- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/70 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
Détention brevets de la classe H01L 21/70
Brevets de cette classe: 1435
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40493 |
202 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138320 |
88 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6440 |
73 |
| Micron Technology, Inc. | 25728 |
55 |
| International Business Machines Corporation | 60067 |
50 |
| Texas Instruments Incorporated | 19403 |
45 |
| United Microelectronics Corp. | 4083 |
41 |
| Renesas Electronics Corporation | 6153 |
38 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5241 |
24 |
| Intel Corporation | 46091 |
23 |
| Infineon Technologies AG | 8128 |
22 |
| SK Hynix Inc. | 10743 |
18 |
| Kioxia Corporation | 10112 |
17 |
| Qualcomm Incorporated | 81327 |
16 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2558 |
16 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 38724 |
14 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1339 |
14 |
| National Semiconductor Corporation | 1209 |
12 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1772 |
12 |
| Texas Instruments Japan, Ltd. | 1656 |
11 |
| Autres propriétaires | 644 |