Corporation | 1424 |
2 |
| Autres propriétaires | 47 |