- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/425 - Bombardement par des radiations par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
Détention brevets de la classe H01L 21/425
Brevets de cette classe: 492
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42036 |
34 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11353 |
29 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1235 |
24 |
| Texas Instruments Incorporated | 19493 |
22 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 143812 |
12 |
| Micron Technology, Inc. | 26196 |
12 |
| Infineon Technologies AG | 8190 |
12 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5098 |
12 |
| International Business Machines Corporation | 60907 |
10 |
| Denso Corporation | 24099 |
9 |
| Applied Materials, Inc. | 18383 |
9 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 40580 |
9 |
| Tamura Corporation | 356 |
8 |
| Toyota Motor Corporation | 31377 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2127 |
6 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5587 |
6 |
| Advanced ION Beam Technology, Inc. | 70 |
6 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6434 |
6 |
| MIE Fujitsu Semiconductor Limited | 115 |
6 |
| Kioxia Corporation | 10268 |
6 |
| Autres propriétaires | 247 |