- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
Détention brevets de la classe H01L 21/04
Brevets de cette classe: 2048
Historique des publications depuis 10 ans
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145
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63
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5098 |
173 |
| Infineon Technologies AG | 8190 |
122 |
| Toshiba Corporation | 12273 |
113 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15321 |
96 |
| Rohm Co., Ltd. | 6411 |
89 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 45752 |
84 |
| Denso Corporation | 24099 |
80 |
| Cree, Inc. | 1018 |
45 |
| Wolfspeed, Inc. | 686 |
43 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42036 |
41 |
| Toyota Motor Corporation | 31377 |
40 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3622 |
33 |
| General Electric Company | 13823 |
31 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5243 |
28 |
| International Business Machines Corporation | 60907 |
24 |
| Renesas Electronics Corporation | 6048 |
20 |
| Applied Materials, Inc. | 18383 |
20 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2177 |
17 |
| Genesic Semiconductor Inc | 34 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 143812 |
13 |
| Autres propriétaires | 922 |