- Sections
- H - Électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11565 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H01L 27/11565
Brevets de cette classe: 1782
Historique des publications depuis 10 ans
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228
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54
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0
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3
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159755 |
401 |
| Kioxia Corporation | 11031 |
333 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5523 |
292 |
| Micron Technology, Inc. | 27932 |
189 |
| SK Hynix Inc. | 12769 |
156 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3441 |
118 |
| Sandisk Technologies LLC | 1418 |
58 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2481 |
56 |
| Sunrise Memory Corporation | 221 |
29 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 1227 |
22 |
| Renesas Electronics Corporation | 5844 |
15 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 49440 |
9 |
| Monolithic 3D Inc. | 344 |
8 |
| Toshiba Memory Corporation | 236 |
7 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11922 |
6 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1474 |
6 |
| Intel NDTM US LLC | 461 |
6 |
| Mimirip LLC | 1369 |
6 |
| Avaneidi SpA | 14 |
6 |
| United Microelectronics Corp. | 4537 |
5 |
| Autres propriétaires | 54 |