- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
Détention brevets de la classe H01L 23/532
Brevets de cette classe: 8931
Historique des publications depuis 10 ans
|
918
|
937
|
918
|
902
|
772
|
766
|
795
|
720
|
705
|
158
|
| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47319 |
2139 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153845 |
638 |
| International Business Machines Corporation | 62220 |
631 |
| Intel Corporation | 46680 |
416 |
| Micron Technology, Inc. | 27285 |
300 |
| Nanya Technology Corporation | 2850 |
289 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6396 |
219 |
| Applied Materials, Inc. | 20036 |
201 |
| Kioxia Corporation | 10709 |
178 |
| United Microelectronics Corp. | 4450 |
151 |
| Adeia Semiconductor Solutions LLC | 758 |
139 |
| Tokyo Electron Limited | 13523 |
134 |
| Texas Instruments Incorporated | 19631 |
120 |
| Renesas Electronics Corporation | 5866 |
112 |
| SK Hynix Inc. | 12154 |
109 |
| Infineon Technologies AG | 8377 |
98 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5366 |
90 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1743 |
84 |
| Rohm Co., Ltd. | 6747 |
78 |
| Qualcomm Incorporated | 90221 |
76 |
| Autres propriétaires | 2729 |