- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11558 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p.ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium
Détention brevets de la classe H01L 27/11558
Brevets de cette classe: 122
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| eMemory Technology Inc. | 411 |
22 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48760 |
13 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5480 |
10 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 881 |
8 |
| Micron Technology, Inc. | 27726 |
7 |
| SK Hynix Inc. | 12640 |
5 |
| United Microelectronics Corp. | 4516 |
5 |
| SK Keyfoundry Inc. | 258 |
5 |
| STMicroelectronics S.r.l. | 3370 |
3 |
| Synopsys, Inc. | 2636 |
3 |
| Floadia Corporation | 82 |
3 |
| Silicon Storage Technology, Inc. | 744 |
3 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 411 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158842 |
2 |
| The Regents of the University of California | 20868 |
2 |
| Lapis Semiconductor Co., Ltd. | 823 |
2 |
| Allegro Microsystems, LLC | 1428 |
2 |
| FlashSilicon Incorporation | 19 |
2 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1218 |
2 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11890 |
1 |
| Autres propriétaires | 19 |