- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement ou une région de concentration de porteurs de charges
Détention brevets de la classe H01L 21/04
Brevets de cette classe: 2150
Historique des publications depuis 10 ans
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217
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218
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188
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150
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144
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141
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144
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145
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136
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44
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5383 |
178 |
| Infineon Technologies AG | 8383 |
136 |
| Toshiba Corporation | 12693 |
119 |
| Rohm Co., Ltd. | 6740 |
96 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16071 |
95 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47556 |
86 |
| Denso Corporation | 25165 |
84 |
| Wolfspeed, Inc. | 861 |
58 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47211 |
43 |
| Toyota Motor Corporation | 34545 |
42 |
| Cree, Inc. | 938 |
42 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5262 |
33 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3407 |
33 |
| General Electric Company | 13819 |
31 |
| International Business Machines Corporation | 62182 |
24 |
| Applied Materials, Inc. | 19999 |
23 |
| Renesas Electronics Corporation | 5871 |
21 |
| Hitachi Energy Ltd. | 2461 |
19 |
| Genesic Semiconductor Inc | 37 |
16 |
| mi2-factory GmbH | 36 |
14 |
| Autres propriétaires | 957 |