- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
Détention brevets de la classe H01L 23/532
Brevets de cette classe: 8904
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48214 |
2135 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157300 |
643 |
| International Business Machines Corporation | 62612 |
627 |
| Intel Corporation | 47063 |
414 |
| Micron Technology, Inc. | 27611 |
298 |
| Nanya Technology Corporation | 2901 |
279 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6395 |
219 |
| Applied Materials, Inc. | 20344 |
204 |
| Kioxia Corporation | 10788 |
176 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
151 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 760 |
138 |
| Tokyo Electron Limited | 13770 |
132 |
| Texas Instruments Incorporated | 19653 |
122 |
| Renesas Electronics Corporation | 5874 |
113 |
| SK Hynix Inc. | 12443 |
108 |
| Infineon Technologies AG | 8398 |
98 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5427 |
90 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1735 |
84 |
| Rohm Co., Ltd. | 6811 |
78 |
| Qualcomm Incorporated | 91834 |
76 |
| Autres propriétaires | 2719 |