- Sections
- G - Physique
- G11C - Mémoires statiques
- G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule
Détention brevets de la classe G11C 11/405
Brevets de cette classe: 273
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11042 |
194 |
Micron Technology, Inc. | 25728 |
15 |
R&D 3 LLC | 17 |
11 |
Zeno Semiconductor, Inc. | 245 |
6 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 138320 |
5 |
Sharp Kabushiki Kaisha | 18873 |
5 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40493 |
4 |
Bar-Ilan University | 421 |
4 |
Lodestar Licensing Group LLC | 864 |
4 |
International Business Machines Corporation | 60067 |
2 |
Kepler Computing Inc. | 266 |
2 |
National Yang Ming Chiao Tung University | 284 |
2 |
Qualcomm Incorporated | 81327 |
1 |
Toshiba Corporation | 12022 |
1 |
Intel Corporation | 46091 |
1 |
Renesas Electronics Corporation | 6153 |
1 |
Renesas Technology Corp. | 136 |
1 |
Huawei Technologies Co., Ltd. | 106382 |
1 |
Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
1 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10667 |
1 |
Autres propriétaires | 11 |