- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 29/48 - Composés AII BVI
Détention brevets de la classe C30B 29/48
Brevets de cette classe: 135
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| The United States of America as represented by the Secretary of the Air Force | 830 |
12 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 141620 |
11 |
| Mainstream Engineering Corporation | 147 |
9 |
| JX Nippon Mining & Metals Corporation | 1510 |
8 |
| Life Technologies Corporation | 3246 |
6 |
| Kromek Limited | 108 |
5 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 41443 |
3 |
| General Electric Company | 17074 |
2 |
| Merck Patent GmbH | 5826 |
2 |
| Agency for Science, Technology and Research | 3572 |
2 |
| Aixtron SE | 308 |
2 |
| DIC Corporation | 3712 |
2 |
| Nanogan Limited | 5 |
2 |
| Nexdot | 71 |
2 |
| Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 129 |
2 |
| Norwegian University of Science and Technology (ntnu) | 176 |
2 |
| Stanley Electric Co., Ltd. | 1189 |
2 |
| Sumco Corporation | 1121 |
2 |
| SiCrystal GmbH | 38 |
2 |
| JX Metals Corporation | 118 |
2 |
| Autres propriétaires | 55 |