• Sections
  • G - Physique
  • G11C - Mémoires statiques
  • G11C 11/405 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques avec régénération de la charge commune à plusieurs cellules de mémoire, c. à d. rafraîchissement externe avec trois portes à transfert de charges, p.ex. transistors MOS, par cellule

Détention brevets de la classe G11C 11/405

Brevets de cette classe: 273

Historique des publications depuis 10 ans

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2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
11042
194
Micron Technology, Inc.
25728
15
R&D 3 LLC
17
11
Zeno Semiconductor, Inc.
245
6
Samsung Electronics Co., Ltd.
138320
5
Sharp Kabushiki Kaisha
18873
5
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
40493
4
Bar-Ilan University
421
4
Lodestar Licensing Group LLC
864
4
International Business Machines Corporation
60067
2
Kepler Computing Inc.
266
2
National Yang Ming Chiao Tung University
284
2
Qualcomm Incorporated
81327
1
Toshiba Corporation
12022
1
Intel Corporation
46091
1
Renesas Electronics Corporation
6153
1
Renesas Technology Corp.
136
1
Huawei Technologies Co., Ltd.
106382
1
Macronix International Co., Ltd.
2558
1
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
10667
1
Autres propriétaires 11