- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/74 - Réalisation de régions profondes à haute concentration en impuretés, p.ex. couches collectrices profondes, connexions internes
Détention brevets de la classe H01L 21/74
Brevets de cette classe: 665
Historique des publications depuis 10 ans
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2
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40539 |
90 |
| Monolithic 3D Inc. | 299 |
77 |
| International Business Machines Corporation | 60075 |
37 |
| Micron Technology, Inc. | 25756 |
30 |
| Texas Instruments Incorporated | 19405 |
27 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6431 |
22 |
| Renesas Electronics Corporation | 6155 |
20 |
| Infineon Technologies AG | 8134 |
19 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138518 |
16 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5242 |
11 |
| Qualcomm Incorporated | 81413 |
10 |
| Vanguard International Semiconductor Corporation | 447 |
10 |
| SK Hynix Inc. | 10758 |
8 |
| Kioxia Corporation | 10122 |
8 |
| STMicroelectronics (Rousset) SAS | 940 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2060 |
6 |
| Tokyo Electron Limited | 12090 |
6 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 23648 |
6 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3656 |
6 |
| QROMIS, Inc. | 87 |
6 |
| Autres propriétaires | 243 |