- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 29/06 - Silicium
Détention brevets de la classe C30B 29/06
Brevets de cette classe: 2682
Historique des publications depuis 10 ans
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190
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196
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162
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183
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146
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194
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216
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217
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164
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12
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sumco Corporation | 1116 |
380 |
| Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 1296 |
254 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 692 |
201 |
| Siltronic AG | 426 |
132 |
| Xi'an Eswin Material Technology Co., Ltd. | 85 |
57 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10984 |
47 |
| SK Siltron Co., Ltd. | 167 |
47 |
| LONGi Green Energy Technology Co., Ltd. | 359 |
43 |
| Applied Materials, Inc. | 19474 |
41 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5830 |
40 |
| TCL Zhonghuan Renewable Energy Technology Co., Ltd. | 142 |
39 |
| Corner Star Limited | 95 |
37 |
| Shin-Etsu Quartz Products Co., Ltd. | 147 |
34 |
| Sumco TECHXIV Corporation | 99 |
33 |
| Hanwha Solutions Corporation | 953 |
33 |
| Globalwafers Japan Co., Ltd. | 68 |
31 |
| LG Siltron Inc. | 116 |
30 |
| QROMIS, Inc. | 97 |
26 |
| Hanwha Corporation | 303 |
24 |
| Tokuyama Corporation | 1441 |
22 |
| Autres propriétaires | 1131 |